Патент на изобретение №2151387
|
||||||||||||||||||||||||||
(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРА АСИММЕТРИИ ГРАДИЕНТА ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ В КРИСТАЛЛАХ
(57) Реферат: Изобретение относится к радиоспектроскопии, а именно к ЯКР, и может быть использовано при анализе структуры и строения химических соединений. В способе определения параметра асимметрии градиента электрического поля в кристаллах, содержащих квадрупольные ядра, включающем воздействие двухимпульсной последовательностью с временным интервалом  между импульсами, с периодом следования То и с частотой заполнения, равной резонансной частоте возбуждаемого перехода, регистрацию сигналов спинового эха в момент времени 2 и определение параметра ассиметрии  , уменьшают период повторения То до тех пор, пока не наблюдают максимальный сигнал дополнительного эха в момент времени 3 и по отношению амплитуд дополнительного эха к основному по приведенной формуле определяют параметр асимметрии при разных временных задержках между импульсами. Техническим результатом изобретения является определения параметра асимметрии в условиях насыщения линии ЯКР без применения магнитного поля. 2 ил.
Изобретение относится к радиоспектроскопии, в частности к ядерному квадрупольному резонансу (ЯКР), и может быть использовано при анализе структуры и строения химических соединений. Известен способ определения параметра асимметрии градиента электрического поля (ГЭП) в кристаллах, содержащих квадрупольные ядра, включающий воздействие двухимпульсной последовательностью с временным интервалом между ними, с периодом повторения T0 (T0  6T2, T1
Данный способ имеет недостатки:1.) сложен, из-за того, что необходимо использование внешнего магнитного поля; 2.) ограниченный диапазон (0,03-0.4) определяемой величины; 3. ) не позволяет определять величину параметра асимметрии в условиях насыщения линии ЯКР. Известен также способ определения параметра асимметрии градиента электрического поля (ГЭП) в кристаллах, содержащих квадрупольные ядра, включающий воздействие двухимпульсной последовательностью с временным интервалом между ними, с периодом повторения T0 (T0 6T2, T1) и с частотой заполнения, равной резонансной частоте возбуждаемого перехода, регистрацию сигналов эха в момент времени 2 и определение асимметрии ГЭП
Данный способ имеет недостаток – он не позволяет определять параметр асимметрии в условиях насыщения линии ЯКР.
Задачей данного изобретения является разработка способа определения параметра асимметрии градиента электрического поля в кристаллах в условиях насыщения линии ЯКР.
Эта задача решается с помощью существенных признаков, указанных в формуле изобретения: общих с прототипом – способ определения параметра асимметрии градиента электрического поля в кристаллах, содержащих квадрупольные ядра, включающий воздействие двухимпульсной последовательностью с временным интервалом между ними, с периодом повторения T0 и с частотой заполнения, равной резонансной частоте возбуждаемого перехода, регистрацию сигналов эха в момент времени 2 и определение параметра асимметрии ГЭП и отличительных от наиболее близкого аналога существенных признаков – уменьшают период повторения T0 импульсной последовательности до тех пор, пока не наблюдают сигнал дополнительного эха в момент времени 3 и определяют параметр асимметрии по формуле где m1 и m2 – отношения амплитуд дополнительного к основному эха при разных временных задержках 1 и 2 между импульсами.
Ниже раскрывается наличие причинно-следственной связи с совокупностью существенных признаков заявляемого изобретения с достигаемым результатом.
Во-первых, впервые предложен способ определения параметра асимметрии градиента электрического поля в условиях насыщения линии ЯКР.
Во-вторых, предложенный способ позволяет определять необходимый параметр в пределах от нуля до единицы.
Анализ всех отличительных признаков предлагаемого изобретения показал, что изобретательский уровень высок – раньше такие приемы не использовались для решения такой задачи.
Способ реализован с помощью устройства, описанного в а.с. N1132207, МПК G 01 N 4/10, 1984. Бюл. N48.
На фиг. 1 приведена импульсная программа, которая используется при реализации способа, на фиг.2 приведены огибающие сигналов основного (2) и дополнительного эха (3) в KReO4 (резонанс ядер 187Re, J=5/2, T=77K, переход 3/2-5/2,  = 55.651 МГц, T0=700 мксек, T1=4800 мксек, T2=390 мксек).
Рассмотрим реализацию предлагаемого изобретения. Экспериментальное наблюдение обычного квадрупольного спинового эха предполагает периодическое воздействие на образец, содержащий квадрупольные ядра, двухимпульсной последовательностью с временным интервалом между первым и вторым импульсами с периодом повторения T0 (T0 6(T2, T1), где T2 и T1 – времена поперечной и продольной релаксации возбуждаемого перехода). Частота заполнения РЧ импульсов равна частоте возбуждаемого перехода. Регистрацию сигналов спинового эха проводят на этой же частоте в момент времени 2 . После этого уменьшают период повторения T0 двухимпульсной последовательности до тех пор, пока не наблюдают сигнал дополнительного эха в момент времени 3 . При этом значении периода повторения T0 двухимпульсной последовательности регистрируют амплитуды основного (2) и дополнительного (3)зха при разных значениях .
Параметр асимметрии определяют по формуле Находим, что в условиях насыщения линии ЯКР (переход 3/2-5/2, ядер 187Re, T=77 K) параметр асимметрии в KReO4 в среднем равен 0.625. Таким образом, данный способ позволяет определять параметр асимметрии градиента электрического поля в кристаллах (поликристаллах) в условиях насыщения линии ЯКР. Формула изобретения
между ними, с периодом повторения Т0 и с частотой заполнения, равной резонансной частоте возбуждаемого перехода, регистрацию сигналов спинового эха в момент времени 2 и определение параметра асимметрии ГЭП , отличающийся тем, что уменьшают период повторения Т0 импульсной последовательности до тех пор, пока не наблюдают сигнал дополнительного эха в момент времени 3 и определяют параметр асимметрии по формуле где m1 и m2 – отношение амплитуд дополнительного к основному эха при разных временных задержках 1 и 2 между импульсами.
РИСУНКИ
MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Дата прекращения действия патента: 25.08.2001
Номер и год публикации бюллетеня: 10-2003
Извещение опубликовано: 10.04.2003
|
||||||||||||||||||||||||||
