Патент на изобретение №2223575

Published by on




РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ



ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА
ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ,
ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ
(19) RU (11) 2223575 (13) C2
(51) МПК 7
H01P1/15
(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ

Статус: по данным на 09.03.2011 – действует

(21), (22) Заявка: 2002104080/09, 13.02.2002

(24) Дата начала отсчета срока действия патента:

13.02.2002

(43) Дата публикации заявки: 27.08.2003

(45) Опубликовано: 10.02.2004

(56) Список документов, цитированных в отчете о
поиске:
ФРАДИН А.З. Антенно-фидерные устройства. – М.: Связь, 1977, с. 175-178. SU 803050 А, 07.02.1981. ДЗЕХЦЕР Г.Б. и др. PIN-диоды в широкополосных устройствах СВЧ. – М.: Советское радио, 1970, с. 64-65. ДАВЫДОВА Н.С. и др. Диодные генераторы и усилители СВЧ. – М.: Радио и связь, 1986, с. 130-131. SU 1771012 А1, 23.10.1992. GB 2202683 А, 28.09.1988. JP 5136603 А, 01.06.1993.

Адрес для переписки:

426033, Удмуртия, г.Ижевск, ул. Песочная, 3, ФГУП “ИЭМЗ “Купол”

(72) Автор(ы):

Александров А.П.,
Батталов И.Р.,
Кардаполов А.А.,
Бибаев В.Г.

(73) Патентообладатель(и):

Федеральное государственное унитарное предприятие “Ижевский электромеханический завод” “Купол”

(54) КОММУТИРУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

(57) Реферат:

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в приемопередающей аппаратуре различного назначения, в частности ограничителях, переключающих и фазовращающих СВЧ-устройствах высокого уровня мощности. Коммутирующее устройство содержит отрезок прямоугольного волновода с полупроводниковым элементом. Полупроводниковый элемент установлен между широкими стенками участка прямоугольного волновода с меньшим поперечным сечением по узкой стенке, образованного между двумя волноводными переходами, в котором в месте установки полупроводникового элемента выполнены перегородки, расположенные в поперечном сечении вдоль узких стенок, при этом расстояние между перегородками определяется из условия

где dэ – поперечный размер полупроводникового элемента (диаметр pin-диода) с диэлектрической проницаемостью , – длина волны. При этом полупропроводниковый элемент может быть установлен по середине продольного размера участка волновода с меньшим поперечным сечением по узкой стенке, образованного между двумя симметричными волноводными переходами. Полупроводниковый элемент может быть установлен на продольной оси волновода, а перегородки установлены симметрично относительно полупроводникового элемента. Полупроводниковый элемент может быть установлен вертикально между широкими стенками участка прямоугольного волновода. Технический результат заключается в снижении потерь и увеличении полосы частот устройства. 3 з.п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано в приемопередающей аппаратуре различного назначения, в частности ограничителях, переключающих и фазовращающих СВЧ-устройствах высокого уровня мощности.

Известны СВЧ-коммутирующие модули.

Так, в ограничителях, переключателях, фазовращателях коммутирующим элементом являются полупроводниковые структуры, установленные в волноводе (авт. свид. СССР 307448, 368684 Н 01 Р 1/18).

Однако они не обеспечивают достаточного диапазона частот и имеют значительные потери как при отражении, так и при прохождении СВЧ-сигнала.

Известно коммутирующее устройство фазовращателя, выбранное в качестве прототипа. Оно выполнено в виде установленной в отрезке волновода резонансной диафрагмы, в отверстии которой установлен pin-диод (А.З.Фрадин. “Антенно-фидерные устройства, М., Связь, 1977, с.175-178). Диод расположен в отверстии диафрагмы, которая либо пропускает сигнал СВЧ, либо его отражает. Если на диод не подано управляющее напряжение, диод закрыт, СВЧ-сигналы проходят через резонансную диафрагму с определенными потерями. При подаче на диод управляющего напряжения диод открыт, сопротивление его скачком уменьшается и он начинает шунтировать диафрагму. Сигналы СВЧ отражаются от диафрагмы. Таким образом имеем два положения коммутации СВЧ-сигналов: первое – при открытом диоде, второе – при закрытом.

Недостаток такого коммутирующего устройства заключается в больших потерях при прохождении СВЧ-сигналов через резонансную диафрагму с pin-диодом (порядка 2,5 дБ) и узкая полоса частот, т.к. pin-диод располагается в резонансной диафрагме и полоса частот устройства определяется добротностью диафрагмы.

Целью заявляемого изобретения является снижение потерь и увеличение полосы частот устройства.

Поставленная задача решается следующим образом.

В коммутирующем устройстве, содержащем отрезок прямоугольного волновода с полупроводниковым элементом, полупроводниковый элемент установлен между широкими стенками участка прямоугольного волновода с меньшим по узкой стенке поперечным сечением, образованного между двумя волноводными переходами, в котором в месте установки полупроводникового элемента выполнены перегородки, расположенные в поперечном сечении вдоль узких стенок, при этом расстояние между перегородками определяется из условия:

где dэ – поперечный размер полупроводникового элемента (диаметр pin-диода) с диэлектрической проницаемостью ;
– длина волны.

Предпочтительно, чтобы полупроводниковый элемент был расположен по середине продольного размера участка прямоугольного волновода с меньшим сечением, образованного между двумя симметричными переходами.

Предпочтительно, чтобы полупроводниковый элемент был установлен на продольной оси прямоугольного волновода и вертикально между его широкими стенками. А перегородки в прямоугольном волноводе предпочтительно выполнить симметрично относительно полупроводникового элемента.

Предлагаемое расположение полупроводникового элемента в участке прямоугольного волновода с меньшим поперечным сечением по узкой стенке позволяет снизить потери при прохождении электромагнитной волны и увеличить полосу частот за счет отсутствия резонансных элементов в устройстве.

На чертеже приведен общий вид коммутирующего устройства и продольный разрез.

Коммутирующее устройство содержит отрезок волновода 1, полупроводниковый элемент (pin-диод) 2, который установлен между широкими стенками участка прямоугольного волновода 3 с меньшим поперечным сечением по узкой стенке b’, образованного между двумя волноводными переходами. Перегородки 4, 5 выполнены в поперечном сечении участка прямоугольного волновода 3 вдоль его узких стенок.

В предлагаемом устройстве в отличие от прототипа полупроводниковый элемент 2 располагается между широкими стенками участка прямоугольного волновода 3, образованного между двумя волноводными переходами с меньшим размером узкой стенки в поперечном сечении. Размер узкой стенки b’ участка волновода 3 определяется размером (высотой) устанавливаемого полупроводникового элемента 2, а длина L’ этого участка выбирается из условия обеспечения наилучшего согласования в волноводе 1, т.е. чтобы паразитные отражения от всей структуры были минимальными. Полупроводниковый элемент 2 располагается на продольной оси участка волновода 3.

Устройство работает следующим образом.

Полупроводниковый элемент 2 работает в ключевом режиме. То есть, когда подано управляющее напряжение, полупроводниковый элемент находится в открытом состоянии, сопротивление его мало и по нему протекает ток. Тем самым волновод 1 оказывается закороченным. Для обеспечения лучшего отражения основной волны от закороченного полупроводникового элемента 2 с обеих сторон от него в поперечном сечении вдоль узких стенок выполнены перегородки 4, 5. Таким образом, электромагнитная волна полностью отражается от закороченной структуры. Расстояние между перегородками 4, 5 в данном случае выбирается из условия:
aэ+/2.
При отключении управляющего напряжения сопротивление полупроводникого элемента 2 резко возрастает, ток в нем не протекает. Электромагнитная волна проходит через полупроводниковый элемент 2, представляющий в данном случае диэлектрик. При этом длина волны в диэлектрике уменьшается в раз. Перегородки 4, 5, выполненные в поперечном сечении участка прямоугольного волновода 3, компенсируют это изменение длины волны, т.к. при уменьшении широкой стенки волновода в поперечном сечении длина волны в волноводе увеличивается. Расстояние между перегородками в этом случае определяется с учетом уменьшения длины волны в диэлектрике (диоде) 2 и выбирается из условия:

Расстояние между перегородками 4, 5 определяется двусторонним неравенством:
.

Длина волновода L’ выбирается с учетом обеспечения наилучшего согласования в основном волноводе и определяется экспериментальным путем.

Таким образом, за счет расположения полупроводникового элемента (pin-диода) 2 не в резонансной диафрагме, а в участке прямоугольного волновода 3 с размером узкой стенки, обеспечивающей его установку, при прохождении СВЧ- сигнала через полупроводниковый элемент достигается значительное снижение потерь. При этом рабочая полоса частот устройства существенно расширяется. В 4%-ной полосе частот потери сигнала при прохождении не превосходят 0,35 дБ.

Формула изобретения

1. Коммутирующее устройство, содержащее отрезок прямоугольного волновода с полупроводниковым элементом, отличающееся тем, что полупроводниковый элемент установлен между широкими стенками участка прямоугольного волновода с меньшим поперечным сечением по узкой стенке, образованного между двумя волноводными переходами, в котором в месте установки полупроводникового элемента выполнены перегородки, расположенные в поперечном сечении вдоль узких стенок, при этом расстояние между перегородками определяется из условия:

где a – расстояние между перегородками;

dэ – поперечный размер полупроводникового элемента с диэлектрической проницаемостью .

– длина волны.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что полупроводниковый элемент установлен по середине продольного размера участка волновода с меньшим поперечным сечением по узкой стенке, образованного между двумя симметричными волноводными переходами.

3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что полупроводниковый элемент установлен на продольной оси волновода, а перегородки установлены симметрично относительно полупроводникового элемента.

4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что полупроводниковый элемент установлен вертикально между широкими стенками участка прямоугольного волновода.

РИСУНКИ

Рисунок 1


MM4A – Досрочное прекращение действия патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 14.02.2008

Извещение опубликовано: 10.02.2009 БИ: 04/2009


NF4A Восстановление действия патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение

Дата, с которой действие патента восстановлено: 20.06.2009

Извещение опубликовано: 20.06.2009 БИ: 17/2009


PD4A – Изменение наименования обладателя патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение

(73) Новое наименование патентообладателя:

Открытое акционерное общество «Ижевский электромеханический завод «Купол» (RU)

Адрес для переписки:

426033, Удмуртская Республика, г. Ижевск, ул. Песочная, д.3, ОАО «ИЭМЗ «Купол»

Извещение опубликовано: 20.06.2009 БИ: 17/2009



Categories: BD_2223000-2223999