Патент на изобретение №2219618

Published by on




РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ



ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА
ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ,
ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ
(19) RU (11) 2219618 (13) C2
(51) МПК 7
H01J27/14, H01J37/28
(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ

Статус: по данным на 18.03.2011 – прекратил действие

(21), (22) Заявка: 2001133770/09, 17.12.2001

(24) Дата начала отсчета срока действия патента:

17.12.2001

(43) Дата публикации заявки: 20.07.2003

(45) Опубликовано: 20.12.2003

(56) Список документов, цитированных в отчете о
поиске:
ЧЕРНЯЕВ В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. – М.: Радио и связь, 1987, с.310. RU 2176681 С1, 10.12.2000. JP 11-238486, 31.08.1999. JP 2001-289982, 19.10.2001. US 5393985 А, 28.02.1995.

Адрес для переписки:

109028, Москва, Б.Трехсвятительский пер., 3/12, МГИЭМ, отдел охраны интеллектуальной собственности, пат.пов. Т.В.Григорьевой

(72) Автор(ы):

Ивашов Е.Н.,
Львов Б.Г.,
Степанчиков С.В.

(73) Патентообладатель(и):

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)

(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИОННОГО ЛУЧА

(57) Реферат:

Изобретение относится к электронике, а более конкретно к способам получения ионного луча. Технический результат – повышение сфокусированности луча при малой интенсивности ионного луча прямолинейной направленности. Поток электронов и первичный ионный луч создают от мишени к зонду путем последовательного воздействия прямым электрическим, магнитным и обратным электрическим полями, затем между мишенью и зондом устанавливают подложку и вновь воздействуют прямым электрическим полем, причем мишень и подложку предварительно электрически связывают и создают вторичный ионный луч. 2 ил.

Изобретение относится к области электроники, а более конкретно к способам получения ионного луча.

Известен способ получения ионного луча путем термоионной эмиссии [Черняев В. Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: Учебник для вузов – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Радио и связь, 1987, – 464 с., стр.303, рис. 13.8(9)].

Недостатком аналога является отсутствие сфокусированности луча при большой интенсивности и невозможности получения ионного луча прямолинейной направленности.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ получения ионного луча, включающий ионизацию инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировку ионизированным газом мишени [Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров: Учебник для вузов – 2-е изд. , перераб. и доп. – М. : Радио и связь, 1987, – 464 с., стр.310, рис. 13.11(12)].

Недостатком прототипа является также отсутствие сфокусированности луча при большой интенсивности и невозможности получения ионного луча прямолинейной направленности.

В основу изобретения положена техническая задача обеспечить высокую сфокусированность луча при малой интенсивности ионного луча прямолинейной направленности.

Поставленная задача решается тем, что поток электронов и первичный ионный луч создают от мишени к зонду путем последовательного воздействия прямым электрическим, магнитным и обратным электрическим полями, затем между мишенью и зондом устанавливают подложку и вновь воздействуют прямым электрическим полем, причем мишень и подложку предварительно электрически связывают и создают вторичный ионный луч.

Введение в способ получения ионного луча последовательного воздействия прямым электрическим, затем магнитным и обратным электрическим полями на поток электронов и первичный ионный луч от мишени к зонду, затем вновь воздействия прямым электрическим полем на вторичный ионный луч от зонда к подложке обеспечивает высокую сфокусированность луча при малой интенсивности прямолинейной направленности.

Сущность изобретения поясняется фиг.1, и фиг.2. На фиг.1 показана схема электронно-ионной системы прямого воздействия. На фиг.2 показана схема электронно-ионной системы обратного воздействия.

Электронно-ионная система (фиг.1 и фиг.2), реализующая способ, содержит зонд 1, мишень 2, источник электрического поля 3 и магнитного 4. Вектор напряженности электрического поля и вектор индукции магнитного взаимно перпендикулярны. Блок управления 5 электрически связан с источниками электрического и магнитного полей. Между зондом 1 и мишенью 2 расположена подложка 6 с возможностью вращения посредством привода 7.

Способ реализуется следующим образом.

На источник 3 электрического поля из блока управления 5 подают сигнал, зонд 1 заряжают положительно, а мишень 2 – отрицательно (фиг.1), тем самым создают поток электронов от мишени 2. Затем отключают источник 3 электрического поля, включают источник 4 магнитного поля и воздействуют на электроны лоренцевой силой, посредством которой, в результате столкновения электронов с атомами инертного газа, осуществляют их ионизацию и бомбардировку ионизированным газом мишени 2. Далее отключают источник 4 магнитного поля и включают, через блок управления 5, источник 3 электрического поля, но с противоположной полярностью, т.е. зонд 1 заряжают отрицательно, а мишень 2 – положительно. Затем между мишенью 2 и зондом 1 устанавливают подложку 6 посредством привода 7 и вновь через блок управления 5 воздействуют прямым электрическим полем, причем мишень 2 и подложку 6 предварительно электрически связывают и создают вторичный ионный луч от зонда 1 к подложке 6. Вторичный ионный луч состоит из ионов, образованных бомбардировкой мишени 2 инертным газом.

Применение предложенного способа получения ионного луча обеспечивает высокую сфокусированность луча при малой интенсивности ионного луча прямолинейной направленности, что имеет большое значение для применения таких лучей в нанотехнологии.

Формула изобретения

Способ получения ионного луча, включающий ионизацию инертного газа электронами, возбужденными пересекающимися электрическим и магнитным полями, бомбардировку ионизированным газом мишени, отличающийся тем, что поток электронов и первичный ионный луч создают от мишени к зонду путем последовательного воздействия прямым электрическим, магнитным и обратным электрическим полями, затем между мишенью и зондом устанавливают подложку и вновь воздействуют прямым электрическим полем, причем мишень и подложку предварительно электрически связывают и создают вторичный ионный луч.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2


QA4A – Сведения о заявлении обладателя патента Российской Федерации на изобретение о предоставлении любому лицу права на использование изобретения (открытая лицензия)

(54) Способ получения ионного луча

Номер и год публикации бюллетеня: 14-2004

Номер и год публикации бюллетеня: 35-2003

(73) Патентообладатель:

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (технический университет)

Адрес для переписки:

109028, Москва, Б. Трехсвятительский пер., 3/12, МГИЭМ, отдел охраны интеллектуальной собственности

Извещение опубликовано: 20.05.2004


MM4A – Досрочное прекращение действия патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 18.12.2007

Извещение опубликовано: 27.07.2009 БИ: 21/2009


Categories: BD_2219000-2219999