Патент на изобретение №2217844
|
||||||||||||||||||||||||||
(54) МНОГОСЛОЙНАЯ КОНТАКТНАЯ СИСТЕМА К КРЕМНИЕВОЙ СТРУКТУРЕ С МЕЛКОЗАЛЕГАЮЩИМ P-N ПЕРЕХОДОМ
(57) Реферат: Изобретение относится к электронной технике, предназначено для изготовления контактных систем к полупроводниковым приборам с мелкозалегающими р-n переходами. Сущность изобретения: многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим р-n переходом содержит омический контакт на основе силицидов металлов платиновой группы, барьерный слой из нитрида титана, адгезионный слой титана. На адгезионный слой последовательно нанесены взаимоконтактирующий слой и контактный слой из гальванически осажденного золота. Контактная система отличается тем, что барьерный слой из нитрида титана, синтезированного термоионным способом, имеет состав, в котором соотношение титана и азота составляет 2: 1, и оптимальную толщину, которая удовлетворяет определенному математическому соотношению. Технический результат изобретения заключается в уменьшении объемного электрического сопротивления барьерного слоя и, как следствие, существенном повышении термической и радиационной стойкости приборов с предлагаемой контактной системой. 3 ил. Таблицы Формула изобретения Многослойная контактная система к кремниевой структуре с мелкозалегающим р-n переходом, содержащая омический контакт на основе силицидов металлов платиновой группы, барьерный слой из нитрида титана, адгезионный слой титана, взаимно контактирующий слой и контактный слой гальванически осажденного золота, отличающаяся тем, что барьерный слой из нитрида титана, синтезированный термоионным способом, имеет состав, в котором отношение титана к азоту составляет 2:1, а оптимальная толщина L барьерного слоя определяется соотношением
где – коэффициент теплопроводности барьерного слоя, Вт/м К;
b – постоянная, характеризующая изменение коэффициента теплопроводности от температуры
0 – коэффициент теплопроводности при минимальных температурах, Вт/м К;
Т1 – температура поверхности барьерного слоя со стороны р-n перехода, К;
Т2 – температура наружной поверхности барьерного слоя, К;
Р – тепловая мощность, выделяемая в единице объема, Вт/м3;
– плотность границ зерен в барьерном слое, безразм.;
D – коэффициент диффузии по границам зерен, см2/с;
t – время наработки прибора на отказ, ч;
0 – концентрация атомов металла на границе барьерного слоя, атом/м3;
Q – количество вещества, накопленного на поверхности раздела металл – барьерный слой, атом/м2.
РИСУНКИ
MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Дата прекращения действия патента: 23.05.2005
Извещение опубликовано: 27.05.2006 БИ: 15/2006
|
||||||||||||||||||||||||||

где
– коэффициент теплопроводности барьерного слоя, Вт/м
К;
b – постоянная, характеризующая изменение коэффициента теплопроводности от температуры
– плотность границ зерен в барьерном слое, безразм.;
D – коэффициент диффузии по границам зерен, см2/с;
t – время наработки прибора на отказ, ч;
0 – концентрация атомов металла на границе барьерного слоя, атом/м3;
Q – количество вещества, накопленного на поверхности раздела металл – барьерный слой, атом/м2.