Патент на изобретение №2217842

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ

(57) Реферат:

Использование: в полупроводниковой технологии, в области создания современных материалов для микроэлектроники, в частности структур кремний-на-изоляторе для производства современных СБИС и других изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе заключается в том, что в пластину кремния осуществляют имплантацию водорода, проводят химическую обработку пластины кремния и подложки, пластину кремния и подложку соединяют, сращивают и расслаивают по имплантированному слою пластины, причем после химической обработки проводят сушку, удаление физически адсорбированных веществ с поверхности пластины и подложки, соединение пластины и подложки, их сращивание и расслоение по имплантированному слою пластины в одну стадию, в низком вакууме, при температуре, при которой водород, внедренный вследствие имплантации, остается в кремнии в связанном состоянии. Техническим результатом изобретения является улучшение качества структуры. 8 з. п. ф-лы, 4 ил.

Таблицыс

Формула изобретения

1. Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе, заключающийся в том, что в пластину кремния осуществляют имплантацию водорода, проводят химическую обработку пластины кремния и подложки, пластину кремния и подложку соединяют, сращивают и расслаивают по имплантированному слою пластины, отличающийся тем, что после химической обработки проводят сушку, удаление физически адсорбированных веществ с поверхности пластины и подложки, соединение пластины и подложки, их сращивание и расслоение по имплантированному слою пластины в одну стадию, в низком вакууме, при температуре, при которой водород, внедренный вследствие имплантации, остается в кремнии в связанном состоянии.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что имплантацию водорода в пластину кремния проводят через предварительно выращенный тонкий (550 нм) слой SiO₂, который после имплантации убирают.

3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что проводят имплантацию ионами водорода Н⁺₂ или Н⁺ дозой (1,515)10¹⁶ см^-2 и энергией 20200 кэВ.

4. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что после расслоения по имплантированному слою пластины кремния проводят отжиг при 1100С в течение 0,51 ч.

5. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что приповерхностный нарушенный слой со структуры кремний-на-изоляторе, полученной на подложке в результате расслоения по имплантированному слою пластины кремния, удаляют полировкой или окислением с последующим травлением.

6. Способ по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что в качестве подложки используют пластину кремния, на которой перед химической обработкой выращивают термический оксид кремния толщиной 0,013 мкм.

7. Способ по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что в качестве подложки используют стеклянную пластину толщиной порядка 500 мкм.

8. Способ по любому из пп.1-5, отличающийся тем, что в качестве подложки используют кварцевую пластину толщиной порядка 500 мкм.

9. Способ по любому из пп.1-8, отличающийся тем, что сушку, удаление физически адсорбированных веществ с поверхности пластины и подложки, соединение пластины и подложки, их сращивание и расслоение по имплантированному слою пластины проводят в низком вакууме (10^{1104 Па), при температуре от 80 до 350С, длительностью от 0,1 до 100 ч.}

РИСУНКИ