Патент на изобретение №2208845

Published by on




РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ



ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА
ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ,
ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ
(19) RU (11) 2208845 (13) C1
(51) МПК 7
G12B21/00, G01B5/28
(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ

Статус: по данным на 28.03.2011 – может прекратить свое действие

(21), (22) Заявка: 2001129350/28, 01.11.2001

(24) Дата начала отсчета срока действия патента:

01.11.2001

(45) Опубликовано: 20.07.2003

(56) Список документов, цитированных в отчете о
поиске:
JP 10019905, 23.01.1998. JP 10253641, 25.09.1998. JP 5157508, 22.06.1993. JP 11101810, 13.04.1999. US 6173604 A, 16.01.2001. US 5569918 A, 29.10.1996.

Адрес для переписки:

103482, Москва, Зеленоград, корп.317А, а/я 158, ЗАО “НТ-МДТ”, В.А. Быкову

(71) Заявитель(и):

ЗАО “НТ-МДТ”

(72) Автор(ы):

Быков В.А.,
Медведев Б.К.,
Саунин С.А.,
Соколов Д.Ю.

(73) Патентообладатель(и):

ЗАО “НТ-МДТ”

(54) НОСИТЕЛЬ ПРОВОДЯЩИХ ЗОНДОВ ДЛЯ СКАНИРУЮЩИХ ЗОНДОВЫХ МИКРОСКОПОВ

(57) Реферат:

Изобретение относится к нанотехнологии, в частности к устройствам переноса зондов в высоковакуумных комплексах между различными технологическими модулями с использованием сканирующих зондовых микроскопов (СЗМ). Сущность: в носителе зондов, содержащем проводящее основание с системой отверстий и блоком механического крепления зонда с острием, выступающим относительно него, блок механического крепления зонда содержит диэлектрический корпус с отверстием и проводящий вкладыш с отверстием, ось которого расположена под углом к оси отверстия диэлектрического корпуса, причем проводящий вкладыш установлен в отверстии диэлектрического корпуса с одной стороны, а зонд установлен в отверстии проводящего вкладыша противоположным концом от острия с возможностью взаимодействия с поверхностью отверстия диэлектрического корпуса. Технический результат: расширение используемых заряженных частиц, уменьшение теплового контакта зонда и основания, повышение качества очистки, повышение надежности крепления зонда к корпусу. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Изобретение относится к нанотехнологии, а более конкретно к устройствам переноса зондов в высоковакуумных комплексах между различными технологическими модулями с использованием сканирующих зондовых микроскопов (СЗМ).

Известен носитель зондов, содержащий проводящее основание, сопряженное с проводящим захватом обжимного разового действия, в котором установлен проводящий зонд [1].

Недостатки этого устройства заключаются в том, что в процессах термической обработки участвует проводящее основание, что приводит к взаимодействию с ним потоков частиц и частичному его распылению, а это в свою очередь ухудшает процесс очистки зондов. Также при съеме информации с зонда в СЗМ [2-4] наличие проводящего основания увеличивает наводки и утечки на зонде и, соответственно, ухудшает разрешение прибора. Использование обжимного разового захвата удорожает технологический процесс.

Известен также носитель зондов, содержащий проводящее основание с системой отверстий для манипулирования и с блоком механического крепления зонда [5].

Это устройство выбрано в качестве прототипа предложенного решения.

Использование проводящего основания так же, как и в устройстве [1] ухудшает процесс очистки зонда и увеличивает наводки на него.

Техническая задача изобретения заключается в улучшении процесса очистки зонда и уменьшении наводок на него.

Это достигается тем, что в носителе зондов, содержащем проводящее основание с системой отверстий и блоком механического крепления зонда с острием, выступающим относительно него, блок механического крепления зонда содержит диэлектрический корпус с отверстием и проводящий вкладыш с отверстием, ось которого расположена под углом к оси отверстия диэлектрического корпуса, причем проводящий вкладыш установлен в отверстии диэлектрического корпуса с одной его стороны, а зонд установлен в отверстии проводящего вкладыша противоположным концом от острия с возможностью взаимодействия с поверхностью отверстия диэлектрического корпуса.

Один из вариантов выполнения носителя заключается в формировании выступа на наружной поверхности с противоположной стороны от проводящего вкладыша. Кроме этого, между этим выступом и проводящим основанием может быть зазор.

Существует также вариант, в котором зонд касается поверхности отверстия диэлектрического корпуса на расстоянии от его конца с противоположной стороны от проводящего вкладыша.

Возможно также формирование выступа на внутренней поверхности отверстия диэлектрического корпуса с противоположной стороны от проводящего вкладыша и установка зонда с зазором относительно него.

Носитель проводящих зондов для СЗМ (см. фиг.1-3) содержит основание 1 с отверстиями 2 и 3 для манипулирования и с блоком механического крепления проводящего зонда 4, содержащего диэлектрический корпус 5 с отверстием 6 и выступами 7 и 8, соответственно, на наружной и внутренней поверхностях корпуса 5, а также проводящий вкладыш 9 с отверстием 10, ось которого расположена под углом к оси отверстия 6 корпуса 5. В отверстии 10 вкладыша 9 установлен (например, по скользящей посадке) проводящий зонд 4 с острием 11. Корпус 5 закреплен в основании 1 посредством винта 12.

Возможен также вариант, когда выступ 7 расположен с зазором А относительно основания 1, зонд 4 касается отверстия 6 на расстоянии Б от его конца и установлен с зазором В относительно выступа 8.

Детали поз. 1, 9, 12 целесообразно выполнять из тантала, молибдена или вольфрама [6], проводящий зонд 4 – из вольфрама, а корпус 7 – из алунда.

Обязательной операцией в высоковакуумных комплексах с использованием СЗМ является очистка зонда и снятие с него окисла путем его нагрева и бомбардировки заряженными частицами [7-9]. Для этого внутри высоковакуумного комплекса (фиг.2) носитель устанавливают вкладышем 9 на электрод 13, сопряженный с диэлектрическим держателем 14. При этом с противоположной стороны в зоне острия 11 расположена спираль 15 со вторым диэлектрическим держателем 16. Спираль 15 и электрод 13 подключены к блоку питания 17 (например, БП-0,25).

Высоковакуумный комплекс при этом может содержать аналитическую камеру 18 с СЗМ 19, подвешенным на пружинах 20 с возможностью взаимодействия зацепом 21 с захватом 22, а также взаимодействия с упорами 23.

Кроме этого, высоковакуумный комплекс может содержать камеру подготовки 24 с линейным манипулятором по оси Х 25 с захватом 26 и с установленным на нем основанием 1 носителя зонда 4, а также линейным манипулятором по оси Z 27 с токоподводом 13. Камеры 18 и 24 соединены с системой откачки 28, а между ними установлен затвор 29. Камера 24 может быть одновременно и загрузочной камерой. Возможен также вариант соединения камеры 24 с дополнительной загрузочной камерой (не показана). Более подробно высоковакуумный комплекс не описан, т.к. с аналогичными комплексами можно ознакомиться в [10, 11].

На камере 24 может быть установлен оптический пирометр ОППИР – 0,17, оптически сопряженный с острием 11.

Вариант закрепления носителя зонда 4 в СЗМ содержит, например, основание 31 (токосъемник), диэлектрический упор 32 и прижим 33 (подробнее СЗМ см. в [2-4]).

Устройство работает следующим образом. Устанавливают предварительно подготовленный зонд 4 во вкладыш 9 (подготовку зондов см. в [12-14]). После этого зонд 4 изгибают и закрепляют вместе с вкладышем 9 в отверстии 6. Закрепление происходит благодаря пружинным свойствам зонда (вольфрама), которые частично сохраняются при нагреве до 2000oС.

После этого посредством винта 12 закрепляют корпус 5 в основании 1 и устанавливают его на захвате 26.

Посредством манипулятора 27 соединяют электрод 13 с вкладышем 9 и подают напряжение питания на спираль 15 с целью ее нагрева.

Для возникновения потока электронов между спиралью и зондом необходимо нагреть спираль 15 до температуры, при которой с нее начинается эффективная термоэмиссия электронов (если спираль изготовлена из вольфрама, то на практике Тc=1500 – 2000oС) и приложить к зонду 4 положительное напряжение относительно спирали, обеспечив тем самым тянущее электрическое поле для электронов от спирали 15 к зонду 4.

На практике величина положительного потенциала выбирается на уровне 1,01,5 кV. Изменяя температуру нагрева спирали, добиваются потока электронов от спирали на зонд, при котором происходит разогрев зонда до Т31700oС. При этой температуре происходит эффективная термодесорбция с поверхности зонда окислов и других загрязнений, стимулированная электронным ударом.

После проведения процесса очистки зонда 4 открывают затвор 29 и загружают зонд 4 в СЗМ 19 для последующего использования (см., подробнее в [2-4] ).

Применение диэлектрического корпуса позволяет использовать практически весь поток заряженных частиц для очистки зонда и уменьшить его тепловой контакт с основанием, что улучшает качество очистки зонда и уменьшает наводки на него.

Использование проводящего вкладыша с отверстием, ось которого расположена под углом к оси отверстия корпуса, улучшает надежность крепления зонда, а также за счет возникающего при этом точечного контакта зонда с корпусом улучшает качество очистки зонда и уменьшает наводки на него. Формирование выступа на наружной поверхности корпуса, а также зазор между ним и основанием препятствует попаданию распыляемого материала со спирали и зонда на внешнюю поверхность диэлектрического корпуса и тем самым уменьшает его поверхностную проводимость. Это также улучшает очистку зонда, благодаря более полному использованию потока заряженных частиц, которые в меньшей степени “стекают” по поверхности корпуса на проводящие элементы конструкции, и уменьшает наводки на него.

Формирование выступа на внутренней поверхности корпуса препятствует попаданию распыляемого материала на нее, а касание зондом отверстия корпуса на расстоянии от его конца уменьшает “стекание” зарядов и улучшает очистку зонда. Вместе с этим это также приводит к уменьшению наводок и утечек на зонд при его использовании в СЗМ.

ЛИТЕРАТУРА
1. Проспект фирмы OMICRON, Instruments for surface science, UHVSTM.

2. Зондовая микроскопия для биологии и медицины. В.А.Быков и др. Сенсорные системы, т. 12, 1, 1998 г., с.99-121.

3. Сканирующая туннельная и атомно – силовая микроскопия в электрохимии поверхности. А.И. Данилов, Успехи химии 64 (8), 1995 г., с.818-833.

4. Сканирующая туннельная микроскопия. B.C.Эдельман, ПТЭ 5, 1989 г., с. 25-49.

5. Патент России 2158454, H 01 J 37/26, 1999 г.

6. З. П. Волкова и др. Технология электровакуумных материалов., Л., “Энергия”, 1972 г., 216 с.

7. R. Enlandsson and V. Yakimov, Force interaction between a W tip and Si(III) investigated under ultrahigh vacuum conditions., Phys. Rev. B, V. 62, 20 (13680-13686), 2000.

8. D.K. Biegeisen, et. al., Simple ion milling preparation of (l11) tungsten tips., Appl. Phys. Lett. 54 (13), 27 March 1989.

9. Патент России 2058612, H 01 J 37/285, 1996 г.

10. Патент ЕР 0899561 Al, G 01 N 27/00, 1998 г.

11. Технология тонких пленок. Под редакцией Л. Майссела, Р. Глэнга., т. 1, стр.275-351. – М.: “Сов. Радио”, 1977 г.

12. Патент Японии 04203903А, G 01 B 7/34, 1990 г.

13. Патент Японии 02066402А, G 01 B 7/34, 1988 г.

14. Патент Японии 04344403, G 01 B 7/34, 1991г.

Формула изобретения

1. Носитель зондов, содержащий проводящее основание с системой отверстий и блоком механического крепления зонда с острием, выступающим относительно него, отличающийся тем, что блок механического крепления зонда с острием содержит диэлектрический корпус с отверстием и проводящий вкладыш с отверстием, ось которого расположена под углом к оси отверстия диэлектрического корпуса, причем проводящий вкладыш установлен в отверстии диэлектрического корпуса с одной стороны, а зонд установлен в отверстии проводящего вкладыша противоположным концом от острия с возможностью взаимодействия с поверхностью отверстия диэлектрического корпуса.

2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что на диэлектрическом корпусе сформирован выступ на наружной поверхности с противоположной стороны от проводящего вкладыша.

3. Устройство по пп.1 и 2, отличающееся тем, что между выступом на наружной поверхности корпуса и проводящим основанием имеется зазор.

4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что зонд касается поверхности отверстия диэлектрического корпуса на расстоянии от его конца с противоположной стороны от проводящего вкладыша.

5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что на диэлектрическом корпусе сформирован выступ на внутренней поверхности отверстия с противоположной стороны от проводящего вкладыша и зонд установлен с возможностью зазора относительно него.

РИСУНКИ

Рисунок 1, Рисунок 2, Рисунок 3

Categories: BD_2208000-2208999