Патент на изобретение №2207638

Published by on

РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ

ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА
ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ,
ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ

(19)

(11)

2207638

(13)

(51) МПК ⁷
_G11B7/24

(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ

Статус: по данным на 28.03.2011 – прекратил действие

(21), (22) Заявка: 2000122797/28, 31.08.2000

(24) Дата начала отсчета срока действия патента:

31.08.2000

(43) Дата публикации заявки: 27.07.2002

(45) Опубликовано: 27.06.2003

(56) Список документов, цитированных в отчете о
поиске:
СИМАШКЕВИЧ А.В. Физические свойства гетеропереходов на основе соединений А^IIB^VI. – Кишинев: Штиица, 1980, с.162. JP 01241042 A, 26.09.1989. JP 62239339 А, 20.10.1987. RU 2148791 С1, 10.05.2000. RU 2095887 С1, 10.11.1997. EP 0115124 А2, 08.08.1984.

Адрес для переписки:

397160, Воронежская обл., г. Борисоглебск, Северный мкр., 32а, кв. 52, Ю.А. Никольскому

(71) Заявитель(и):

Никольский Юрий Анатольевич,
Донцова Виталина Валерьевна

(72) Автор(ы):

Никольский Ю.А.,
Донцова В.В.

(73) Патентообладатель(и):

Никольский Юрий Анатольевич

(54) ЭЛЕМЕНТ ОПТИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ

(57) Реферат:

Изобретение относится к устройствам, используемым в электронной технике в качестве запоминающих устройств. Элемент оптической памяти содержит гетероструктуру n-InSb-SiO₂-P-Si, полученную путем напыления поликристаллической пленки n-InSb на подложку из окисленного кремния при 300^oС с последующей термической перекристаллизацией. Эффект оптической памяти составляет в нем ~ 40-50% при температуре жидкого азота в ближней ИК-области спектра.

Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике в качестве запоминающих устройств.

Имеющиеся элементы оптической памяти на основе гетеропереходов А^IIB^VI и А^IIIB^V дают эффект оптической памяти до 30-40% в видимой области спектра [1] .

Элемент оптической памяти на основе гетероструктуры n-InSb-SiO₂-P-Si, полученной термической перекристаллизацией пленки n-InSb на подложке из окисленного кремния, имеет в ближней ИК-области спектра 27 мкм эффект оптической памяти ~ 4050% при температуре жидкого азота. Коэффициент оптической памяти составляет ~ 10⁴10⁵.

Элемент оптической памяти изготавливается путем создания гетероструктуры n-InSb-SiO₂-P-Si, получаемой напылением поликристаллической пленки n-InSb на подложке из окисленного кремния при температуре ~300^oС с последующей термической перекристаллизацией. К P-Si и к пленке n-InSb припаивают эвтектическим сплавом In-Sn тонкие медные проволочки для измерения тока памяти после выключения освещения при температуре жидкого азота. Измерения дают значения тока памяти ~4050% после выключения освещения в ближней ИК-области спектра.

Литература
[1] А. В. Симашкевич. Физические свойства гетеропереходов на основе соединений A^IIB^VI. Кишинев. Штиица, 1980 г., 162 с.

Формула изобретения

Элемент оптической памяти, содержащий гетероструктуру n-InSb–SiO₂-P-Si, отличающийся тем, что данная гетероструктура получена напылением поликристаллической пленки n-InSb на подложку, которая выполнена из окисленного кремния, при 300^oС с последующей термической перекристаллизацией.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 01.09.2002

Извещение опубликовано: 20.11.2004 БИ: 32/2004