Патент на изобретение №2201017

Published by on




РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ



ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА
ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ,
ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ
(19) RU (11) 2201017 (13) C2
(51) МПК 7
H01L31/173
(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ

Статус: по данным на 07.04.2011 – прекратил действие

(21), (22) Заявка: 2000126909/28, 26.10.2000

(24) Дата начала отсчета срока действия патента:

26.10.2000

(43) Дата публикации заявки: 10.10.2002

(45) Опубликовано: 20.03.2003

(56) Список документов, цитированных в отчете о
поиске:
ЕР 0048146 А2, 24.03.1982. ЕР 0402114 А2, 12.12.1990. WO 9307647 А2, 05.01.1993. SU 1329510 А1, 10.07.1996.

Адрес для переписки:

302020, г.Орел, Наугорское ш., 5, ЗАО “СИНТЭК”

(71) Заявитель(и):

ЗАО “СИНТЭК”

(72) Автор(ы):

Барановский Д.М.,
Череповский Ю.П.

(73) Патентообладатель(и):

ЗАО “СИНТЭК”

(54) ОПТРОН


(57) Реферат:

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в оптоэлектронных интегральных схемах. Техническим результатом изобретения является получение в оптроне эффективной оптической связи между кристаллами светодиода и фотоприемника. Сущность: кристаллы светодиода и фотоприемника расположены планарно относительно друг друга внутри оптически прозрачной полусферы, на поверхность которой нанесено отражающее покрытие, внутрь оптически прозрачной полусферы над кристаллами светодиода и фотоприемника введена оптически прозрачная диэлектрическая пластина. Геометрические размеры оптически прозрачной полусферы в предлагаемой конструкции оптрона определяются лишь эффектами смачивания жидким компаундом поверхности оптически прозрачной диэлектрической пластины. 1 ил.


Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в оптоэлектронных интегральных схемах.

В качестве прототипа выбран оптрон, содержащий кристаллы светодиода и фотоприемника, расположенные планарно друг относительно друга внутри, сформированной жидким компаундом, оптически прозрачной полусферы, на поверхность которой нанесено отражающее покрытие [1].

Целью изобретения является получение в оптроне эффективной оптической связи между кристаллами светодиода и фотоприемника.

Поставленная цель достигается тем, что в оптрон, содержащий кристаллы светодиода и фотоприемника, расположенные планарно друг относительно друга внутри оптически прозрачной полусферы, на поверхность которой нанесено отражающее покрытие, внутрь оптически прозрачной полусферы над кристаллами светодиода и фотоприемника введена оптически прозрачная диэлектрическая пластина.

На чертеже представлена предлагаемая конструкция оптрона. Оптрон содержит кристаллы светодиода 1 и фотоприемника 2, расположенные на подложке 3 планарно друг относительно друга внутри оптически прозрачного компаунда 4, на поверхность которого нанесено отражающее покрытие 5. Внутри оптически прозрачного компаунда 4 над кристаллами светодиода 1 и фотоприемника 2 расположена оптически прозрачная диэлектрическая пластина 6.

Геометрические размеры оптически прозрачной полусферы в предлагаемой конструкции оптрона определяются лишь эффектами смачивания жидким компаундом поверхности оптически прозрачной диэлектрической пластины и могут быть подобраны так, чтобы обеспечить эффективную без многократного отражения от элементов конструкции оптическую связь между кристаллами светодиода и фотоприемника.

Источники информации
1. Европейский патент 0048146, кл. Н 03 К 17/78, опубл. 23.07.86.

Формула изобретения


Оптрон, содержащий кристаллы светодиода и фотоприемника, расположенные планарно относительно друг друга внутри оптически прозрачной полусферы, на поверхность которой нанесено отражающее покрытие, отличающийся тем, что внутрь оптически прозрачной полусферы над кристаллами светодиода и фотоприемника введена оптически прозрачная диэлектрическая пластина, геометрические размеры оптически прозрачной полусферы определяются эффектами смачивания жидким компаундом поверхности оптически прозрачной диэлектрической пластины.

РИСУНКИ

Рисунок 1


MM4A – Досрочное прекращение действия патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 27.10.2006

Извещение опубликовано: 27.01.2008 БИ: 03/2008


Categories: BD_2201000-2201999