Патент на изобретение №2193609
|
||||||||||||||||||||||||||
(54) СПОСОБ НЕЙТРОННО-ТРАНСМУТАЦИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ КРЕМНИЯ
(57) Реферат: Заявляемое изобретение относится к технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК, широко применяемого в технологии изготовления полупроводниковых приборов для электронной и электротехнической промышленности. Сущность изобретения состоит в том, что в способе нейтронно-трансмутационного легирования кремния, включающем облучение нейтронным потоком по дозно-временному регламенту контейнера со слитками кремния в канале ядерного реактора с известным исходным, но изменяющимся во времени высотным распределением плотности нейтронного потока, и контроль за усредненным по длине слитков в контейнере флюенсом нейтронов, контроль за усредненным флюенсом нейтронов осуществляют с использованием нейтронной камеры и вертикальных сборок, составленных из дискретных датчиков тока прямого заряда, установленных в измерительных каналах реактора, вертикальные сборки датчиков тока устанавливают в противолежащие измерительные каналы со смещением их по вертикали на половину расстояния между датчиками в сборке. Электрический сигнал снимают с ионизационной камеры и датчиков тока и вводят в компьютер с программным средством, обеспечивающим корректировку показаний датчиков тока на основании показаний ионизационной камеры. С помощью средств автоматики, электрически связанных с выходом компьютера, контейнер перемещают и удерживают в зоне равномерного облучения на основании текущих показаний датчиков тока и задания дозно-временного регламента, а выводят контейнер из облучательного канала, когда интегральная доза облучения кремния достигнет заданного значения. Проведена зависимость, по которой определяют отображаемую в компьютере функцию распределения нейтронного потока, в промежутке между двумя смежными показаниями секций датчиков. Использование предлагаемого способа получения монокристаллического кремния, легированного фосфором на ядерном реакторе, повышает качество радиационно-легированного до любых номиналов удельного сопротивления кремния (УЭС), а именно снижает разброс УЭС, позволяет получить кремний с заданными электрофизическими свойствами, позволяет сохранить монокристаллическую структуру слитка, что в конечном итоге приводит к увеличению выхода годных приборов с улучшенными характеристиками в электронной и электрической промышленности. 1 з.п.ф-лы, 1 ил. Заявляемое изобретение относится к технологии ядерного легирования полупроводниковых материалов при промышленном производстве на энергетических реакторах типа РБМК, широко применяемого в технологии изготовления полупроводниковых приборов для электронной и электротехнической промышленности. Преимущественное применение предлагаемый способ может найти в тех случаях, когда требуется обеспечить высокое качество нейтронной обработки, предъявляемое к полупроводниковым материалам при обработке в слитках большого диаметра. Во время ядерного легирования кремния при помещении его в нейтронное поле реактора происходит преобразование части ядер кремния в ядра легирующей примеси фосфора [1]: ![]() Ядра 30Si, поглощая тепловые нейтроны с испусканием ![]() ![]() – подготовку монокристаллов к облучению; – облучение контейнеров со слитками кремния в ядерном реакторе; – выдержку и перегрузку контейнеров с облученным кремнием; – дезактивацию облученного кремния; – отжиг кремния для ликвидации дефектов радиации; – механическую обработку слитков; – измерение электрофизических параметров слитков кремния; – доводка кремния в марку. Кроме того, известный способ включает предварительные измерения нейтронного поля с помощью датчиков тока прямого заряда (ДТПЗ) для нахождения зоны равномерного облучения (ЗРО) и определения времени облучения кремния. Недостатком этого способа является невысокая точность воспроизведения расчетных характеристик легируемого кремния. Низкая точность предопределена ограниченным числом секций ДТПЗ. Число секций в сборке всего 7, и они располагаются на расстоянии 1 м друг относительно друга по высоте активной зоны (AЗ) ЯР. Число секций не может быть увеличено, так как в условиях радиации и ограниченных габаритов возникают большие трудности в изоляции выводов отдельных секций датчиков тока. Кроме того, датчик тока в условиях постоянного облучения нейтронным потоком теряет первоначальную чувствительность в результате расщепления ядер чувствительного элемента. Грубое представление нейтронного поля не обеспечивает высокой равномерности облучения по всей высоте контейнера. В результате указанных недостатков при большой производительности облучения кремния на энергетическом ЯР не достигается хорошего воспроизводства заданных свойств полупроводникового кремния, дорогостоящее сырье – монокристаллический кремний – может идти в брак. Наиболее близким аналогом заявляемого изобретения является способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния [3] . Данный способ включает возвратно-поступательное перемещение контейнера со слитками кремния через зону облучения по каналу реактора по дозно-временному регламенту и контроль за усредненным по длине слитков в контейнере флюенсом нейтронов. Предварительно в канале реактора формируют нейтронное поле таким образом, чтобы на части канала распределение плотности потока тепловых нейтронов являлось четной функцией. В контейнере размещают слитки кремния общей длиной не более длины выбранного участка, а в процессе облучения контейнер со слитками перемещают по каналу из одного крайнего положения, в котором слитки расположены за пределами зоны облучения, в другое, в котором середина слитков совмещена с серединой выбранного участка в канале. После облучения половинным флюенсом от требуемого процесс облучения прерывают, контейнер разворачивают, меняя местами его торцы, и точно так же дооблучают контейнер оставшимся флюенсом нейтронов. Недостатком этого способа является его трудоемкость, связанная с тем, что для достижения требуемой точности набора флюенса необходимо перед каждым облучением особым образом формировать нейтронное поле в облучательном канале, и невысокая точность набора флюенса, особенно в случае, когда во время облучения происходит изменение нейтронного поля. Задачей, решаемой заявленным изобретением, является повышение точности набора флюенса, т. е. получение заданного удельного сопротивления легированного кремния с точностью до 3% и менее, а также снижение трудозатрат. Сущность изобретения состоит в том, что в способе нейтронно-трансмутационного легирования кремния, включающем облучение нейтронным потоком по дозно-временному регламенту контейнера со слитками кремния в канале ядерного реактора с известным исходным, но изменяющимся во времени высотным распределением плотности нейтронного потока и контроль за усредненным по длине слитков в контейнере флюенсом нейтронов, предложено контроль за усредненным флюенсом нейтронов осуществлять с использованием нейтронной камеры и вертикальных сборок, составленных из дискретных датчиков тока прямого заряда, установленных в измерительных каналах реактора, вертикальные сборки датчиков тока установить в противолежащие измерительные каналы со смещением их по верт икали на половину расстояния между датчиками в сборке. Электрический сигнал, снимаемый с ионизационной камеры и датчиков тока, предложено вводить в компьютер с программным средством, обеспечивающим корректировку показаний датчиков тока на основании показаний ионизационной камеры. С помощью средств автоматики, электрически связанных с выходом компьютера, контейнер перемещают и удерживают в зоне равномерного облучения на основании текущих показаний датчиков тока и задания дозно-временного регламента, а выводят контейнер из облучательного канала, когда интегральная доза облучения кремния достигнет заданного значения. Кроме того, предлагается отображаемую в компьютере функцию распределения нейтронного потока, в промежутке между двумя смежными показаниями секций датчиков, определять по зависимости: ![]() где A1, B1 – смежные отсчеты (мкА) значения интенсивности нейтронного потока в виде A1=КА ![]() ![]() Рх – промежуточные значения функции распределения нейтронного потока (мкА), КА, КB – коэффициенты соответствия (безразмерные), J – ток соответствующего элемента ДТПЗ (мкА), А – токовые значения элементов первой сборки ДТПЗ (мкА), В – токовые значения элементов второй сборки ДТПЗ, смещенной на ![]() m – число дополнительных градаций, Х – номер промежуточного отсчета в пределах от 1 до m. В заявляемом способе за счет использования двух (или четырех) семисекционных ДТПЗ удается получить данные об интенсивности нейтронного поля в 14-ти (или в 28-ми) точках по высоте AЗ реактора, а с учетом интерполяции кривой распределения поля между измеренными точками более точно найти зону равномерного облучения и рассчитать флюенс нейтронов, получаемый столбом слитков кремния заданной длины. Процесс легирования проводится под непрерывным контролем ЭВМ, работающей по специальной программе. В процессе легирования ЭВМ непрерывно уточняет положение зоны равномерного облучения, и в случае необходимости контейнер с кремнием по сигналу ЭВМ автоматически перемещается вслед за ЗРО. Для компенсации изменения чувствительности ДТПЗ из-за выгорания ядер родия периодически проводят сканирование облучательного канала камерой деления и рассчитывают коэффициенты соответствия показаний выгорающих ДТПЗ показаниям хранящейся вне активной зоны камеры деления. Найденные коэффициенты хранятся в памяти ЭВМ и используются для уточнения расчета получаемого кремнием флюенса нейтронов. Таким образом, удается вести строго контролируемое по величине, времени и равномерности облучение слитков кремния. Технологическая последовательность нейтронного облучения кремния по выбранному способу проиллюстрирована на чертеже, где 1 – предварительные измерения; 2 – текущий контроль нейтронного поля; 3 – отображение текущего нейтронного поля; 4 – определение положения зоны равномерного облучения; 5 – загрузка контейнера слитками кремния; 6 – погружение контейнера с кремнием в облучательный канал ЯР; 7 – облучение кремния с корректировкой положения контейнера; 8 – расчет среднего нейтронного потока по N измерениям зоны равномерного облучения; 9 – расчет времени облучения; 10 – вывод контейнера из канала ЯР в исходное положение. Способ включает предварительные измерения нейтронной камерой и сборками ДТПЗ. Прогоном нейтронной камеры по высоте AЗ измеряют нейтронное поле в облучательном канале ЯР. Сборками ДТПЗ, установленными в ЯР около облучательного канала, фиксируют нейтронный поток на различных уровнях по высоте AЗ. По токам отдельных секций ДТПЗ и данным прогона нейтронной камеры рассчитывают коэффициенты фактического соответствия токов ДТПЗ нейтронному потоку по измерениям нейтронной камерой. Фиксируют коэффициенты соответствия в памяти ЭВМ. Все измерения и расчеты ведутся на специальной ЭВМ, на которую подаются токовые сигналы от всех внутриреакторных датчиков вблизи облучательного канала. По токам ДТПЗ с учетом интерполяции и длины столба слитков кремния находят зону равномерного облучения – обычно в пределах 1000-2000 мм. Подлежащий облучению кремний загружают в контейнер для легирования с учетом величины ЗРО. По величине требуемого флюенса и рассчитанным характеристикам нейтронного поля в ЗРО определяют продолжительность процесса легирования. Далее контейнер с кремнием опускают в облучательный канал до совмещения ЗРО со слитками кремния и запускают программу контроля процесса легирования на ЭВМ. Во время легирования ЭВМ в автоматическом режиме проводит непрерывный контроль нейтронного поля в ЗРО с отображением поля на экране ЭВМ, рассчитывает усредненный по нескольким измерениям нейтронный поток, по фактическому нейтронному потоку уточняет время облучения, уточняет положение ЗРО и, при необходимости, перемещает контейнер с кремнием вслед за положением ЗРО. При достижении заданного флюенса ЭВМ подает сигнал на извлечение контейнера с кремнием из облучательного канала ЯР. Текущий контроль нейтронного поля выполняют сборками ДТПЗ, но их токи в течение ограниченного срока, около 2-х месяцев, в течение которых чувствительность ДТПЗ падает на ![]() ![]() ![]() 1. При помощи камеры деления и по показаниям ДТПЗ измерено нейтронное поле ( ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 1. Смирнов Л. С. и др. Легирование полупроводников методом ядерных реакций. Новосибирск: Наука, 1981. 2. Вестник “Радтех” Евразия 1(8), М., 1994. 3. Патент Российской Федерации 2089011 С1 / Способ нейтронно-трансмутационного легирования кремния. Формула изобретения
![]() где А1, В1 – смежные отсчеты (мкА) значения интенсивности нейтронного потока в виде А1= КА ![]() ![]() Рх – промежуточные значения функции распределения нейтрального потока, мкА; КА, КВ – коэффициенты соответствия (безразмерные); J – ток соответствующего элемента датчика тока прямого заряда, мкА; А – токовые значения элементов первой сборки датчика тока прямого заряда, мкА; В – токовые значения элементов второй сборки датчика тока прямого заряда, смещенной на ![]() m – число дополнительных градаций; Х – номер промежуточного отсчета в пределах 1 – m. РИСУНКИ
PD4A – Изменение наименования обладателя патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение
(73) Новое наименование патентообладателя:
(73) Новое наименование патентообладателя:
Адрес для переписки:
Извещение опубликовано: 10.06.2009 БИ: 16/2009
|
||||||||||||||||||||||||||