Патент на изобретение №2192341
|
||||||||||||||||||||||||||
(54) СПОСОБ ПРОШИВКИ ПРЕЦИЗИОННЫХ ОТВЕРСТИЙ ЛАЗЕРНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ
(57) Реферат: Изобретение относится к технологии лазерной обработки материалов и может быть использовано в машиностроении, микроэлектронике и других областях промышленности для прошивки отверстий малого диаметра и большой глубины в изделиях из металлов, их сплавов, диэлектриках и других материалах. Возбуждают лазерное излучение в одном или более активных элементах. Осуществляют модуляцию добротности резонатора. Создают излучение в виде цугов импульсов с помощью лазерного затвора. Устраняют влияние отраженного от обрабатываемой заготовки излучения на развитие генерации. Осуществляют коллимацию и фокусировку лазерного излучения на обрабатываемую заготовку и управление интенсивностью лазерного излучения на дне канала отверстия в процессе обработки заготовки. Генерируют излучения с s- или р-поляризацией. Направляют его в элемент, который пропускает излучение только в направлении обрабатываемой заготовки. В процессе управления интенсивностью лазерного излучения увеличивают интенсивность импульсов в цуге по мере заглубления канала отверстия. В результате возможно увеличение коэффициента формы отверстия и уменьшение его конусности при прошивке лазерным излучением. 1 табл., 1 ил. Изобретение относится к технологии лазерной обработки материалов и может быть использовано в машиностроении, микроэлектронике и других областях промышленности для прошивки отверстий малого диаметра и большой глубины в изделиях из металлов, их сплавов, диэлектриках и других материалах. Недостатком указанного способа является ограниченный коэффициент формы отверстий (отношение глубины к диаметру отверстия), составляющий менее 30. Этот недостаток обусловлен низкой компенсацией фазовых искажений волнового фронта лазерного излучения, что ограничивает как предельную глубину прошивки (не более 16 мм), так и минимальный диаметр получаемых отверстий (не менее 200 мкм). Другим недостатком является конусность получаемых отверстий, составляющая не менее 1:200, что также вызвано низкой компенсацией фазовых искажений волнового фронта лазерного излучения. По своей технической сущности наиболее близким к предлагаемому изобретению является способ прошивки прецизионных отверстий (Лазерная техника и технология. В 7 кн. Кн. 4. Лазерная обработка неметаллических материалов /Под ред. А.Г. Григорьянца. – М.: Высш. шк., 1988. – С. 132-139), заключающийся в том, что в одном или более активных элемента возбуждают лазерное излучение, причем активные элементы устанавливают в стационарный резонатор, имеющий высокую добротность одновременно для многих мод или для одной, при введении в резонатор диафрагмы. Добротность резонатора модулируют с помощью лазерного затвора. При этом создают излучение в виде цугов импульсов, а для ускоренного поглощения материалом энергии излучения увеличивают интенсивность первых пичков. Наведение в резонаторе паразитных мод отраженным от обрабатываемой заготовки излучением устраняют введением оптического элемента с диодной характеристикой после выходного зеркала резонатора. При необходимости лазерное излучение коллимируют с помощью телескопической системы, а затем фокусируют с помощью объектива в зону воздействия, где устанавливают и обрабатывают заготовку. Причем оптическую систему и излучатель лазера располагают так, что размеры светового пятна в фокальной плоскости и в плоскости изображения торца излучателя (или диафрагмы) равны. В этом случае в зоне воздействия образуется цилиндрическая световая трубка, то есть перетяжка излучения в фокальной плоскости ограничена цилиндрической поверхностью. Для снижения конусности получаемых отверстий в процессе обработки управляют интенсивностью лазерного излучения путем относительного смещения объектива и заготовки или последовательной сменой объективов с диафрагмированием. Это позволяет избежать снижения интенсивности излучения на дне канала по мере заглубления отверстия. Основной недостаток данного способа заключается в низком коэффициенте формы отверстий, составляющем менее 50. Указанный недостаток обусловлен двумя причинами. Во-первых, низкое качество и отсутствие компенсации фазовых искажений излучения приводят к ухудшению его пространственных характеристик и недостаточно острой фокусировке, что ограничивает минимальный диаметр отверстий. Во-вторых, значительные потери излучения в статическом резонаторе и элементе оптической развязки снижают интенсивность импульсов излучения, что ограничивает предельную глубину обработки. Другим недостатком является значительная конусность получаемых отверстий, составляющая 1:100 и более, что также вызвано низкой компенсацией фазовых искажений волнового фронта лазерного излучения. Задачей настоящего изобретения является увеличение коэффициента формы отверстия и уменьшение его конусности при прошивке лазерным излучением. Решение поставленной задачи достигается тем, что в способе, включающем генерирование лазерного излучения путем его возбуждения в одном или более активных элементах, модуляции добротности резонатора и создания излучения в виде цугов импульсов с помощью лазерного затвора, коллимацию и фокусировку лазерного излучения на обрабатываемую заготовку и управление его интенсивностью в процессе обработки заготовки, генерируют s- или р-поляризованное излучение, а на обрабатываемую заготовку направляют излучение с ортогональной р- или s-поляризацией, для чего излучение с линейной s- или p-поляризацией направляют в элемент, где оно становится ортогонально р- или s-поляризованным и который пропускает излучение только в направлении обрабатываемой заготовки, и в процессе управления интенсивностью лазерного излучения увеличивают интенсивность импульсов в цуге по мере заглубления канала отверстия. В предлагаемом способе фазовые искажения излучения корректируются автоматически в процессе самообращения волнового фронта (самоОВФ). Режим самоОВФ реализуют в результате четырехволнового взаимодействия (ЧВВ) излучения непосредственно в средах активных элементов и фототропного кристалла. При этом в инвертированной среде активных элементов и фототропном кристалле записываются динамические голографические решетки, которые образуют ОВФ-зеркала самоподстраивающегося адаптивного резонатора лазера. Использование принципов голографии реального времени для самоОВФ при ЧВВ позволяет не только скомпенсировать фазовые искажения излучения и реализовать одномодовый режим генерации без использования диафрагм или других специальных селекторов, но и на 3-4 порядка повысить его пространственную яркость, практически на порядок и более улучшить параметр качества излучения, а также уменьшить потери основной моды и увеличить энергетические параметры импульсов одномодового излучения. Так, в предлагаемом способе параметр качества излучения М2 не превышает значения М2 = 1,16, в то время как в прототипе он достигает 50-100 в многомодовом режиме и составляет 8-10 в одномодовом режиме генерации, когда внутри резонатора устанавливают апертурную диафрагму. Параметр М2 оценивают по формуле M2 = ![]() ![]() ![]() где D – диаметр пучка излучения в ближней зоне; ![]() ![]() Df = ![]() ![]() где F – фокусное расстояние объектива; DL – диаметр пучка излучения на входной апертуре объектива. В прототипе генерируется неполяризованное лазерное излучение. Выделение поляризации определенного типа из генерируемого излучения осуществляют введением в резонатор лазера частичного поляризатора, то есть пластины, установленной под углом Брюстера. Это обуславливает не только значительные потери излучения (до 50%) вследствие удаления его части из резонатора, но и довольно низкую, не более 80%, степень поляризации излучения. В свою очередь, это приводит к существенным потерям излучения в оптическом элементе с диодной характеристикой, которые составляют не менее 20%. В предлагаемом способе поляризацию излучения создают на допороговом этапе развития генерации при формировании топографических решеток путем введения фазовой пластинки в кольцо концевого отражателя. Поэтому генерируемое излучение имеет вполне определенную поляризацию. Генерацию s- или p-поляризованного излучения обеспечивают соответствующей настройкой зеркал резонатора и ориентацией фазовой пластинки. При этом степень поляризации составляет более 90%. Следовательно, суммарные потери мощности излучения в резонаторе и в оптическом вентиле составляют менее 10%. Кроме того, в соответствии с феноменологической моделью заглубления отверстия при фокусировке излучения вблизи поверхности обрабатываемой заготовки процесс разрушения материала можно описать выражением ![]() где rf = Df/2 – радиус сфокусированного излучения; rh(t) – текущий радиус; q – интенсивность поглощенного излучения; LB и ![]() ![]() где h(t) – заглубление отверстия. Тогда, (3) примет вид ![]() Откуда следует, что при большом заглублении отверстия, таком что h(t)>>rf, ![]() Интегрирование (6) дает формулу для определения глубины отверстия. Когда q=const, что соответствует способу обработки по прототипу, глубина отверстия ![]() В предлагаемом способе интенсивность излучения увеличивают по мере заглубления отверстия согласно закону q=Aq0t2, где А>1 – коэффициент пропорциональности. После интегрирования (6) глубина отверстия будет ![]() Из (7) и (8) следует, что предлагаемый способ позволяет значительно увеличить глубину отверстия по сравнению с прототипом. Это объясняется как лучшим качеством излучения, так и большей его интенсивностью благодаря значительно более высокой пространственной яркости излучения. В результате, предлагаемый способ дает возможность существенным образом увеличить предельную глубину hmах отверстия. Ее можно найти, приравняв интенсивность потока лазерного излучения его пороговому значению, характеризующему начало разрушения материала, Q = c ![]() ![]() ![]() а для предлагаемого способа ![]() Формулы (9) и (10) указывают на то, что по сравнению с прототипом предлагаемый способ, благодаря только повышению качества излучения, позволяет значительно (пропорционально параметру М2) увеличить hmax. Если сравнить глубину отверстия по прототипу, когда генерация осуществляется в одномодовом режиме, то увеличение hmax по предлагаемому способу составляет 7-8 раз, а когда в прототипе генерация происходит в многомодовом режиме, увеличение hmax достигает 50 и более раз. При этом следует учитывать, что в предлагаемом способе пространственная яркость излучения на 3-4 порядка выше, что позволяет также соответственно повысить интенсивность излучения в зоне воздействия. В результате hmax возрастает в 104 раз и более. Причем интенсивность излучения по мере заглубления отверстия увеличивают путем повышения оптической плотности фототропного кристалла. Это дает возможность не только скомпенсировать потери интенсивности из-за расфокусировки излучения и снижение скорости выноса материала из канала, но и получать отверстия с hmax пропорциональной времени воздействия t. Причем в отличие от прототипа, где скорость заглубления отверстия снижается с ростом глубины лунки, предлагаемый способ обеспечивает постоянную скорость удаления материала, поскольку q= Ag0t2. Скорость выноса материала может быть получена дифференцированием уравнения (7) для прототипа ![]() и уравнения (8) для предлагаемого способа ![]() Анализ приведенных формул свидетельствует о том, что предлагаемый способ реализует режим обработки, аналогичный автоканалированию и дает возможность значительно уменьшить диаметр и увеличить глубину получаемых отверстий. Вследствие этого предлагаемый способ обеспечивает коэффициент формы в 2-3 раза больший, чем прототип. Конусность отверстий в первом приближении можно оценить, если предположить, что интенсивность излучения в зоне воздействия q(r) ![]() ![]() где rd – радиус отверстия на базовой длине hb, который определяется из условия, что граница отверстия образуется, когда q(r)=QB. Используя граничное условие и формулу (4), получим ![]() Откуда ![]() Из выражения (15) следует, что улучшение параметра качества М2 позволяет уменьшить значение rh, а повышение пространственной яркости дает возможность увеличить qmax. Таким образом, применение предлагаемого способа обуславливает снижение конусности получаемых отверстий в 3-5 раз по сравнению с прототипом. На чертеже приведена оптическая схема устройства, реализующего предлагаемый способ. Устройство содержит активные элементы 1, 2 из ИАГ:Nd, накачиваемые излучением газоразрядных ламп, пассивный лазерный затвор 3 на кристалле LiF:F2 –, поворотные зеркала 4-7, концевой отражатель 8-10 на основе интерферометра Саньяка, включающий делительное зеркало 8 и поворотные зеркала 9, 10. В кольце интерферометра размещена фазовая ( ![]() ![]() ![]() ![]() Формула изобретения
РИСУНКИ
MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Дата прекращения действия патента: 04.07.2003
Извещение опубликовано: 27.09.2004 БИ: 27/2004
|
||||||||||||||||||||||||||