Патент на изобретение №2188462

Published by on




РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ



ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА
ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ,
ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ
(19) RU (11) 2188462 (13) C1
(51) МПК 7
G09F9/313, H01J17/49, H01J5/22
(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ

Статус: по данным на 28.04.2011 – действует

(21), (22) Заявка: 2000130385/09, 05.12.2000

(24) Дата начала отсчета срока действия патента:

05.12.2000

(45) Опубликовано: 27.08.2002

(56) Список документов, цитированных в отчете о
поиске:
RU 2098881 С1, 10.12.1997. RU 2069410 С1, 20.11.1997. US 3701916 А, 31.10.1972. JP 3034177 В4, 21.05.1991.

Адрес для переписки:

390023, г.Рязань, ул. Циолковского, 24, Открытое акционерное общество “Научно-исследовательский институт газоразрядных приборов “Плазма”

(71) Заявитель(и):

Открытое акционерное общество “Научно-исследовательский институт газоразрядных приборов “Плазма”

(72) Автор(ы):

Ивлюшкин А.Н.,
Самородов В.Г.

(73) Патентообладатель(и):

Открытое акционерное общество “Научно-исследовательский институт газоразрядных приборов “Плазма”

(54) ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ИНДИКАТОРНАЯ ПАНЕЛЬ


(57) Реферат:

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании индикаторных устройств для отображения знакографической и видеоинформации. Высокая надежность герметизации ГИП обеспечивается за счет того, что в панели с сформированным по периметру уступом, в котором размещен внешний шов герметизации, ширина стороны уступа tуст, образованной верхней диэлектрической пластиной, имеющей размеры больше, чем размеры нижней диэлектрической пластины, выбрана согласно выражению tуст = (1,85) мм2/t, где t – толщина нижней диэлектрической пластины, мм. 1 ил.


Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании индикаторных устройств для отображения знакографической и видеоинформации.

Известна газоразрядная индикаторная панель (ГИП), содержащая две диэлектрические пластины, системы анодных и катодных электродов, выполненных из объемных проводников, ограниченные разделительными элементами ячейки индикации, образованные в перекрестьях электродов, шов герметизации, расположенный между диэлектрическими пластинами по периметру панели [патент Великобритании 1496392, Н 1 D, 1977 г.].

Недостатком панели является то, что шов герметизации имеет большую площадь, ограничивая тем самым поле индикации.

При использовании ГИП в наборных экранах нерабочие участки шва герметизации приводят к искажению информации в местах стыковки ГИП. Кроме того, к недостаткам данной ГИП относится низкая механическая прочность панели в месте расположения шва герметизации.

Известна ГИП, содержащая две диэлектрические пластины, анодные и катодные электроды, диэлектрическую матрицу с люминофором в ее отверстиях, внешний шов герметизации [патент США 3701916, 313-108, 1972 г.].

Недостатком данной ГИП является удаленность крайних ячеек от шва герметизации, в связи с чем невозможна стыковка панелей друг с другом для обеспечения отображения информации без потерь шага. В панели не обеспечена высокая механическая прочность в месте расположения шва герметизации.

Наиболее близкой к предлагаемому изобретению является ГИП, содержащая перекрещивающиеся системы электродов, образующих ячейки индикации, расположенные между двумя с одинаковым направлением продольных осей диэлектрическими пластинами – нижней и верхней, имеющей большую ширину и длину, причем диэлектрические пластины расположены одна над другой, образуя краевыми частями по периметру панели уступ, в котором расположен внешний шов герметизации [патент РФ 2098881, H 01 J 17/49, 1997 г. – прототип].

Недостатком данной конструкции является низкая надежность внешнего шва герметизации.

Задачей данного изобретения является создание ГИП с высокой надежностью внешнего шва герметизации.

Указанный технический эффект при осуществлении изобретения достигается тем, что в известной конструкции ГИП, содержащей перекрещивающиеся системы электродов, образующих ячейки индикации, расположенные между двумя с одинаковым направлением продольных осей диэлектрическими пластинами – нижней и верхней, имеющей большую ширину и длину, причем диэлектрические пластины расположены одна над другой, образуя краевыми частями по периметру панели уступ, в котором расположен внешний шов герметизации, ширина стороны уступа tуст, образованной верхней диэлектрической пластиной, выбрана согласно выражению tуст=(1,85)мм2/t, где t – толщина нижней диэлектрической пластины, мм.

При выполнении данного условия обеспечивается высокая герметичность ГИП с внешним швом, имеющим минимальную толщину.

Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентным и научно-техническим источникам информации, и выявление источников, содержащих сведения об аналогах заявленного изобретения, позволяет установить, что заявителем не обнаружен аналог, характеризующийся признаками, идентичными признакам заявленного изобретения, а определение из перечня выявленных аналогов прототипа, как наиболее близкого по совокупности признаков аналога, позволил выявить совокупность существенных по отношению к усматриваемому заявителем техническому результату отличительных признаков в заявленном объекте, изложенных в формуле изобретения.

Следовательно, заявленное изобретение соответствует требованию “новизна”.

Для проверки соответствия заявленного изобретения требованию изобретательского уровня был проведен дополнительный поиск известных решений с целью выявления признаков, совпадающих с отличительными от прототипа признаками заявленного изобретения, результаты которого показывают, что заявленное изобретение не следует для специалиста явным образом из известного уровня техники, так как не выявлены технические решения, в которых надежность ГИП с внешним швом герметизации достигалась бы за счет оптимального соотношения размеров сторон уступа, образованного расположенными одна над другой диэлектрическими пластинами, верхняя из которых имеет большую длину и ширину.

Таким образом, заявленное изобретение соответствует требованию “изобретательский уровень”.

Изобретение поясняется чертежом, на котором представлен один из вариантов ГИП.

ГИП содержит верхнюю диэлектрическую пластину 1 и нижнюю диэлектрическую пластину 2 с толщиной t, ортогональные системы катодов 3 и анодов 4, образующих ячейки индикации 5, ограниченные диэлектрическими барьерами 6, внешний шов герметизации 7, размещенный в уступе, образованном по периметру панели при наложении на нижнюю диэлектрическую пластину верхней диэлектрической пластины, длина и ширина которой больше, чем у нижней пластины.

Панель работает следующим образом.

При подаче импульсов напряжения на соответствующие аноды 4 и катоды 3 в ячейках индикации возникает газовый разряд, отображающий информацию. Для получения свечения ячейки индикации с различной яркостью вводится широтно-импульсная модуляция.

Для обеспечения надежной герметизации ГИП толщина нижней диэлектрической пластины t и ширина стороны уступа tуст, образованной верхней диэлектрической пластиной, определяется согласно выражению tуст= (1,85) мм2/t.

Если tуст будет меньше 1,8/t, то ГИП будет натекать через шов герметизации.

Если tуст будет больше 5/t, то в этом случае надежность внешнего шва герметизации также будет снижаться, т. к. из-за большой массы герметизирующего материала он будет при герметизации “стекать” с торца меньшей диэлектрической пластины и, как следствие, приведет к негерметичности ГИП.

Пример конкретного выполнения.

ГИП содержит верхнюю диэлектрическую пластину размером 486х486х5 мм и нижнюю диэлектрическую пластину размером 484х484х5 мм. Ячейки индикации, образованные в перекрестьях анодов и катодов, выполненных из проволоки 47 НД, ограничены диэлектрическими барьерами, сформированными на нижней диэлектрической пластине. Высота и ширина барьеров, соответственно, равны 0,24 мм и 0,4 мм. В промежутках между барьерами на внутренней поверхности нижней диэлектрической пластины нанесен люминофор ФГИ – 520 -1 толщиной 0,07 мм и площадью 2,6х2,6 мм2. Шов герметизации расположен в уступе, сформированном по периметру панели за счет разности ширины и длины верхней и нижней диэлектрических пластин. Величина tуст = 1 мм соответствует соотношению (1,85)/5 = (0,361) мм.

ГИП наполнена Ne+30%Хе при давлении 95 мм рт.ст.

Панель надежно работает в течение двух лет эксплуатации. За этот период герметизация ГИП не нарушена. Наработка составляет более 10 000 ч.

Таким образом, предложенное изобретение позволяет создать ГИП с надежным внешним швом герметизации.

Формула изобретения


Газоразрядная индикаторная панель, содержащая перекрещивающиеся системы электродов, образующих ячейки индикации, расположенные между двумя с одинаковым направлением продольных осей диэлектрическими пластинами – нижней и верхней, имеющей большую ширину и длину, причем диэлектрические пластины расположены одна над другой, образуя краевыми частями по периметру панели уступ, в котором расположен внешний шов герметизации, отличающаяся тем, что ширина стороны уступа tуст, образованной верхней диэлектрической пластиной, выбрана согласно выражению tуст = (1,85) мм2/t,
где t – толщина нижней диэлектрической пластины, мм.

РИСУНКИ

Рисунок 1

Categories: BD_2188000-2188999