Патент на изобретение №2186439

Published by on

РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ

ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА
ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ,
ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ

(19)

(11)

2186439

(13)

(51) МПК ⁷
_H01L35/18

(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ

Статус: по данным на 28.04.2011 – прекратил действие

(21), (22) Заявка: 2000122366/28, 24.08.2000

(24) Дата начала отсчета срока действия патента:

24.08.2000

(45) Опубликовано: 27.07.2002

(56) Список документов, цитированных в отчете о
поиске:
RU 2130216 С1, 10.05.1999. US 3969149, 13.07.1976. ЕР 0034538 А2, 26.08.1981.

Адрес для переписки:

397160, Воронежская обл., г.Борисоглебск, Северный мкр., 32-а, кв.52, Ю.А.Никольскому

(71) Заявитель(и):

Никольский Юрий Анатольевич

(72) Автор(ы):

Никольский Ю.А.

(73) Патентообладатель(и):

Никольский Юрий Анатольевич

(54) ТЕРМОЭЛЕКТРОГЕНЕРАТОР

(57) Реферат:

Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике для получения термоЭДС. Сущность: Термоэлектрогенератор изготовлен на основе гетероструктуры n-InSb-SiO₂-р-Si в виде подложки из окисленного кремния с перекристаллизованной пленкой n-InSb. За счет дислокаций несоответствия и значительной разности работ выхода контактирующих материалов возникает удельная термоЭДС ~40-50 мВ/К в диапазоне температур 77-300 К.

Изобретение относится к области устройств, используемых в электронной технике для получения термоЭДС. Имеющиеся термоэлектрогенераторы на основе тонкопленочных структур n-InSb дают значение удельной термоЭДС ~800 мкВ/К [1].

Сущность изобретения
Термоэлектрогенератор на основе гетероструктуры n-InSb-SiO₂-p-Si, полученной путем напыления поликристаллической пленки n-InSb на подложку из окисленного кремния при температуре около 300^oС с последующей термической перекристаллизацией пленки n-InSb, позволяет получать значения удельной термоЭДС 40-50 мВ/К как в области температуры жидкого азота, так и при комнатной температуре за счет барьерной термоЭДС, обусловленной дислокациями несоответствия и значительной разностью работ выхода контактирующих материалов.

Сведения, подтверждающие возможность изобретения
Гетероструктуру n-InSb-SiO₂-p-Si приготавливают путем напыления дискретным испарением в вакууме на подложку из окисленного кремния поликристаллической пленки n-InSb при температуре около 300^oС с последующей термической перекристаллизацией. К p-Si и перекристаллизованной пленке n-InSb эвтектическим сплавом In-Sn припаивают тонкие медные проволочки для измерения ЭДС при создании разности температур на гетероструктуре. При разности температур около 10 К значения ЭДС достигают 0,4-0,5 В, что соответствует удельной термоЭДС ~40-50 мВ/К.

Источник изобретения
1. Патент SU 2130216, опубл. 10.05.1999, Бюл. 13.

Формула изобретения

Термоэлектрогенератор, содержащий гетероструктуру n-InSb-SiO₂-р-Si, отличающийся тем, что гетероструктура приготовлена путем напыления дискретным испарением в вакууме на подложку из окисленного кремния поликристаллической пленки n-In-Sb при температуре около 300^oС с последующей термической перекристаллизацией.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 25.08.2002

Номер и год публикации бюллетеня: 16-2004

Извещение опубликовано: 10.06.2004