Патент на изобретение №2173738
|
||||||||||||||||||||||||||
(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МУЛЬТИ- И МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
(57) Реферат: Изобретение относится к химической технологии. Сущность изобретения: процесс ведут в три стадии. На первой стадии в закрытом реакторе кварц, содержащий порядка 1 ![]() ![]() Изобретение относится к области химической технологии. Разработан способ получения мульти- и монокристаллического кремния высокой чистоты для использования в производстве солнечных батарей. Для производства поликристаллического кремния (ПКК) электронного качества в мировой практике применяется хлоридный метод, при этом порошок технического кремния подвергается гидрохлорированию с образованием газообразных хлорсодержащих соединений кремния (хлорсиланы). После очистки и разделения газов, покидающих реактор, где происходит гидрохлорирование кремния, выделяют особо чистый трихлорсилан, который подвергается водородному восстановлению, в результате получают ПКК с содержанием суммы примесей меньше, чем 10-4 вес. %. Полученный поликристаллический кремний (ПКК) идет на изготовление моно- и мультикристаллических слитков для использования их в полупроводниковом производстве. Способ описан в книге “Технология полупроводникового кремния” под редакцией Э.С. Фалькевича. М.: Металлургия, 1992 г. Реализация хлоридного способа связана со сложной и дорогостоящей аппаратурой, технология сложна и многозвенна. Использование хлора требует соблюдения особых условий для обеспечения безопасности окружающей среды. Наиболее близким по своей сущности к данному изобретению является техническое решение, изложенное в статье А.А. Бахтина, Л.В. Черняховского, Л.П. Кищенко, П. С. Меньшикова “Влияние качества сырьевых материалов на производство кремния высокой чистоты”, ж. Цветные металлы, N 1, 1992 г., стр. 29-32. Для получения кремния, пригодного в технологии изготовления солнечных батарей, использовался метод карботермического восстановления высокочистого кварца с содержанием В и Ti менее 1 ![]() ![]() – большие потери кремния в технологическом процессе (до 30%) в виде пыли и монооксида кремния; – жесткие требования к качеству электродов самой печи; – качество получаемого кремния (по содержанию примесей) для изготовления солнечных батарей недостаточно высокое; – жидкий кремний из электродуговой печи разливается на чушки, которые затем повторно расплавляются для производства мульти- и монокристаллических слитков кремния; – сохраняются экологические проблемы, обусловленные необходимостью очистки высокотемпературных газов на выходе из электродуговой печи от пыли и газов. Технической задачей настоящего изобретения является получение высокочистого кремния непрерывным экологически безопасным способом с низкими потерями металла. Поставленная задача решается тем, что мульти- и монокристаллический кремний высокой чистоты получают восстановлением кварца до элементарного кремния с последующей его кристаллизацией. Процесс ведут в три стадии, при этом на первой стадии кварц восстанавливают химически очищенным техническим кремнием до монооксида; на второй стадии газообразный монооксид восстанавливают мелкодисперсным углеродом до элементарного кремния высокой чистоты, а на третьей стадии полученный в реакторе второй стадии жидкий кремний подвергают направленной кристаллизации с получением мульти- или монокристаллических слитков. В качестве восстановителя монооксида кремния на второй стадии используют мелкодисперсный углерод (сажа), вводимой в процесс в потоке монооксида углерода, отходящие газы после 2-ой стадии разделяют на два потока, один из которых используют для получения сажи, подаваемой на восстановление SiOг второй поток газов после очистки используют в качестве плазмообразующего и транспортирующего газа в реакторе 2-ой стадии. Отходы кремния после третьей стадии возвращаются на первую стадию в качестве восстановителя. Пыль, уловленная из отходящих газов 2-ой стадии, возвращается на первую стадию в качестве исходного сырья. Технологическая схема производства мульти- и монокристаллического кремния из высокочистого кварца представлена на чертеже. Каждая из технологических стадий осуществляется в отдельном агрегате. На первой стадии в закрытом реакторе высокочистый кварц с общим содержанием примесей порядка 1 ![]() Siж + SiO2ж —> 2SiOг. (1) В качестве восстановителя применяют химически очищенный технический кремний и отходы производства мульти- и монокристаллического кремния, в том числе собственные отходы, полученные при обрезке мульти- и монокристаллических слитков. Содержание примесей в восстановителе не более 1 ![]() SiOг + Cгв = Siж + COг. (2) Источником тепловой энергии, необходимой для протекания реакции, служит плазма или электрический нагрев. Кремний выводится из зоны реакции в виде капель и за счет конденсаций его на поверхности расплава в кварцевом тигле. При этом температура жидкого кремния в тигле поддерживается на уровне 1500oC. Газы, покидающие реактор, состоят в основном из монооксида углерода. В них присутствует некоторое количество углекислого газа и мелкодисперсная пыль, состоящая из продуктов распада и закалки недовосстановленного монооксида кремния, в основном это диоксид кремния. Отходящие газы очищают от твердых частиц в системе пылеулавливания, после чего поток разделяется на две составляющие. Одна проходит через слой графита, нагретого до температуры 1250-1300oC, где происходит превращение углекислого газа в окись углерода. Далее газ поступает в холодильник, затем компремируется и подается в реактор второй стадии. Другая часть газового потока направляется на установку каталитического разложения CO, где образуется углекислый газ и сажистый углерод, используемый в качестве восстановителя. Углекислый газ, в свою очередь, перерабатывают по плазмохимической технологии с получением сажистого углерода и кислорода. Полученный сажистый углерод транспортируется потоком монооксида углерода в реактор, где происходит восстановление SiOг. Таким образом осуществляется замкнутый цикл по углероду. Третья стадия технологической цепочки заключается в направленной кристаллизации полученного кремния высокой чистоты. С этой целью устанавливают несколько параллельных печных агрегатов для производства моно- или мультикристаллических слитков кремния. Из ванны реактора второй стадии жидкий кремний перекачивают в эти агрегаты электромагнитным насосом. Наличие нескольких печных установок позволяет организовать непрерывный процесс получения слитков кремния, чередуя кристаллизацию и разгрузку. Чистота полученного кремния в обработанных слитках будет не ниже 99,9995%. Отходы кремния, полученные при обрезке мульти- и монокристаллических слитков, дробятся и возвращаются в реактор первой стадии в качестве восстановителя кварца. Пример выполнения способа Технология получения кремния высокой чистоты проверялась на опытной установке, состоявшей из трех основных аппаратов и установки синтеза и очистки CO. Как уже отмечалось выше, первый реактор предназначен для синтеза монооксида кремния (реакция 1) при температуре 1850-1900oC; во втором реакторе осуществлялось восстановление газообразного SiO до элементарного кремния сажистым углеродом в потоке CO при температуре порядка 2000oC. Третий агрегат предназначался для кристаллизации жидкого кремния, перекачиваемого из реактора 2 при температуре 1500oC. Установка имела в своем составе вспомогательные системы: подача и откачка инертного газа (аргон), вакуумные насосы, холодильники, фильтры, системы КИПиА и т.д. Дробленые отходы ПКК чистотой 99,999% были загружены в тигель 1-го реактора в количестве 10 кг. Все аппараты установки были промыты аргоном и вакуумированы до остаточного давления 10-3 – 10-4 мм рт.ст. В питатель 1-го реактора загружен кварц чистотой 99,995%, состав примесей был определен методом ЛЕСА. Масса загрузки составила 10,71 1 кг, крупность зерен материала 70-80 мкм. Все аппараты были разогреты до рабочих температур, расплав перемешивался электромагнитным способом. В результате проведенного эксперимента был получен кремний чистотой 99,998 вес.% с извлечением кремния 94,7%. Сопоставление технологии, являющейся предметом данного изобретения, с прототипом показывает следующие преимущества: – разработанный способ позволяет получить чистоту кремния в обработанных слитках на уровне 99,9995%, более высокую по сравнению с прототипом и увеличить выход кремния с 67 – 71% до 95%; – получение кремния высокой чистоты достигается в основном за счет образования промежуточного газообразного соединения – особо чистого монооксида кремния, а не только за счет повышения чистоты исходных материалов; – исходный кварц восстанавливается кремнием до газообразного монооксида при температурах более низких, чем в электродуговой печи, поэтому примеси не переходят в газовую фазу; – резко снижены потери кремния за счет ликвидации уноса монооксида и возврата пыли и отходов кремния со второй и третьей стадий; – в технологии для восстановления монооксида кремния используется высокочистый мелкодисперсный углерод (сажа), что обеспечивает получение элементарного кремния высокой чистоты; – в едином технологическом цикле из исходного сырья (кварца) получают готовые к использованию в производстве солнечных батарей слитки мульти- и монокристаллического кремния; – отсутствуют выбросы токсичных и пожаровзрывоопасных газов; процесс ведется в герметичной аппаратуре с замкнутым оборотом газообразных и твердых продуктов, что гарантирует экологическую безопасность способа. Формула изобретения
РИСУНКИ
MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Дата прекращения действия патента: 24.12.2001
Номер и год публикации бюллетеня: 18-2003
Извещение опубликовано: 27.06.2003
|
||||||||||||||||||||||||||