| Название инновационного проекта: |
Разработка технологии и освоение производства эпитаксиальных гетероструктур Ø50 мм методом жидкофазной эпитаксии для излучающих диодов ИК области спектра |
| Область применения: | Cистемы связи по оптическому каналу, изделия медицинской техники, автомобилестроение, системы безопасности и контроля доступа и т.п. |
| Аннотация: | Разработка и организация производства параметрического ряда эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюминия излучателей ближнего ИК-диапазона для систем связи по оптическому каналу, изделий медицинской техники, автомобилестроения, систем безопасности и контроля доступа и т.п.Многопроходные эпитаксиальные гетероструктуры AlGaAs/GaAs Ø50 мм, полученные методом жидкофазной эпитаксии. Диапазон излучающего спектра – 660 – 920 нм |
| Объект интеллектуальной собственности: | изобретение |
| Стадия освоения разработки: | Организовано опытное производство. |
| Формы сотрудничества: | Потребление материала. |
| Название предприятия: | “Калужский центр научно-технической информации” |
| Статус: | юридическое лицо |
| Адрес: | 103074, Москва, пл. Славянская, 4, корпус 2 |
| Телефон: | +7 (4842) 57-80-11 |
| Факс: | +7 (4842) 57-80-11 |
| E-mail: | iKolesnikova@cnti.qkaluga.ru |
| Адрес Web: | www.cnti.kaluga.ru |
| Регион: | Москва, Центральный округ |
№739 Разработка технологии и освоение производства эпитаксиальных гетероструктур Ø50 мм методом жидкофазной эпитаксии для излучающих диодов ИК области спектра
Categories: IN_3