Патент на изобретение №2395799
|
||||||||||||||||||||||||||
(54) ГАЗОАНАЛИЗАТОР УГАРНОГО ГАЗА
(57) Реферат:
Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам для регистрации и измерения содержания оксида углерода. Датчик содержит полупроводниковое основание и подложку. Полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки теллурида цинка, легированного антимонидом галлия. Подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика и технологичности его изготовления. 3 ил.
Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей оксида углерода и других газов. Изобретение может быть использовано в экологии. Известен датчик (детектор) по теплопроводности, действие которого основано на различии теплопроводности паров вещества и газа-носителя (Вяхирев Д.А., Шушукова А.Ф. Руководство по газовой хроматографии. М.: Высш. школа, 1987. – 287 с.). Однако такой датчик (детектор) чувствителен только к веществам с теплопроводностью, близкой к теплопроводности газа-носителя. Известен также полупроводниковый газовый датчик на основе оксида индия (In2O3 Недостатком данного устройства является его недостаточная чувствительность для контроля содержания оксида углерода, высокая рабочая температура – (300°C) и трудоемкость его изготовления. Ближайшим техническим решением к изобретению является газовый датчик, состоящий из непроводящей подложки и поликристаллической пленки антимонида индия, легированного селенидом цинка, с нанесенными на ее поверхность металлическими электродами (Патент РФ Недостатком известного устройства является его недостаточная чувствительность при контроле микропримесей оксида углерода. Задачей изобретения является повышение чувствительности и технологичности изготовления датчика. Поставленная задача решена за счет того, что в известном газовом датчике, содержащем полупроводниковое основание и подложку, согласно изобретению полупроводниковое основание выполнено в виде поликристаллической пленки теллурида цинка, легированного антимонидом галлия, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Сущность изобретения поясняется чертежами, где представлены на фиг.1 – конструкция заявляемого датчика, на фиг.2 – кривая зависимости величины адсорбции аммиака от температуры, на фиг.3 – градуировочная кривая зависимости изменения электропроводности ( Датчик состоит из полупроводникового основания 1, выполненного в виде поликристаллической пленки теллурида цинка, легированного антимонидом галлия, нанесенной на электродную площадку 2 пьезокварцевого резонатора 3 (фиг.1). Принцип работы такого датчика основан на адсорбционно-десорбционных процессах, протекающих на полупроводниковой пленке, нанесенной на электродную площадку пьезокварцевого резонатора, и вызывающих изменение его электропроводности. Работа датчика осуществляется следующим образом. Датчик помещают в находящуюся при комнатной температуре камеру (ею может быть обычная стеклянная трубка), через которую пропускают (или в которой выдерживают) анализируемый на содержание CO газ. При контакте пропускаемого газа с поверхностью полупроводниковой пленки ZnTe (GaSb) происходит избирательная адсорбция молекул CO и изменение электропроводности пленки. По величине изменения электропроводности с помощью градуировочных кривых можно определить содержание аммиака в исследуемой среде. Из анализа приведенной на фиг.3 типичной градуировочной кривой, полученной с помощью заявляемого датчика и выражающей зависимость изменения электропроводности от содержания угарного газа (PCO) следует: заявляемый датчик позволяет определять содержание угарного газа с чувствительностью, в несколько раз превышающей чувствительность известных датчиков. Кроме того, существенно упрощается технология изготовления датчика, так как отпадает необходимость в нанесении электродов. Малые габариты устройства (рабочий объем менее 0,2 см3) в сочетании с малой массой пленки-адсорбента позволяют снизить постоянную датчика по времени до 10-20 мс. Конструкция заявляемого датчика позволяет также улучшить и другие характеристики: быстродействие, регенерируемость, способность работать не только в статическом, но и динамическом режиме.
Формула изобретения
Датчик угарного газа, содержащий полупроводниковое основание и подложку, отличающийся тем, что полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки теллурида цинка, легированного антимонидом галлия, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора.
РИСУНКИ
|
||||||||||||||||||||||||||
2206083. М.Кл.7 G01 N27/12).
) полупроводниковой пленки в процессе адсорбции при температуре 60°C от начального давления CO (PCO). Последняя наглядно демонстрирует его чувствительность.
