Патент на изобретение №2168239

Published by on




РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ



ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА
ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ,
ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ
(19) RU (11) 2168239 (13) C2
(51) МПК 7
H01L21/66
(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ

Статус: по данным на 27.05.2011 – прекратил действие

(21), (22) Заявка: 99117628/28, 11.08.1999

(24) Дата начала отсчета срока действия патента:

11.08.1999

(45) Опубликовано: 27.05.2001

(56) Список документов, цитированных в отчете о
поиске:
Артемов А.Д. и др. Вопросы атомной науки и техники. Сер.Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 1989, вып.4, с.50 – 56. Tokuda Y., Usami A. Comparisons of neutron and 2-MeV proton in n-type silicon by deep level transient spectroscopy/IEEE Trans. Nucl. Sci – 1981-vol.NS-28, N3, p.3568. McKenzie J.M., Witt L.J. Conversion of neutron spectra to thein 14 MeV equvalences/IEEE Trans.Nucl. Sci-1972-vol. NS-19, N6, p.194-199. US 5804459 A, 08.09.1998. RU 2009574 C1, 15.03.1994.

(71) Заявитель(и):

Вовк Оксана Валерьевна

(72) Автор(ы):

Вовк О.В.,
Зинченко В.Ф.

(73) Патентообладатель(и):

Вовк Оксана Валерьевна

(54) СПОСОБ ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ


(57) Реферат:

Изобретение относится к области радиационных испытаний полупроводниковых приборов. Способ заключается в облучении фотоприемников импульсным гамма-нейтронным реакторным излучением и измерении фотоэлектрических параметров до и после облучения, по изменению которых определяется радиационная стойкость фотоприемников. Стойкость к протонному и электронному излучениям определяется по результатам испытаний на стойкость к импульсному гамма-нейтронному излучению реактора с определенными коэффициентами пересчета потоков реакторных нейтронов к потокам протонов и к потокам электронов в зависимости от энергий реакторных нейтронов, протонов и электронов. Техническим результатом является возможность сократить объем испытаний и низкая стоимость испытаний.


Изобретение относится к способам испытаний полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию электронного и протонного излучений различных энергии по результатам испытаний на стойкость к импульсному реакторному гамма-нейтронному излучению с использованием коэффициентов пересчета, в частности фотодиодов, применяемых в системах управления и ориентации.

Известен способ определения стойкости полупроводниковых приборов к электронному или протонному излучениям, заключающийся в облучении приборов электронным или протонным пучком на линейном ускорителе или циклотроне и измерении параметров до и после облучения [Заитов Ф.А., Литвинова Н.М., Савицкая В.Г., Средин В.Г. Радиационная стойкость в оптоэлектронике. – М.: Воениздат, 1987, с. 27].

Недостатком указанного способа является высокая стоимость подобных испытаний и недоступность установок, создающих протоны (электроны) некоторых энергий, находящихся в других странах из-за распада бывшего СССР.

Установлено в процессе испытаний кремния на стойкость к воздействию нейтронов реактора, протонов и электронов, что при всех видах облучения в кремнии n-типа создается уровень c-0,18 эВ, а в кремнии p-типа – уровень Ev

Недостатком данного способа является отсутствие однозначно определенных коэффициентов пересчета эффективности воздействия нейтронного излучения относительно протонного и электронного.

Наиболее близким по технической сущности и принятым за прототип является экспериментально разработанный способ прогнозирования интенсивности сбоев БИС в полях протонного и нейтронного излучений. Коэффициенты пересчета эффективности воздействия излучений по эффекту сбоев для кремниевых БИС после облучения протонами составляют 1, реакторными нейтронами – 300-700, нейтронами с энергией 14 МэВ – 1-2 [Артемов А.Д., Данилин Ю.И., Курышов А.В., Соболев С.А., Фролов А.С. Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру -1989 – Вып. 4, с. 50-56].

Недостатком данного способа является отсутствие данных о применимости выведенных коэффициентов пересчета для фотодиодных структур, в которых существенное влияние на параметры приборов оказывают не только поверхностные эффекты, но и механизмы сбора носителей заряда. Кроме того, существенным недостатком данного способа является отсутствие информации о конкретных коэффициентах пересчета эффективности воздействия нейтронного излучения реактора и электронного излучения с энергией 4-5 МэВ, а также протонного излучения с энергиями 6 МэВ, 20-21 МэВ, 64 МэВ, т.к. установки, создающие частицы с такими энергиями, наиболее известны в России и аттестованы как исследовательские.

Целью изобретения является снижение стоимости и продолжительности испытаний на радиационную стойкость, а также повышение достоверности результатов испытаний.

Указанная цель достигается тем, что при испытаниях на радиационную стойкость вместо облучения гамма-нейтронным излучением реактора, и протонами, и электронами, осуществляется только облучение гамма-нейтронным излучением реактора со средней энергией 1,0-3,0 МэВ и для определения стойкости к протонному излучению с энергией 6 МэВ используется коэффициент пересчета 9-20, к протонному излучению с энергией 20-21 МэВ – 2-10, к протонному излучению с энергией 64 МэВ – 1-5, к электронному излучению с энергией 4-5 МэВ – 0,1-1.

Таким образом, результаты исследований радиационной стойкости к воздействию гамма-нейтронного излучения реактора могут быть использованы для определения стойкости к протонному и электронному излучениям с применением соответствующих коэффициентов пересчета. Обычно заключение о стойкости приборов к воздействию проникающей радиации делают по результатам испытаний на стойкость к гамма-нейтронному, протонному и электронному излучениям. Поэтому данный метод, предполагающий только облучение гамма-нейтронным реакторным излучением, позволяет существенно снизить стоимость испытаний за счет уменьшения их объема. При этом следует учесть более низкую стоимость испытаний на нейтронных реакторах, чем ускорителях протонов и электронов, что позволяет повысить достоверность результатов испытаний.

Допустимые пределы коэффициентов пересчета определялись эмпирическим путем по результатам исследований, проведенных на фотоприемниках с различной структурой, изготовленных на различных материалах. В процессе этих исследований была установлена зависимость между коэффициентами пересчета эффективности воздействий друг относительно друга и механизмами сбора носителей в фотоприемнике. Конкретные оптимальные значения коэффициентов пересчета выбираются в зависимости от характеристик исходного полупроводникового материала и структуры p-n перехода.

Допустимые пределы энергий нейтронов, протонов и электронов определяются эмпирически и могут изменяться в указанных пределах в зависимости от настройки установки.

Предлагаемый способ был опробирован при испытаниях фотодиодов. Все приборы были разделены на несколько идентичных партий.

В качестве параметров-критериев годности фотодиодов выбраны:
IT – при Up = 3 В – темновой ток,
SI – интегральная чувствительность к источнику типа “A”
Все параметры замеряются перед началом работы и после каждого воздействия.

Для определения стойкости приборов:
– фотодиоды одной партии облучают гамма-нейтронным излучением реактора со средней энергией нейтронов 1,0-3,0 МэВ потоками уровня 51010 – 51413 у. е.

– аналогичную партию фотодиодов облучают протонами с энергией 6 МэВ потонами уровня 11010 – 91013 у.е.

– аналогичную партию фотодиодов облучают протонами с энергией 20-21 МэВ потоками уровня 11010 – 91013 у.е.

– аналогичную партию фотодиодов облучают протонами с энергией 64 МэВ потоками уровня 11010 – 91013 у.е.

– аналогичную партию кремниевых фотодиодов облучают электронами с энергией 4-5 МэВ потоками уровня 11010 – 11015 у.е.

Коэффициент пересчета эффективности воздействия гамма-нейтронного излучения и протонов, гамма-нейтронного излучения и электронов определяется как отношение потоков, вызывающих одинаковые изменения параметров-критериев.


где Фn реак – поток реакторных нейтронов,
Фр(е) – поток протонов (электронов).

Описываемый вновь вводимый способ испытаний возможно предложить благодаря одинаковому характеру изменения параметров-критериев при воздействии гамма-нейтронного излучения, протонного и электронного.

Коэффициент пересчета, определенный по (1.1) влияния импульсного гамма-нейтронного излучения со средней энергией 1,0-3,0 МэВ и протонного излучения с энергией 6 МэВ на параметры-критерии фотодиодов составляет – 9-20, импульсного гамма-нейтронного излучения со средней энергией нейтронов 1,0-3,0 эВ и протонного излучения с энергией 20-21 МэВ – 2-10, импульсного гамма-нейтронного излучения со средней энергией 1,0-3,0 МэВ и протонного излучения с энергией 64 МэВ – 1-5, импульсного гамма-нейтронного излучения со средней энергией 1,0-3,0 МэВ и электронного с энергией 4-5 МэВ – 0,1-1.

Таким образом, введение коэффициентов пересчета эффективности воздействия излучений друг относительно друга существенно сокращает объем испытаний, уменьшая время их проведения и стоимость, что очень важно как при проведении исследований, так и при проведении зачетных испытаний.

Формула изобретения


Способ испытаний фотоприемников на стойкость к воздействию проникающей радиации, включающий облучение фотоприемников импульсным гамма-нейтронным реакторным излучением со средней энергией нейтронов 1 – 3 МэВ и измерение фотоэлектрических параметров до и после облучения, по изменению которых определяется радиационная стойкость фотоприемников, отличающийся тем, что стойкость к протонному и электронному излучениям определяется по результатам испытаний на стойкость к импульсному гамма-нейтронному излучению реактора со средней энергией нейтронов 1 – 3 МэВ с коэффициентами пересчета потоков реакторных нейтронов со средней энергией нейтронов 1 – 3 МэВ к потокам протонов с энергией 64 МэВ – К = 1 – 5, к потокам протонов с энергией 20 -21 МэВ – К = 2 – 10, к потокам протонов с энергией 6 МэВ – К = 9 – 20, к потокам электронов с энергией 4 – 5 МэВ – К = 0,1 – 1.


MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 12.08.2001

Номер и год публикации бюллетеня: 11-2003

Извещение опубликовано: 20.04.2003


Categories: BD_2168000-2168999