Патент на изобретение №2388110

(54) СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ СКРЫТЫХ ДЕФЕКТОВ МАТРИЧНЫХ ИЛИ ЛИНЕЙНЫХ МОП МУЛЬТИПЛЕКСОРОВ

(57) Реферат:

Изобретение относится к области тестирования МОП мультиплексоров. Сущность изобретения: в способе обнаружения скрытых дефектов матричных или линейных МОП мультиплексоров на кремниевой пластине с годными МОП мультиплексорами вскрываются окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и подложке, наносят слой индия, формируют область индия, которая закорачивает все истоки МОП транзисторов на подложку, проводят контроль годных кристаллов с обнаружением скрытых дефектов. Изобретение обеспечивает упрощение технологии тестирования. 4 ил.

Изобретение относится к вопросам тестирования МОП мультиплексоров.

В настоящее время широко используется способ изготовления гибридных ПК МФПУ методом перевернутого монтажа фоточувствительных элементов с МОП мультиплексором при помощи индиевых столбиков. После стыковки часто обнаруживаются электрические дефекты МОП мультиплексора, не фиксируемые до стыковки. Например, электрическое короткое замыкание исток-стока входного МОП транзистора в ячейке считывания фотосигнала. Известно, что для выявления упомянутого выше дефекта используется введение дополнительных МОП транзисторов между истоками и подложкой в каждой ячейке, которые при открывании закорачивают все истоки [“Low-Bias CTIA Multiplexer for 1024 Element InGaAs Line Sensors”. Walter F. Kosonocky and etc. SPIE v.2226, p.152, 23.06.1994 г.].

Указанный метод обнаружения дефектов имеет следующий недостаток: введение дополнительных МОП транзисторов и управляющих шин к ним уменьшает полезную площадь в ячейке и снижает процент выхода годных.

Задачей изобретения является упрощение технологии тестирования кремниевых МОП мультиплексоров на предмет обнаружения электрических дефектов.

Технический результат достигается тем, что:

на металлизированные площадки истоков, вскрытые в окисле, наносят слой индия толщиной не менее толщины слоя окисла,

при помощи фотолитографической обработки формируют область индия, которая закорачивает все истоки МОП транзисторов на подложку;

контролируют функционирование мультиплексора и фиксируют наличие дефектов, в том числе и электрические закоротки исток-сток, которые не проявлялись при контроле функционирования без индия;

далее известными способами формируют индиевые столбики заданной высоты.

Последовательность технологической цепочки предлагаемого способа иллюстрируется на фиг.1-4, где:

1 – фрагмент кремниевой пластины с годным кристаллом МОП мультиплексора;

2 – слой защитного окисла;

3 – контактные окна к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов;

4 – контактное окно к подложке;

5 – слой индия;

6 – область индия, сформированная фотолитографической обработкой, для закорачивания всех истоков МОП транзисторов мультиплексора на подложку;

7 – контактные площадки для контроля функционирования МОП мультиплексора;

8 – индиевые столбики.

Способ обнаружения скрытых дефектов МОП мультиплексоров осуществляется в следующей последовательности:

– на кремниевой пластине с годными МОП мультиплексорами вскрывают окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и подложке (фиг.1);

– напыляют слой индия толщиной не менее толщины слоя окисла (фиг.2);

– проводят фотолитографическую обработку по слою индия для получения области индия, которая закорачивает все истоки МОП транзисторов на подложку (фиг.3);

– проводится контроль функционирования годных МОП мультиплексоров с выявлением скрытых дефектов – закороток исток-сток;

– осуществляется травление индия для формирования столбиков (фиг.4). Предлагаемый способ обнаружения дефектов гармонично вписывается в технологию изготовления МОП мультиплексоров. Для получения индиевых столбиков необходимой высоты используются известные способы.

Изготовлены экспериментальные образцы кремниевых МОП мультиплексоров с проведением тестирования на предмет обнаружения скрытых дефектов методом закорачивания истоков МОП транзисторов на подложку слоем индия.

Формула изобретения

Способ обнаружения скрытых дефектов матричных или линейных МОП мультиплексоров, заключающийся в том, что на кремниевой пластине с годными МОП мультиплексорами вскрываются окна в защитном слое окисла к металлизированным площадкам истоков МОП транзисторов и подложке, наносится слой индия, формируют область индия, которая закорачивает все истоки МОП транзисторов на подложку, проводят контроль годных кристаллов с обнаружением скрытых дефектов.

РИСУНКИ