Патент на изобретение №2372689
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА
(57) Реферат:
Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения – повышение адгезии в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных структур. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем последовательное формирование активных областей полупроводникового прибора, диоксида кремния и нанесения алюминиевой пленки, сформированную полупроводниковую структуру обрабатывают фотонами с энергией 20-35 эВ с интенсивностью потока фотонов 1011-1012 см-2 c-1 с последующим термостабилизирующим отжимом при температуре 300-400°С в течение 30-50 с. 1 табл.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии формирования тонких пленок с повышенной адгезией. Известен способ повышения адгезии [Патент Известен способ повышения адгезии [Патент Недостатками этого способа являются: – образование дополнительных механических напряжений; – сложность технологического процесса; – повышенная плотность дефектов в структурах. Задача, решаемая изобретением: повышение адгезии в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных. Задача решается путем обработки полупроводниковой структуры после нанесения алюминиевой пленки на ней фотонами с энергией 20-35 эВ с интенсивностью потока фотонов 1011-1012 см-2 с-1 с последующим термостабилизирующим отжигом при температуре 300-400°С в течение 30-50 с. В процессе облучения фотонами повышение адгезии достигается в результате перестройки связи на поверхности раздела за счет протекания процессов ионизации. Технология способа состоит в следующем. В процессе производства полупроводниковых приборов после формирования активных областей полупроводникового прибора, пленки диоксида кремния и нанесения алюминиевой пленки полупроводниковую структуру обрабатывают фотонами с энергией 20-35 эВ с интенсивностью потока фотонов 1011-1012 см-2 с-1 с последующим термостабилизирующим отжигом при температуре 300-400°С в течение 30-50 с. В результате повышается адгезия алюминиевой пленки к пленке диоксида кремния. По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы структуры. Результаты обработки представлены в таблице 1.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 17,5%. Технический результат: повышение адгезии в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных структур. Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям. Предложенный способ повышения адгезии путем обработки структуры после формирования активных областей полупроводникового прибора, пленки диоксида кремния и нанесения алюминиевой пленки фотонами с энергией 20-35 эВ с интенсивностью потока фотонов 1011-1012 см-2 с-1 с последующим термостабилизирующим отжигом при температуре 300-400°С в течение 30-50 с, позволяет повысить процент выхода годных структур и улучшить их надежность.
Формула изобретения
Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий последовательное формирование активных областей полупроводникового прибора, диоксида кремния и нанесения алюминиевой пленки, отличающийся тем, что сформированную полупроводниковую структуру обрабатывают фотонами с энергией 20-35 эВ с интенсивностью потока фотонов 1011-1012 см-2 с-1, с последующим термостабилизирующим отжимом при температуре 300-400°С в течение 30-50 с.
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5391393 США, МКИ B05D 5/10] путем формирования ковалентных связей за счет использования герметизирующего слоя между полиимидом и подложкой. Полиимид, нанесенный на поверхность кристалла, обрабатывают при повышенной температуре в растворе гидроксиламина, а в зазор затем вводят герметик, после чего проводят отверждение для образования прочной адгезионной связи. При этом образуются многослойные структуры, которые ухудшают параметры пленок.