Патент на изобретение №2371809
|
||||||||||||||||||||||||||
(54) ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ИМЕЮЩИЙ КАНАЛ, СОДЕРЖАЩИЙ ОКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ В СЕБЯ ИНДИЙ И ЦИНК
(57) Реферат:
Изобретение относится к тонкопленочным транзисторам, использующим оксидный полупроводник. Сущность изобретения: в полевом транзисторе, содержащем канал, выполненный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет не меньше, чем 35 атомных %, и не больше, чем 55 атомных %. Когда в материал введен Ga, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 30 атомных % или меньше. Данный транзистор имеет улучшенную S-величину и дрейфовую подвижность. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 25 ил.
Текст описания приведен в факсимильном виде.
Формула изобретения
1. Полевой транзистор, содержащий канал, выполненный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, в котором атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет не меньше, чем 35 ат.%, и не больше чем 55 ат.%; причем Ga не вводят в упомянутый оксидный полупроводниковый материал или, в случае введения Ga, атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 30 ат.% или меньше. 2. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 15 ат.% или меньше. 3. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет 5 ат.% или меньше. 4. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Ga/(In+Zn+Ga), составляет не меньше чем 5 ат.% и не больше чем 15 ат.%. 5. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет 40 ат.% или больше. 6. Полевой транзистор по п.1, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде In/(In+Zn), составляет 50 ат.% или меньше. 7. Полевой транзистор, содержащий канал, сделанный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, где оксидный полупроводник имеет композицию в области, ограниченной Y, h, i и k, показанных в таблице 1. 8. Полевой транзистор, содержащий канал, выполненный из оксидного полупроводникового материала, включающего в себя In и Zn, где оксидный полупроводник имеет композицию в области, ограниченной a, f, i и k, показанных в таблице 1 относительно In, Zn и Ga, и дополнительно включает в себя добавляемое туда Sn: 9. Полевой транзистор по п.8, где атомное композиционное отношение, выражаемое в виде Sn/(Sn+In+Zn), составляет 0,1 ат.% или больше и 20 ат.% или меньше.
РИСУНКИ
|
||||||||||||||||||||||||||
364
