Патент на изобретение №2368981

Published by on




РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ



ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА
ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ,
ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ
(19) RU (11) 2368981 (13) C1
(51) МПК

H01L21/306 (2006.01)

(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ

Статус: по данным на 18.08.2010 – действует

(21), (22) Заявка: 2008129468/28, 17.07.2008

(24) Дата начала отсчета срока действия патента:

17.07.2008

(46) Опубликовано: 27.09.2009

(56) Список документов, цитированных в отчете о
поиске:
КУРНОСОВ А.И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. – М.: Высшая школа, 1980, с.327. SU 1719112 A1, 15.03.1992. RU 2243830 C1, 10.01.2005. RU 2044110 C1, 20.09.1995. JP 2000126706 A, 09.05.2000. JP 2007227501 A, 06.09.2007.

Адрес для переписки:

367015, Республика Дагестан, г.Махачкала, пр. имама Шамиля, 70, ДГТУ, отдел интеллектуальной собственности

(72) Автор(ы):

Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU),
Шахмаева Айшат Расуловна (RU),
Шангереева Бийке Алиевна (RU)

(73) Патентообладатель(и):

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ “ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ” (ДГТУ) (RU)

(54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ФТОРОПЛАСТОВЫХ ИЗДЕЛИЙ

(57) Реферат:

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам обработки фторопластовых изделий после технологических операций. Сущность изобретения: способ предусматривает обработку фторопластовых изделий после технологических операций для удаления различных загрязнений и резистивных слоев. Обработку проводят в две стадии, причем на первой стадии обработку проводят в растворе серной кислоты (H2SO4) и перекиси водорода

2О2) в соотношении 1:1 при температуре Т=140±5°С в течение 5 минут, а на второй стадии проводят отмывку в теплой деионизованной воде (Н2О) при температуре Т=65-70°С в течение 5 минут, далее отмывку ведут в двух ваннах с переливом на четыре стороны, с расходом воды 450±50 л/ч, время отмывки – по 5 минут в каждой из ванн, контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 5 штук. Техническим результатом изобретения является полное удаление загрязнений и резистивных слоев с фторопластовых изделий.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к способам обработки фторопластовых изделий после технологических операций.

Известны способы обработки, сущность которых состоит в удалении различных загрязнений и удаление резистивных слоев в: щавелевой кислоте, калие двухромовокислом и натрие двухромовокислом [1].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление загрязнений и резистивных слоев.

Целью изобретения является полное удаление загрязнений и резистивных слоев с фторопластовых изделий.

Поставленная цель достигается использованием раствора, в состав которого входят следующие основные компоненты: серная кислота (H2SO4), перекись водорода (H2O2) в соотношении 1:1 при температуре обработки – 140±5°С. Затем проводят отмывку во второй ванне с теплой деионизованной водой при температуре, равной 65÷70°С, в течение 5 минут. Далее отмывку ведут в двух ваннах с переливом на четыре стороны и расходом деионизованной воды 450±50 л/ч. Время отмывки – по 5 минут в каждой из ванн.

Сущность способа заключается в том, что с фторопластовых изделий полностью происходит удаление загрязнений и резистивных слоев в растворе, содержащем следующие компоненты: серная кислота (H2SO4) и перекись водорода (H2O2).

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что обработка в кислотах

(H2SO4) и перекиси водорода (H2O2) позволяет очистить фторопластовые изделия от различных загрязнений и резистивных слоев, внесенных технологическими процессами, так как состояние изделий влияет на качество последующих операций.

Раствор включает следующие соотношения компонентов

H2SO4: H2O2=1:1 при температуре Т=140±5°С.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 5 штук.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят в две стадии, причем на первой стадии обработку ведут в растворе серной кислоты (H2SO4) и перекиси водорода (H2O2) в соотношении 3:1 при температуре Т=100°С в течение 5 минут, а на второй стадии проводят отмывку в теплой деионизованной воде (H2O) при температуре Т=65-70°С в течение 5 минут, далее отмывку ведут в двух ваннах с переливом на четыре стороны и расходом деионизованной воды 450±50 л/ч, время отмывки – по 5 минут в каждой из ванн.

H2SO4:H2O2=3:1 при температуре Т=100±5°С.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 10 штук.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов

H2SO4:H2O2=2,5: 1 при температуре Т=110±5°С.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 8 штук.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов

H2SO4:H2O2=2:1 при температуре Т=120±5°С.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 7 штук.

ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов

H2SO4:H2O2=1:1 при температуре Т=130±5°С.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 6 штук.

ПРИМЕР 5. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов

H2SO4: H2O2=1:1 при температуре Т=140±5°С.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 5 штук.

Как следует из результатов опытов одним из самых эффективных растворов обработки фторопластовых изделий является раствор, состоящий из следующих компонентов: серная кислота (H2SO4), перекись водорода (H2O2) в следующих соотношениях

H2SO4:H2O2=1:1 при температуре Т=140±5°С.

Таким образом, обработку фторопластовых изделий от резистивного слоя и различных загрязнений после фотолитографии дает возможность подготовить фторопластовые изделия с определенной чистотой для дальнейших технологических операций.

ЛИТЕРАТУРА

1. А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. – М.: «Высшая школа», 1980, 327 с.

Формула изобретения

Способ обработки фторопластовых изделий, включающий обработку фторопластовых изделий после технологических операций для удаления различных загрязнений и резистивных слоев, отличающийся тем, что обработку проводят в две стадии, причем на первой стадии обработку проводят в растворе серной кислоты (H2SO4) и перекиси водорода (Н2O2) в соотношении 1:1 при температуре Т=140±5°С в течение 5 мин, а на второй стадии проводят отмывку в теплой деионизованной воде (Н2О) при температуре Т=65-70°С в течение 5 мин, далее отмывку ведут в двух ваннах с переливом на четыре стороны, с расходом воды 450±50 л/ч, время отмывки – по 5 мин в каждой из ванн, контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 5 штук.

Categories: BD_2368000-2368999