|
(21), (22) Заявка: 2008101626/09, 15.01.2008
(24) Дата начала отсчета срока действия патента:
15.01.2008
(46) Опубликовано: 10.03.2009
(56) Список документов, цитированных в отчете о поиске:
SU 1248470 A1, 09.07.1995. SU 1519446 A1, 20.09.1996. SU 1506388 A1, 07.09.1989. SU 56009 A1, 30.11.1939. RU 2175819 C1, 10.11.2001. US 49498458 A, 14.08.1990. GB 1149582 A, 23.04.1969.
Адрес для переписки:
607188, Нижегородская обл., г. Саров, пр. Мира, 37, ФГУП “РФЯЦ-ВНИИЭФ”, начальнику ОПИНТИ
|
(72) Автор(ы):
Пак Семен Владимирович (RU), Скобелев Александр Николаевич (RU), Иванов Виталий Александрович (RU), Дудай Павел Викторович (RU), Глыбин Алексей Михайлович (RU), Краев Андрей Иванович (RU)
(73) Патентообладатель(и):
Российская Федерация в лице Федерального агентства по атомной энергии (RU), Федеральное государственное унитаное предприятие “Российский федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики”-ФГУП “РФЯЦ-ВНИИЭФ” (RU)
|
(54) ВЗРЫВОМАГНИТНЫЙ ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСА НАПРЯЖЕНИЯ
(57) Реферат:
Взрывомагнитный формирователь импульса напряжения относится к области электротехники, в частности к формированию импульса напряжения с помощью переключателя, приводимого в действие взрывом. Изобретение может быть использовано в плазменной, рентгеновской и СВЧ-технике. Техническим результатом является повышение уровня выходного напряжения. Технический результат достигается за счет того, что в формирователе, содержащем разрушаемый проводник, по разные стороны от которого расположены диэлектрический струеформирователь с кумулятивными выемками на поверхности, обращенной к разрушаемому проводнику, и диэлектрический струегаситель, заряд взрывчатого вещества с системой инициирования, расположенные со стороны струеформирователя, импульсный источник питания и нагрузку, по меньшей мере, на одной поверхности разрушаемого проводника расположена прослойка из вязкого диэлектрика с удельным электрическим сопротивлением и c кинематической вязкостью , выбранными в соответствии с соотношениями 1012 Ом·м1013 Ом·м, 75·10-6 м2/с2000·10-6 м2/с. 1 ил.
Изобретение относится к области электротехники, в частности к формированию импульса напряжения с помощью переключателя, приводимого в действие взрывом. Взрывомагнитный формирователь импульса напряжения ВМФИН может быть использован в плазменной, рентгеновской и СВЧ-технике.
Известен ВМФИН, описанный в статье В.К.Чернышева и др. «Влияние разновременности детонационного фронта на коммутационные характеристики взрывного обострителя тока», ж. «Химическая физика», т.20, №-9, 2001 г., с.69-73. Устройство содержит спиральный взрывомагнитный генератор ВМГ и формирователь напряжения на основе разрыва контура с током с помощью заряда взрывчатого вещества ВВ. В этом ВМФИН разрыв контура осуществлялся за счет метания тонкой алюминиевой фольги на ребристую диэлектрическую преграду с помощью заряда ВВ в форме диска, инициируемого в центре. Недостатком этого устройства является относительно невысокий (150кВ) уровень достигнутой величины напряжения.
Этот недостаток был частично устранен в другой конструкции, описанной в работе V.K.Chernyshev “Current Magnetic Field Pressure Effect on Explosive Opening Switch Operation” (Megagauss-9. Proceeding of Ninth International Conference on Megagauss Magnetic Field Generation and Related Topics. Sarov, VNIIEF, 2004, p.310-313). В этом устройстве ВМФИН включает в себя спиральный ВМГ и формирователь напряжения на основе разрыва конечного контура ВМГ. Этот разрыв осуществляется за счет разрезания проводника диэлектрическими кумулятивными струями, сформированными с помощью использования струеформирователя и цилиндрического заряда ВВ. Недостатком этого ВМФИН является относительно невысокий уровень достигнутого импульса напряжения (200кВ).
Наиболее близким к заявляемому формирователю является устройство по авторскому свидетельству №1248470 «Взрывомагнитный формирователь импульса тока», авторов В.К.Чернышева и др., кл. МПК Н01Н 39/00, опубликовано в БИ №19, 1995 г. Взрывомагнитный формирователь импульса напряжения по прототипу содержит разрушаемый проводник, по разные стороны от которого расположены диэлектрический струеформирователь с кумулятивными выемками на поверхности, обращенной к разрушаемому проводнику, и диэлектрический струегаситель, заряд взрывчатого вещества с системой инициирования, расположенные со стороны струеформирователя, импульсный источник питания и нагрузку. В качестве источника питания использован спиральный ВМГ. В зависимости от того, где расположен струеформирователь, в конуре ВМГ или в контуре нагрузки, и куда направлены его струи, возможны четыре варианта выполнения данного устройства. Недостатком формирователя по прототипу также является относительно невысокий уровень достигнутого импульса напряжения (200 кВ). Это связано с ограничением величины сопротивления разрушаемого проводника при его разрезании диэлектрическими струями. Разрушаемый проводник неплотно прилегает к струегасителю, между ними остается воздушный зазор. За счет ударного воздействия от заряда ВВ воздух в зазоре ионизируется, возникает плазма, проводимость которой и ограничивает величину сопротивления проводника при его разрыве.
При создании данного изобретения решалась задача по созданию ВМФИН с такими уровнями напряжения, которые позволили бы использовать заявляемое устройство в современных установках мегавольтного уровня с передним фронтом импульса 1 мкс.
Техническим результатом при решении данной задачи является повышение уровня выходного напряжения.
Указанный технический результат достигается тем, что по сравнению с известным взрывомагнитным формирователем напряжения, который содержит разрушаемый проводник, по разные стороны от которого расположены диэлектрический струеформирователь с кумулятивными выемками на поверхности, обращенной к разрушаемому проводнику, и диэлектрический струегаситель, заряд взрывчатого вещества с системой инициирования, расположенные со стороны струеформирователя, импульсный источник питания и нагрузку, в заявляемом формирователе, по меньшей мере, на одной поверхности разрушаемого проводника расположена прослойка из вязкого диэлектрика, удельное сопротивление которого выбрано из соотношения 1012Ом·м 1013 Ом·м, обладающего кинематической вязкостью 75·10-6м2/c2000-6м2/c.
Материал прослойки из вязкого диэлектрика должен обладать хорошими электроизоляционными свойствами (пробивное напряжение не менее 20 МВ/м). Прослойка располагается, например, на поверхности разрушаемого проводника со стороны струегасителя. При расположении прослойки со стороны струеформирователя кумулятивные диэлектрические струи перед разрезанием разрушаемого проводника должны бы были разрезать и прослойку, что повышает требования к пробивному действию струй. Прослойка должна плотно прилегать к поверхности разрываемого проводника и к поверхности струегасителя. Наличие воздушных пузырьков в прослойке не допускается. Для предотвращения стекания участков прослойки с поверхностей разрушаемого проводника материал прослойки должен быть вязким. Кинематическая вязкость материала должна быть в пределах 75·10-6…2000·10-6 м2/с. Для обеспечения необходимой величины сопротивления при разрезании разрушаемого проводника кумулятивными струями материал прослойки должен обладать величиной объемного удельного сопротивления в пределах 1012…1013 Ом·м.
На чертеже изображен заявляемый взрывомагнитный формирователь импульса напряжения, где показано:
1 – разрушаемый проводник;
2 – диэлектрический струеформирователь;
3 – кумулятивные выемки;
4 – диэлектрический струегаситель;
5 – первый токопровод;
6 – второй токопровод;
7 – импульсный источник питания;
8 – нагрузка;
9 – заряд ВВ;
10 – система инициирования;
11 – прослойка из вязкого диэлектрика;
12 – накопительная индуктивность источника;
13 – разрядник.
Проведенные исследования показали, что толщина прослойки вязкого диэлектрика должна составлять 1…5 толщин разрушаемого проводника, а для обеспечения времени формирования импульса напряжения 1 мкс толщина разрушаемого проводника должна быть 0,01…0,1 мм.
В примере реализации заявляемого ВМФИН, опытный образец которого был изготовлен и испытан, разрушаемый проводник выполнен из алюминиевой фольги толщиной 0,02 мм, шириной 200 мм и длиной 700 мм.
Струеформирователь был выполнен из оргстекла, кумулятивные выемки в сечении имели треугольную форму с углом при вершине 20°, глубина кумулятивной выемки составляла 1,5 мм; шаг нарезки кумулятивных выемок был равен 1,5 мм. Струегаситель был выполнен из оргстекла.
В качестве материала прослойки из вязкого диэлектрика был выбран кремнеорганический вазелин, электротехнические параметры которого удовлетворяли всем вышеизложенным требованиям. Толщина прослойки из вазелина составляла 30 мкм. В качестве источника питания в ВМФИН был использован спиральный взрывомагнитный генератор (ВМГ) диаметром 80 мм. Источник питания 7 соединялся с разрушаемым проводником 1 и накопительной индуктивностью 12 с помощью первого токопровода 5 и второго токопровода 6. Накопительная индуктивность составила 5 мкГн. Заряд ВВ 9 был выполнен в форме цилиндра диаметром 400 мм и высотой 60 мм, задействие которого осуществлялось в центре по оси с помощью системы инициирования 10 (электродетонатор с подрывной установкой).
В качестве нагрузки было использовано сопротивление величиной 50 Ом.
Подключение нагрузки происходило через разрядник с расчетным пробивным напряжением 100 кВ. Результаты испытания показали, что в нагрузке был сформирован импульс напряжения амплитудой 600 кВ с фронтом нарастания 0,1 мкс. Величина тока в нагрузке составляла 30 кА.
Работает заявляемое устройство следующим образом.
Задействуется импульсный источник питания 7 (взрывомагнитный генератор), который обеспечивает ток в накопительной индуктивности 12 источника питания. Срабатывание системы инициирования 10 заряда ВВ 9 осуществляется таким образом, чтобы схлопывание кумулятивных выемок 3 в струеформирователе 2 под действием ударной волны от заряда 9 происходило в момент максимального значения тока в источнике питания. Накопительная индуктивность 12 введена для повышения надежности устройства. При формировании высоковольтного импульса возможен электрический пробой выхода источника питания между первым 5 и вторым 6 токопроводами, что может привести к уменьшению амплитуды формируемого импульса напряжения. При наличии накопительной индуктивности большая часть магнитного потока в конце работы импульсного источника питания (взрывомагнитного генератора) переходит в накопительную индуктивность и электрический пробой между токопроводами 5 и 6 не приводит к снижению амплитуды напряжения в нагрузке.
При схлопывании кумулятивных выемок 3 возникают диэлектрические кумулятивные струи, которые разрезают разрушаемый проводник 1 и внедряются в прослойку из вязкого диэлектрика 11 с высокими диэлектрическими свойствами, в которой нет воздушных включений, и поэтому под действием ударной волны не происходит образования воздушной плазмы с относительно хорошими проводящими свойствами (1…10 Ом-1 см-1). Для получения однородного разрезания разрушаемого проводника по всей его поверхности требуется высокая симметрия выхода детонационного фронта на поверхность струеформирователя (асимметрия выхода детонационной волны на цилиндрическую поверхность не должна превышать 0,1 мкс). Ухудшение симметрии детонационного фронта приводит к уменьшению выходных характеристик устройства. Многократное разрезание разрушаемого проводника приводит к разрыву электрического контура накопителя, возникает ЭДС самоиндукции, которая обеспечивает электрический пробой разрядника 13 и формирует в нагрузке импульс напряжения 600 кВ с фронтом нарастания 0,1 мкс.
Таким образом, по сравнению с прототипом в заявляемом ВМФИН удалось повысить уровень выходного напряжения до 600 кВ.
Формула изобретения
Взрывомагнитный формирователь импульса напряжения, содержащий разрушаемый проводник, по разные стороны от которого расположены диэлектрический струеформирователь с кумулятивными выемками на поверхности, обращенной к разрушаемому проводнику, и диэлектрический струегаситель, заряд взрывчатого вещества с системой инициирования, расположенные со стороны струеформирователя, импульсный источник питания и нагрузку, отличающийся тем, что, по меньшей мере, на одной поверхности разрушаемого проводника расположена прослойка из вязкого диэлектрика с удельным электрическим сопротивлением и с кинематической вязкостью , выбранными в соответствии с соотношениями:
1012Ом·м1013Ом·м
75·10-6 м2/с2000 10-6м2/c.
РИСУНКИ
|
|