Патент на изобретение №2342769
|
||||||||||||||||||||||||||
(54) УСТРОЙСТВО МОДУЛЯЦИИ АМПЛИТУДЫ И ФАЗЫ РАДИОЧАСТОТНЫХ СИГНАЛОВ
(57) Реферат:
Изобретение относится к радиосвязи и может быть использовано для формирования требуемых амплитудно-частотных и фазочастотных фазоманипулированных, амплитудно-манипулированных, а также амплитудно-фазо-манипулированных сигналов в заданной полосе частот и преобразования частоты. Достигаемый технический результат – обеспечение манипуляции амплитуды и фазы проходного сигнала в двух состояниях двухполюсного управляемого элемента в широкой полосе частот. Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов содержит источник радиочастотных сигналов, двухполюсный управляемый элемент, четырехполюсник, выполненный из резистивных двухполюсников, нагрузку для проходных модулированных по амплитуде и фазе радиочастотных сигналов с комплексным сопротивлением, при этом значения параметров резистивных элементов выбраны из условия обеспечения требуемой фазы коэффициента передачи в первом состоянии и из условия достижения значения модуля коэффициента передачи в первом состоянии двухполюсного управляемого элемента, условия обеспечения отношения модулей и разностей фаз коэффициента передачи в двух состояниях двухполюсного управляемого элемента, определяемых двумя крайними значениями низкочастотного управляющего сигнала, выбраны по указанным математическим выражениям. 4 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к радиосвязи и может быть использовано для формирования требуемых АЧХ и ФЧХ фазоманипулированных, амплитудно-манипулированных, а также амплитудно-фазоманипулированных сигналов в заданной полосе частот и преобразования частоты (переноса спектра входного сигнала по оси частот). Известен способ манипуляции (модуляции) параметров отраженного сигнала, состоящий в том, что входное сопротивление устройства манипуляции изменяют таким образом, что коэффициент отражения этого устройства изменяет фазу на Если диод закрыт, то от сечения, в котором он включен, происходит отражение, отраженная волна попадает в нагрузку с сопротивлением 50 Ом. Если диод открыт, то отражение происходит от конца линии. Фаза отраженного сигнала в одном состоянии диода отличается от фазы отраженного сигнала в другом состоянии диода на Недостатком этого способа и устройства его реализации является то, что в двух состояниях диода изменяется только фаза отраженного сигнала, причем заданные значения разности фаз отраженного сигнала в двух состояниях диода обеспечиваются только на одной фиксированной частоте. Другим недостатком является постоянство амплитуды отраженного сигнала в двух состояниях диода, то есть отсутствие манипуляции амплитуды, что сужает функциональные возможности. Например, это не позволяет обеспечить два канала радиосвязи на одной несущей частоте (один канал можно образовать с помощью манипуляции амплитуды, а другой с помощью манипуляции фазы или не позволяет обеспечить кодировку передаваемой информации). Третьим недостатком следует считать большие массы и габариты, связанные с необходимостью использования отрезков линии передачи. Четвертым недостатком является то, что устройство манипуляции, состоящее из управляемой и неуправляемой частей, включается между источником сигнала и нагрузкой, которые имеют определенные значения сопротивлений. Источник сигнала имеет чисто действительное сопротивление (второй вход). Нагрузка для отраженного сигнала (третий вход) имеет также действительное сопротивление. Манипулятор подключен к разомкнутой (бесконечное сопротивление) или к замкнутой (нулевое сопротивление) линии передачи. Следующим важным недостатком является то, что данный способ и данное устройство не обеспечивают манипуляцию амплитуды и фазы проходного сигнала. Основным недостатком является отсутствие возможности усиления сигнала с заданными коэффициентами усиления в двух состояниях. Известен способ манипуляции фазы отраженного сигнала, основанный на использовании двухимпедансных устройств СВЧ [В.Г.Соколинский, В.Г.Шейнкман. Частотные и фазовые модуляторы и манипуляторы. – М.: Радио и связь, 1983, стр.146-158]. Известно устройство реализации этого способа [там же], состоящее из определенного количества реактивных элементов типа L, С, параметры которых выбраны из условия обеспечения требуемой произвольной разности фаз коэффициента отражения. По сравнению с предыдущими способом и устройством данные способ и устройство его реализации не требуют использования полупроводниковых диодов только в открытом и только закрытом состояниях. При любых состояниях диодов, определяемых двумя уровнями низкочастотного управляющего воздействия, при определенных значениях параметров типа L, С может быть обеспечено заданное значение разности фаз отраженного сигнала на фиксированной частоте. Если амплитуда управляющего низкочастотного сигнала между указанными двумя уровнями изменяется непрерывно, то обеспечивается модуляция. Недостатком является то, что, как и первые способ и устройство, манипулятор может быть включен только между определенными сопротивлениями. Следующим важным недостатком является то, что данный способ и данное устройство не обеспечивают манипуляцию амплитуды и фазы и не усиливают амплитуду проходного сигнала с заданными коэффициентами усиления в двух состояниях. Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату (прототипом) является способ [Головков А.А. Устройство для модуляции отраженного сигнала. Авт. св-во №1800579 от 09.10.1992 года], состоящий в том, что неуправляемую часть (согласующе-фильтрующее устройство) формирует из определенным образом соединенных между собой двухполюсников, сопротивление каждого двухполюсника выбирают из условия обеспечения одинакового заданного двухуровневого закона изменения амплитуды и фазы отраженного сигнала при изменении управляемого элемента из одного состояния в другое под действием управляющего низкочастотного напряжения или тока. Известно устройство (прототип) реализации способа [там же], содержащее циркулятор, первое и третье плечи которого являются СВЧ входом и выходом, а во второе плечо включены реактивный четырехполюсник и полупроводниковый диод, подключенный к источнику низкочастотного управляющего воздействия, при этом четерехполюсник выполнен в виде Т-образного соединения двухполюсников со значениями реактивных сопротивлений, которые выбраны из условия обеспечения требуемых законов двухуровневого изменения амплитуды и фазы отраженного сигнала на двух заданных частотах. Так же как и в предыдущих способе и устройстве реализации, возможна модуляция фазы и амплитуды, если управляющий сигнал изменяется непрерывно. Недостатком является то, что во всех устройствах манипулятор может быть включен только между определенными сопротивлениями. Следующим важным недостатком является то, что данный способ и данное устройство не обеспечивают манипуляцию амплитуды и фазы проходного сигнала в двух состояниях. Третьим важным недостатком является то, что значения модулей и фаз в каждом из состояний не контролируются. Известно лишь отношение модулей и разность фаз. Четвертым недостатком всех перечисленных способов и устройств является то, что все элементы согласующе-фильтрующих устройств (четырехполюсников) выполнены реактивными, что связано со стремлением разработчиков не вносить дополнительных потерь путем использования резистивных элементов. Однако резистивные элементы, обладая независимостью своих параметров от частоты в довольно широкой полосе частот (от самых низких частот (единицы кГц) до частот порядка 500…800 МГц), могут обеспечить достаточно широкую полосу частот амплитудно-фазовых манипуляторов при незначительном увеличении потерь, которые могут быть учтены при соответствующем параметрическом синтезе четырехполюсников. Согласование и фильтрация с помощью резистивных четырехполюсников возможно при условии, если сопротивления источника сигнала и нагрузки являются комплексными [Головков А.А. Синтез амплитудных и фазовых манипуляторов отраженного сигнала на резистивных элементах с сосредоточенными параметрами. Радиотехника и электроника, 1992 г., №9, с.1616-1622]. Техническим результатом изобретения является обеспечение манипуляции амплитуды и фазы проходного сигнала в двух состояниях управляемого элемента в широкой полосе частот при незначительном увеличении потерь путем использования резистивных элементов в согласующих четырехполюсниках при включении манипулятора между источником и нагрузкой с комплексными сопротивлениями. 1. Указанный результат достигается тем, что в устройстве модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов, состоящем из источника радиочастотных сигналов, двухполюсного управляемого элемента, четырехполюсника, выполненного из двухполюсников, состоящих из количества элементов, не меньшего двух, значения параметров которых выбраны из условия обеспечения требуемых амплитудно-частотных и фазочастотных характеристик в двух состояниях управляемого элемента, подключенного к источнику низкочастотного управляющего сигнала, дополнительно четырехполюсник выполнен из резистивных двухполюсников, управляемый элемент включен между выходом резистивного четырехполюсника и нагрузкой в продольную цепь, последовательно к двухполюсному управляемому элементу подключена нагрузка для проходных модулированных по амплитуде и фазе радиочастотных сигналов с комплексным сопротивлением, при этом значения параметров резистивных элементов, формирующих резистивный четырехполюсник, выбраны из условий обеспечения требуемой фазы (
где
z1,2=rД1,Д2+jxД1,Д2 – заданные значения сопротивлений управляемого двухполюсного элемента в двух состояниях (1 и 2), определяемых двумя крайними уровнями низкочастотного управляющего сигнала; zн=rн+jxн, zo=ro+jxo – заданные комплексные сопротивления нагрузки и источника сигнала; 2. Указанный результат достигается тем, что в устройстве модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1 резистивный четырехполюсник выполнен в виде двух каскадно-соединенных Г-образных соединений четырех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2 двухполюсников, составляющих первое Г-образное соединение, и резистивные сопротивления r3, r4 двухполюсников, составляющих второе Г-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых модуля и фазы коэффициентов передачи, отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
где 3. Указанный результат достигается тем, что в устройстве модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1 резистивный четырехполюсник выполнен в виде двух каскадно-соединенных
где 4. Указанный результат достигается тем, что в устройстве модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1 резистивный четырехполюсник выполнен в виде двух каскадно-соединенных П-образного соединения трех резистивных двухполюсников и
где 5. Указанный результат достигается тем, что в устройстве модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1 резистивный четырехполюсник выполнен в виде несимметричного перекрытого Т-образного соединения четырех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2, r3, r4 двухполюсников, составляющих перекрытое Т-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых модуля и фазы коэффициентов передачи, отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
где На фиг.1 показана схема устройства модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов (прототип). На фиг.2 показана структурная схема предлагаемого устройства по п.1. На фиг.3 приведена схема четырехполюсника по п.2, входящая в предлагаемое устройство. На фиг.4 приведена схема четырехполюсника по п.3, входящая в предлагаемое устройство. На фиг.5 приведена схема четырехполюсника по п.4, входящая в предлагаемое устройство. На фиг.6 приведена схема четырехполюсника по п.5, входящая в предлагаемое устройство. Устройство-прототип содержит циркулятор 1 с входным 2, нагрузочным 3 и выходным 4 плечами, три двухполюсника с реактивными сопротивлениям их x1k-5, х2k-6, х3k-7, соединенных между собой по Т-схеме, а также полупроводниковый диод 8, подключенный параллельно к источнику сигнала модуляции 9. Двухполюсник 7 подключен к диоду 8, двухполюсник 5 – к нагрузочному плечу 3 циркулятора 1. Принцип действия устройства манипуляции параметров сигнала (прототип) состоит в следующем. Высокочастотный сигнал от источника (не показан) через входное плечо 2 циркулятора 1 поступает в нагрузочное плечо 3. В результате взаимодействия пришедшего сигнала с реактивными элементами и диодом и благодаря специальному выбору значений реактивных элементов двухполюсников значения фаз и амплитуд отраженных сигналов на двух частотах оказывается такими, что в результате их интерференции на выходное плечо 4 циркулятора 1 поступают сигналы, амплитуда и фаза которых в одном состоянии диода 8, определяемом одним крайним значением сигнала модуляции источника 9, отличаются от амплитуды и фазы этих сигналов в другом состоянии диода 8 на заданные величины на соответствующих двух частотах. Максимальная девиация фазы может составлять 360°, минимальная – ноль, максимальное отношение амплитуд равно Высокочастотная часть структурной схемы обобщенного предлагаемого устройства по п.1 (фиг.2) состоит каскадно-соединенных источника сигнала 10, резистивного четырехполюсника 11, двухполюсного управляемого элемента 8 и нагрузки 12. Предлагаемое устройство модуляции параметров радиочастотных сигнала по п.2 (фиг.2) содержит источник радиочастотных сигналов 10, управляемый двухполюсный элемент 8, подключенный к источнику низкочастотного управляющего сигнала (сигнала модуляции) 9, а также резистивный четырехполюсник 11 (фиг.3), выполненный в виде двух каскадно-соединенных Г-образного соединения четырех резистивных двухполюсников (резистивные сопротивления r1 (5), r2 (6) двухполюсников составляют первое Г-образное соединение, а резистивные сопротивления r3 (7), r4 (13) двухполюсников составляют второе Г-образное соединение). К двухполюснику 13 подключен двухполюсный управляемый элемент последовательно с нагрузкой. Это устройство функционирует следующим образом. Благодаря специальному выбору количества резистивных элементов двухполюсников 5, 6, 7, 13 (фиг.3), схемы их соединений и значений их параметров при переключении управляющего (модулирующего) сигнала на управляемом двухполюсном элементе из одного уровня на другой в наибольшей полосе частот. При непрерывном изменении амплитуды управляющего сигнала будет реализована модуляция проходных сигналов по амплитуде и фазе. Сопротивления r2, r3, r4 определяются аналитически по найденным математическим выражениям однозначно. При этом значения этих сопротивлений функциональным образом зависят от произвольно выбираемого значения сопротивления r1 или выбираемого исходя из каких-либо других физических соображений. В предлагаемом изобретении значение сопротивления r1 выбирается из условий обеспечения физически реализуемых значений r2, r3, r4. Значения модуля коэффициента передачи в первом состоянии выбираются из условия обеспечения физической реализуемости четырехполюсника. Значение разности фаз коэффициента передачи в двух состояниях управляемого элемента выбирается из условий достижения наибольшей полосы частот и условий физической реализуемости. Значения сопротивлений r2, r3, r4 двухполюсников 6, 7, 13, кроме того, зависят от оптимальных значений элементов матрицы передачи четырехполюсника и заданных комплексных сопротивлений источника сигнала и нагрузки. При выборе положения двух крайних значений амплитуды управляющего сигнала на краях квадратичного участка вольт-амперной характеристики управляемого элемента и частоты управляющего сигнала, соизмеримой с частотой источника сигнала, данное устройство функционирует как преобразователь частоты. Предлагаемое устройство модуляции параметров радиочастотных сигнала по п.3 содержит источник радиочастотных сигналов 10, резистивный четырехполюсник 11 (фиг.4), а также управляемый двухполюсный элемент 8, подключенный к источнику низкочастотного управляющего сигнала (сигнала модуляции) 9. Резистивный четырехполюсник выполнен в виде двух каскадно-соединенных Предлагаемое устройство модуляции параметров радиочастотных сигнала по п.4 содержит источник радиочастотных сигналов 10, резистивный четырехполюсник 11 (фиг.5), а также управляемый двухполюсный элемент 8, подключенный к источнику низкочастотного управляющего сигнала (сигнала модуляции) 9. Резистивный четырехполюсник выполнен в виде двух каскадно-соединенных П-образного соединения трех резистивных двухполюсников и Предлагаемое устройство модуляции параметров радиочастотных сигнала по п.5 содержит источник радиочастотных сигналов 10, резистивный четырехполюсник 11 (фиг.6), а также управляемый двухполюсный элемент 8, подключенный к источнику низкочастотного управляющего сигнала (сигнала модуляции) 9. Резистивный четырехполюсник выполнен в виде несимметричного перекрытого Т-образного соединения четырех резистивных двухполюсников с сопротивлениями r1, r2, r3, r4. Принцип действия этого устройства аналогичен принципу действия устройства по п.3. Анализ условий физической реализуемости указанных четырех вариантов выполнения резистивного четырехполюсника (фиг.3 – 6) предлагаемого устройства (фиг.2) показывает, что из этого количества вариантов при произвольных заданных сопротивлениях источника сигнала и нагрузки всегда найдется такой вариант, что значения резистивных сопротивлений этого четырехполюсника, рассчитанные по выше приведенным формулам, будут положительными, то есть физически реализуемыми. Наоборот, для каждого отдельно взятого варианта всегда найдутся такие значения сопротивлений источников сигнала и нагрузки, что значения резистивных сопротивлений четырехполюсников, рассчитанные по выше приведенным формулам, окажутся физически реализуемыми. Докажем возможность реализации указанных свойств. Пусть комплексные сопротивления нагрузки zн=rн+jxн, источника сигнала zo=ro+jxo, а также проводимости двухполюсного управляемого элемента z1,2=rД1,Д2+jxД1,Д2 в двух состояниях известны, то есть известна его классическая матрица передачи:
Резистивный четырехполюсник описывается матрицей передачи:
где Эквивалентная схема манипулятора представляется в виде 4-х каскадно-соединенных четырехполюсников (фиг.2). Общая нормированная классическая матрица передачи манипулятора имеет вид:
Используя известную связь элементов матрицы рассеяния [Фельдштейн А.Л., Явич Л.Р. Синтез четырехполюсников и восьмиполюсников на СВЧ. М.: Связь, 1965, 40 с.], получим выражение для коэффициента передачи манипулятора S21 I,II в двух состояниях диода:
Пусть требуется определить схему резистивного четырехполюсника и значения параметров резистивных элементов двухполюсников, входящих в него, при которых возможно обеспечить заданные отношения модулей m=|S21 I|/|S21 II| и разность фаз
Подставим (4) в (5) и после несложных, но громоздких преобразований и разделения комплексного уравнения на действительную и мнимую части, получим систему двух алгебраических уравнений:
Решение системы (6) имеет вид двух взаимосвязей между элементами искомой матрицы передачи, оптимальных по критерию обеспечения заданного закона изменения (5) на фиксированной частоте:
где
Поскольку Do 2-EoFo=-хн 2, то границей области физической реализуемости является область изменения Решение уравнения, вытекающего из этого равенства, дает выражение для граничного значения разности фаз коэффициентов передачи в двух состояниях управляемого элемента:
Как показывают расчеты, при приближении значения разности фаз коэффициентов передачи модулятора в двух состояниях управляемого элемента к значению
где Областью физической реализуемости является область изменения разности фаз
где Подкоренное выражение в (10) всегда положительно. Полученная система двух взаимосвязей (8) между элементами матрицы передачи резистивного четырехполюсника означает, что двухуровневые манипуляторы амплитуды и (или) фазы проходного сигнала должны содержать не менее чем два независимых резистивных элемента, значения параметров которых должны удовлетворять системе двух уравнений, сформированных на основе этих взаимосвязей. Для отыскания оптимальных значений параметров резистивного четырехполюсника необходимо выбрать какую-либо схему из М Пусть при тех же исходных данных, что и при решении первой задачи (1)-(3), требуется, чтобы в одном из состояний, например, в первом модуль и фаза коэффициента передачи принимали требуемые значения m1 и
Подставим (5) в выражение (11) и разделив между собой действительную и мнимую части, получим систему двух уравнений:
где После денормировки коэффициента передачи (5) путем умножения на Денормированный коэффициент передачи связан с физически реализуемой передаточной функцией следующим образом: Решение системы (12) имеет вид взаимосвязей между элементами классической матрицы передачи четырехполюсника:
где
Поскольку элементы матрицы передачи четырехполюсника (7) и (13) описывают один и тот же четырехполюсник, то указанные выражения должны быть попарно равны. Из этих равенств вытекает, что все оставшиеся свободные в (7) и (13) элементы матрицы передачи должны определяться с помощью следующих выражений:
Анализ показывает, что элементы резистивного четырехполюсника должны определяться из решения системы четырех уравнений – (7) или (13) и (14). Таким образом, все четыре элемента матрицы передачи четырехполюсника оказываются строго заданными. Для того, чтобы они определяли физически реализуемый четырехполюсник, должно выполняться свойство взаимности четырехполюсника [Фельдштейн А.Л., Явич Л.Р. Синтез четырехполюсников и восьмиполюсников на СВЧ. М.: Связь, 1965, 40 с], которое в наших обозначениях имеет вид: d2(
Использованные условия описывают свойство взаимности. Поэтому достаточно выполнения любых трех из четырех уравнений. Четвертое уравнение оказывается зависимым от остальных. Таким образом, количество резистивных двухполюсников, из которых формируется четырехполюсник, должно быть равным не менее трем. Значения параметров этих двухполюсников определяются путем решения указанных систем трех или четырех уравнений. При этих значениях параметров в первом состоянии будут реализованы заданные значения m1 и В соответствии с указанным алгоритмом были синтезированы (определены выражения для оптимальных значений сопротивлений резистивных двухполюсников) простейшие схемы четырехполюсника из не менее чем трех резисторов. Матрицы передачи исследуемых четырехполюсников получены из работы [Гуревич И.В. Основы расчета радиотехнических цепей (линейные цепи при гармонических воздействиях). М.: Связь, 1975, 30-34 с.]. Для схемы в виде двух каскадно-соединенных Г-образного соединения четырех резистивных двухполюсников (фиг.3):
Свободно выбираемое сопротивление r1 обеспечивает физическую реализуемость сопротивлений r2, r3, r4, т.е. их положительность. Для схемы в виде двух каскадно-соединенных
Свободно выбираемое сопротивление r4 обеспечивает физическую реализуемость сопротивлений r1, r2, r3, т.е. их положительность. Для схемы в виде двух каскадно-соединенных П-образного соединения трех резистивных двухполюсников и
Свободно выбираемые сопротивления r3 и r5 обеспечивает физическую реализуемость сопротивлений r1, r2, r4, т.е. их положительность. Для схемы в виде несимметричного перекрытого Т-образного соединения четырех резистивных двухполюсников (фиг.6):
Свободно выбираемое сопротивление r3 обеспечивает физическую реализуемость сопротивлений r1, r2, r4, т.е. их положительность. Предлагаемые технические решения являются новыми, поскольку из общедоступных сведений неизвестно устройство одновременной модуляции амплитуды и фазы, обеспечивающее заданные значения модулей и фаз коэффициентов передачи в двух состояниях двухполюсного управляемого элемента в заданной полосе частот, состоящее из управляемого двухполюсного элемента, включенного между выходом резистивного четырехполюсника и нагрузкой в продольную цепь (последовательно), причем четырехполюсник выполнен в виде двух каскадно-соединенных Г-образного соединения четырех резистивных двухполюсников (в виде двух каскадно-соединенных Предлагаемые технические решения имеют изобретательский уровень, поскольку из опубликованных научных данных и известных технических решений явным образом не следует, что заявленная последовательность операций (выполнение четырехполюсника резистивным в виде четырех указанных выше схем с выбором значений их параметров из условия усиления и обеспечения двухуровневого изменения амплитуды и фазы проходных сигналов в заданной полосе частот при изменении состояния управляемого двухполюсного элемента, включенного между выходом резистивного четырехполюсника и нагрузкой в продольную цепь, при произвольных значениях сопротивлений источника сигнала и нагрузки) обеспечивает одновременно манипуляцию амплитуды и фазы и усиление амплитуды проходного сигнала при наибольшей полосе частот. Предлагаемые технические решения практически применимы, так как для их реализации могут быть использованы серийно выпускаемые промышленностью полупроводниковые диоды, резисторы. Технико-экономическая эффективность предложенного устройства заключается в одновременном обеспечении заданных значений модулей и фаз коэффициентов передачи в двух состояниях управляемого элемента, а также манипуляции амплитуды и фазы сигнала по заданному закону с наибольшей рабочей полосой частот.
Формула изобретения
1. Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов, состоящее из источника радиочастотных сигналов, двухполюсного управляемого элемента, четырехполюсника, выполненного из двухполюсников, состоящих из количества элементов, не меньшего двух, значения параметров которых выбраны из условия обеспечения требуемых амплитудно-частотных и фазочастотных характеристик в двух состояниях управляемого элемента, подключенного к источнику низкочастотного управляющего сигнала, отличающееся тем, что четырехполюсник выполнен из резистивных двухполюсников, управляемый элемент включен между выходом резистивного четырехполюсника и нагрузкой в продольную цепь, последовательно к двухполюсному управляемому элементу подключена нагрузка для проходных модулированных по амплитуде и фазе радиочастотных сигналов с комплексным сопротивлением, при этом значения параметров резистивных элементов, формирующих резистивный четырехполюсник, выбраны из условий обеспечения требуемых фазы (
z1,2=rД1,Д2+jxД1,Д2 – заданные значения сопротивлений управляемого двухполюсного элемента в двух состояниях (1 и 2), определяемых двумя крайними уровнями низкочастотного управляющего сигнала; zн=rн+jxн, zo=ro+jxo – заданные комплексные сопротивления нагрузки и источника сигнала;
2. Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1, отличающееся тем, что резистивный четырехполюсник выполнен в виде двух каскадно-соединенных Г-образных соединений четырех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2 двухполюсников, составляющих первое Г-образное соединение, и резистивные сопротивления r3, r4 двухполюсников, составляющих второе Г-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых модуля и фазы коэффициентов передачи, отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
где значение сопротивления r1 выбирается из условия обеспечения физической реализуемости сопротивлений r2, r3; r4. 3. Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1, отличающееся тем, что резистивный четырехполюсник выполнен в виде двух каскадно-соединенных обратных Г-образных соединений четырех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2 двухполюсников, составляющих первое обратное Г-образное соединение, и резистивные сопротивления r3, r4 двухполюсников, составляющих второе обратное Г-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых модуля и фазы коэффициентов передачи, отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
где значение сопротивления r4 выбирается из условия обеспечения физической реализуемости сопротивлений r1, r2, r3. 4. Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1, отличающееся тем, что резистивный четырехполюсник выполнен в виде двух каскадно-соединенных П-образного соединения трех резистивных двухполюсников и обратного Г-образного соединения двух резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2, r3, двухполюсников, составляющих П-образное соединение, и резистивные сопротивления r4, r5 двухполюсников, составляющих обратное Г-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых модуля и фазы коэффициентов передачи, фаз коэффициентов передачи, отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
где значения сопротивлений r3 и r5 выбираются из условия обеспечения физической реализуемости сопротивлений r1, r2, r4. 5. Устройство модуляции амплитуды и фазы радиочастотных сигналов по п.1, отличающееся тем, что резистивный четырехполюсник выполнен в виде несимметричного перекрытого Т-образного соединения четырех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2, r3, r4 двухполюсников, составляющих перекрытое Т-образное соединение, выбраны из условия обеспечения требуемых модуля и фазы коэффициентов передачи, отношений модулей и разностей фаз коэффициентов передачи в заданной полосе частот в двух состояниях управляемого элемента с помощью следующих математических выражений:
где значение сопротивления r3 выбирается из условия обеспечения физической реализуемости сопротивлений r1, r2, r4.
РИСУНКИ
MM4A – Досрочное прекращение действия патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Дата прекращения действия патента: 03.02.2009
Извещение опубликовано: 20.07.2010 БИ: 20/2010
|
||||||||||||||||||||||||||
, 
/4, вначале которой включен p-i-n диод.
1) коэффициента передачи в первом состоянии и из условия достижения значения модуля (m1) коэффициента передачи в первом состоянии, при котором обеспечивается физическая реализуемость четырехполюсника, условия обеспечения отношений модулей (m) и разностей фаз (
; 
; 
; a, b, с, d – элементы классической матрицы передачи четырехполюсника;
; 
; 
; 
; 
, 
, 
, d и остальные обозначения имеют тот же смысл, что и в п.1; значение сопротивления r1 выбирается из условия обеспечения физической реализуемости сопротивлений r2, r3, r4.
-образного соединения четырех резистивных двухполюсников, резистивные сопротивления r1, r2 двухполюсников, составляющих первое 
; 
; 
,
; 
;
,
; 
;
,
. Отношения модулей и разности фаз коэффициента отражения реализуются на обеих частотах одинаковыми.
-образного соединения четырех резистивных двухполюсников (резистивные сопротивления r1, r2 двухполюсников составляют первое 
; 
; 
; a, b, с, d – элементы классической матрицы передачи [Фельдштейн А.Л., Явич Л.Р. Синтез четырехполюсников и восьмиполюсников на СВЧ. М.: Связь, 1965, 40 с].
=arg S21 I-arg S21 II в двух состояниях диода:
.
; 
2 элементов, найти ее матрицу передачи, элементы которой выражены через параметры схемы резистивного четырехполюсника, и подставить их в (8). Сформированная таким образом система уравнений должна быть решена относительно выбранных двух параметров. Значения остальных М-2 параметров могут быть отнесены к сопротивлению zo или заданы произвольно. После использования описанного алгоритма будет реализована двухуровневая манипуляция амплитуды и фазы проходного сигнала с заданными отношениями модулей и разностями фаз коэффициентов передачи манипулятора. Однако абсолютные значения модулей и фаз коэффициентов передачи при этом оказываются неконтролируемыми, т.е. их значения могут быть какими угодно. Для того чтобы обеспечить заданные значения модуля и фазы коэффициента передачи в одном из состояний диода необходимо решить следующую задачу параметрического синтеза.
x=rorн-xoxн; у=rorн+xoxн.
последнее выражение изменяется а1=rн; b1=хн.
.
; 
; 
;
;
