Патент на изобретение №2339964
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
(54) СПОСОБ ОТБОРА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ПОВЫШЕННОЙ НАДЕЖНОСТИ
(57) Реферат:
Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых приборов (ПП), и может быть использовано для отбора из партии ПП повышенной надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной промышленности. Технический результат: повышение достоверности и расширение функциональных возможностей. Сущность: проводят измерения m-характеристик в диапазоне прямого тока (1-100 мА) до и после пропускания импульса тока, с амплитудой в 1,5-3 раза превышающее максимально допустимую по ТУ. Отбор приборов повышенной надежности проводят на основании критерия
Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации полупроводниковых приборов (диодов и транзисторов), и может быть использовано для выделения из партии полупроводниковых приборов повышенной надежности с высоким уровнем достоверности как в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Известен способ контроля качества полупроводниковых приборов с помощью m-характеристик [1], в котором критерий потенциальной надежности приборов имеет значение 1 т.е. полупроводниковые приборы с данной величиной m-характеристики будут соответствовать по надежности требованиям ТУ. Недостатком данного способа является невозможность отбора группы приборов с повышенной относительно требований ТУ надежностью. Изобретение направлено на повышение достоверности и расширение функциональных возможностей диагностических способов. Это достигается тем, что m-характеристики полупроводниковых приборов измеряют в диапазоне прямого тока (1-100 мА) до и после пропускания импульса тока с амплитудой в 1,5-3 раза больше максимально допустимого по ТУ. По набору статистики на представительной выборке для каждого типа прибора определяется единый критерий для отношения максимальных значений m-характеристик до и после пропускания импульса тока, т.е.
где величина А устанавливается на основе статистики. Способ осуществляется следующим образом. Измеряют m-характеристику p-n переходов выборки приборов в диапазоне прямого тока (1-100 мА) в исходном состоянии. Затем на приборы осуществляют воздействие импульса тока с амплитудой в 1,5-3 раза больше максимально допустимой на переходы база-коллектор и база-эмиттер. Длительность импульса подбирают экспериментально на представительной выборке путем последовательного увеличения с шагом 0,1 с до тех пор, пока не наблюдают отклонение значений параметра m от исходных. Для данного типа приборов длительность импульса составила 0,5 с. После этого производят повторные измерения m-характеристики после воздействия импульса тока и составляют таблицу максимальных значений параметра m. По набору статистики на представительной выборке для каждого типа прибора определяется единый критерии для отношения максимальных значений m-характеристик Предложенная методика разделения была апробирована на транзисторах КТ503Б (маломощных кремниевых транзисторах n-p-n-типа). Максимальные значения измеренных m-характеристик до и после пропускания импульса тока представлены в таблице.
Если принять критерий для m-характеристик в случае транзисторов КТ503Б: А=1, то транзисторы №2, 3, 6 будут иметь повышенную надежность. Источник информации 1. ОСТ 11073.043-75. Приборы полупроводниковые и микросхемы интегральные. Метод контроля качества с помощью m-характеристик.
Формула изобретения
Способ отбора полупроводниковых приборов повышенной надежности с использованием m-характеристик, измеренных в диапазоне прямого тока 1-100 мА, отличающийся тем, что измерение проводят до и после пропускания импульса тока с амплитудой, в 1,5-3 раза превышающего максимально допустимую по ТУ, а отбор приборов повышенной надежности проводят на основании критерия
MM4A – Досрочное прекращение действия патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Дата прекращения действия патента: 10.01.2009
Извещение опубликовано: 20.09.2010 БИ: 26/2010
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
, где mимп – максимальное значение параметра m после воздействия импульса тока, mисх – максимальное значение параметра m в исходном состоянии. Величину А устанавливают на основе статистики на представительной выборке для каждого типа приборов. 1 табл.
m
,
.
, где mимп – максимальное значение параметра m после воздействия импульса тока, mисх – максимальное значение параметра m в исходном состоянии, величину А устанавливают на основе статистики на представительной выборке для каждого типа приборов.