Патент на изобретение №2316497
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
(54) ХАЛЬКОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО
(57) Реферат:
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в микроэлектронике. Халькогенидное стекло содержит GeS2, NaCl, Ga2S3 и дополнительно In2S3 и GaAs при следующем соотношении компонентов, мас.%: GeS2 35,0-45,0, NaCl 10,0-15,0, Ga2S3 15,0-25,0, In2S3 15,0-25,0, GaAs 5,0-10,0. Технический результат – повышение термической устойчивости халькогенидного стекла. 1 табл.
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых в микроэлектронике. Известно халькогенидное стекло состава, мас.%: GeS2 55,0-75,0; NaCl 10,0-20,0; Ga2S3 15,0-25,0 /1/. Целью изобретения является повышение термической устойчивости халькогенидного стекла. Цель достигается тем, что в состав стекла, содержащего GeS2, NaCl, Ga2S3, дополнительно вводят In2S3 и GaAs, при следующем соотношении, мас.%: GeS2 35,0-45,0; NaCl 10,0-15,0; Ga2S3 15,0-25,0; In2S3 15,0-25,0; GaAs 5,0-10,0. В таблице приведены составы стекла.
Халькогенидное стекло получают при медленном подъеме температуры до 1000-1100°С в герметичных вакуумированных сосудах. Источники информации 1. Авторское свидетельство СССР №1135726, С03С 3/12, 1985.
Формула изобретения
Халькогенидное стекло, содержащее GeS2, NaCl, Ga2S3, отличающееся тем, что дополнительно содержит In2S3 и GaAs, при следующем соотношении компонентов, мас.%:
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
