Патент на изобретение №2316496
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||
(54) ХАЛЬКОГЕНИДНОЕ СТЕКЛО
(57) Реферат:
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых для защиты и изоляции полупроводниковых приборов и интегральных схем. Технический результат – повышение термической устойчивости стекла. Халькогенидное стекло содержит, мас.%: GeS2 50,0-54,0; NaCl 15,0-20,0; Ga2S3 15,0-25,0; SnS2 7,0-10,0. 1 табл.
Изобретение относится к составам халькогенидных стекол, используемых для защиты и изоляции полупроводниковых приборов и интегральных схем. Известны различные составы халькогенидных стекол /1/. Известно халькогенидное стекло, содержащее, мас.%: GeS2 55,0-75,0; NaCl 10,0-20,0; Ga2S3 15,0-25,0 /2/. Цель изобретения состоит в повышении термической устойчивости стекла. Цель достигается тем, что в состав халькогенидного стекла, содержащего GeS2, NaCl, Ga2S3, дополнительно вводят SnS2 при следующем соотношении компонентов, мас.%: GeS2 50,0-54,0; NaCl 15,0-20,0; Ga2S3 15,0-25,0; SnS2 7,0-10,0. В таблице приведены составы стекла.
Для всех приведенных в таблице составов халькогенидного стекла твердое состояние сохраняется до температуры 430-450°С. Компоненты стекла, взвешенные в указанных количествах, помещают в емкость, из которой удаляют воздух, и запаивают. Варку стекла проводят в электропечи при 1200°С. Источники информации 1. Аппен А.А. Химия стекла. – Л.: Химия 1974, – с.57. 2. Авторское свидетельство СССР №1135726, С03С 3/12, 1985.
Формула изобретения
Халькогенидное стекло, содержащее GeS2, NaCl, Ga2S3, отличающееся тем, что дополнительно содержит SnS2 при следующем соотношении компонентов, мас.%: GeS2 50,0-54,0; NaCl 15,0-20,0; Ga2S3 15,0-25,0; SnS2 7,0-10,0.
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||
