Патент на изобретение №2310948
|
||||||||||||||||||||||||||
(54) ГАЗ ДЛЯ ПЛАЗМЕННОЙ РЕАКЦИИ, СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЛИ ЭЛЕКТРОННОЙ ДЕТАЛИ, СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОЙ ФТОРУГЛЕРОДНОЙ ПЛЕНКИ И СПОСОБ ОЗОЛЕНИЯ
(57) Реферат:
Изобретение относится к газу для плазменной реакции, его получению и использованию. Сущность изобретения: газ для плазменной реакции содержит перфторалкин цепочечной структуры, имеющий 5 или 6 атомов углерода, предпочтительно перфтор-2-пентин. Этот газ для плазменной реакции является пригодным для сухого травления с целью формирования прецизионной структуры, для плазменного химического осаждения из паровой фазы, для формирования тонкой пленки и для плазменного химического озоления. Газ для плазменной реакции синтезируют путем приведения в контакт дигидрофторалканового соединения или моногидрофторалкенового соединения с основным соединением. Изобретение позволяет экономически выгодно в промышленных масштабах получить высокоселективный газ для плазменной реакции. 5 н. и 13 з.п. ф-лы.
Текст описания приведен в факсимильном виде.
Формула изобретения
1. Газ для плазменной реакции, содержащий соединение, представленное следующей формулой (1):
где R1 представляет собой фтор, перфторалкильную группу, имеющую 1-3 атома углерода или перфторалкенильную группу, имеющую 2-3 атома углерода, R2 представляет собой перфторалкильную группу, имеющую 1-4 атома углерода, перфторалкенильную группу, имеющую 2-4 атома углерода, или перфторалкинильную группу, имеющую 2-4 атома углерода, при условии, что общее количество атомов углерода в сумме из R1 и R2 составляет 3 или 4, и R1 и R2 могут быть одинаковыми или различными. 2. Газ для плазменной реакции по п.1, где R1 и R2 в формуле (1) являются независимо выбранными из перфторалкильной группы, имеющей 1-3 атома углерода. 3. Газ для плазменной реакции по п.1, где соединение, представленное формулой (1), представляет собой перфтор-2-пентин. 4. Газ для плазменной реакции по любому из пп.1-3, где содержание соединения, представленного формулой (1), составляет, по меньшей мере, 90 об.% относительно общего количества газа для плазменной реакции. 5. Газ для плазменной реакции по любому из пп.1-3, где содержание соединения, представленного формулой (1), составляет, по меньшей мере, 99,9 об.% относительно общего количества газа для плазменной реакции. 6. Газ для плазменной реакции по п.5, где общее содержание газообразного азота и газообразного кислорода, которые содержатся в качестве остальных микроингредиентов в газе для плазменной реакции, не превышает 200 млн.д. объемных относительно общего количества газа для плазменной реакции. 7. Газ для плазменной реакции по п.5, где содержание влаги, содержащейся в газе для плазменной реакции, не превышает 30 млн.д. массовых относительно общего количества газа для плазменной реакции. 8. Газ для плазменной реакции по любому из пп.1-3, который содержит, по меньшей мере, 70 мас.% соединения, представленного формулой (1), и не более чем 30 мас.%, по меньшей мере, одного вида соединения, выбранного из перфторолефинов, имеющих 2-6 атомов углерода, перфторалканов, имеющих 1-6 атомов углерода, и перфторциклоалканов, имеющих 3-6 атомов углерода. 9. Газ для плазменной реакции по любому из пп.1-3, который содержит соединение, представленное формулой (1), и не более 50 мол.% по отношению к соединению, представленному формулой (1), по меньшей мере, одного вида фторуглеводородов, имеющих 1-6 атомов углерода. 10. Способ получения газа для плазменной реакции, содержащего соединение, представленное следующей формулой (1):
где R1 представляет собой фтор, перфторалкильную группу, имеющую 1-3 атома углерода, или перфторалкенильную группу, имеющую 2-3 атома углерода, R2 представляет собой перфторалкильную группу, имеющую 1-4 атома углерода, перфторалкенильную группу, имеющую 2-4 атома углерода, или перфторалкинильную группу, имеющую 2-4 атома углерода, при условии, что общее количество атомов углерода в сумме из R1 и R2 составляет 3 или 4, и R1 и R2 могут быть одинаковыми или различными, отличающийся тем, что, по меньшей мере, одно соединение, выбранное из соединений, представленных следующей далее формулой (2), и соединений, представленных следующей далее формулой (3):
где R1 и R2 являются такими же, как определено в формуле (1), и один из Х и Y в формуле (3) представляет собой водород, а другой представляет собой фтор, взаимодействует с основанием. 11. Способ по п.10, где, по меньшей мере, одно соединение, выбранное из соединений, представленных формулой (2), и соединений, представленных формулой (3), взаимодействует с основным соединением, и полученную таким образом реакционную жидкость подвергают разделению твердый продукт – жидкость, и исходный продукт для реакции, составляющий выделенную таким образом жидкость, дистиллируют с получением газа для плазменной реакции, содержащего соединение, представленное формулой (1), с чистотой, по меньшей мере, 98 об.%. 12. Способ по п.10 или 11, где в получаемом газе для плазменной реакции R1 и R2 в формуле (1) независимо выбирают из перфторалкильных групп, имеющих 1-3 атома углерода. 13. Способ по п.11, где получают газ для плазменной реакции, содержащий перфтор-2-пентин цепочечной структуры, в виде соединения, представленного формулой (1), с чистотой, по меньшей мере, 98 об.%. 14. Способ по п.11, где исходный продукт для реакции, содержащий соединение, представленное формулой (1), подвергают фракционной дистилляции в атмосфере инертного газа группы 18 периодической таблицы с получением газа для плазменной реакции по любому из пп.5-7. 15. Способ по п.10, где, по меньшей мере, одно соединение, выбранное из соединений, представленных формулой (2), и соединений, представленных формулой (3), взаимодействует с основным соединением, полученную таким образом реакционную жидкость подвергают разделению твердый продукт – жидкость, и исходный продукт для реакции, составляющий выделенную таким образом жидкость, подвергают фракционной дистилляции с получением газа для плазменной реакции с чистотой, по меньшей мере, 99,9 об.%, и следовые количества оставшихся примесей удаляют из полученного таким образом газа с получением газа для плазменной реакции по любому из пп.5-7. 16. Способ изготовления электрической или электронной детали, отличающийся тем, что он включает в себя стадию воздействия на поверхность металлической детали сухого травления с использованием в качестве травильного газа газа для плазменной реакции по любому из пп.1-9. 17. Способ получения тонкой фторуглеродной пленки, отличающийся тем, что он включает в себя формирование тонкой фторуглеродной пленки путем химического осаждения из паровой фазы с использованием газа для плазменной реакции по любому из пп.1-9. 18. Способ озоления, отличающийся тем, что озоление осуществляют с использованием газообразной композиции, содержащей газ для плазменной реакции по любому из пп.1-9. Приоритет по пунктам: 08.11.2001 по пп.10-13; 22.03.2002 по пп.1-9, 14-18.
|
||||||||||||||||||||||||||
