Патент на изобретение №2308900

(54) СПОСОБ ЛЕЧЕНИЯ ГЕМАНГИОМ

(57) Реферат:

Способ включает криовоздействие на гемангиому и обработку раны концентрированным раствором KMnO₄. После этого дополнительно воздействуют на рану одновременно импульсным лазерным излучением и магнитным полем. Используют лазерное излучение с частотой следования импульсов 1000 Гц, при мощности излучения 4-8 Вт и магнитное поле индукцией 35-40 мТл. Способ повышает эффективность лечения за счет ускорения процессов эпителизации в ране и обеспечения хорошего косметического эффекта.

Изобретение относится к классу области медицины, в частности к области хирургии, и может быть использовано для лечения гемангиом у детей.

Известен способ деструкции сосудистых опухолей у детей, основанный на разогреве участков биоткани СВЧ-полем при температуре 48-70°C в течение 5-10 минут с изменением скорости изменения температуры (патент РФ №2157134, кл. А61В 18/18 от 10.10.2000).

Недостатком данного способа является относительно низкая эффективность лечения, обусловленная тем, что во время разогрева участков кожи возможно повреждение близлежащих участков, что требует дополнительных технологических операций по устранению дефектов после СВЧ-воздействия.

Наиболее близким техническим решением по совокупности существенных признаков является способ лечения гемангиом, включающий инфильтрацию гемангиомы преднизолоном с последующим криовоздействием (воздействие холодом) (см. патент РФ №2076644, кл. А61В 18/02 от 10.04.1997).

Недостатком данного способа является относительно низкая эффективность его, т.к. введение преднизолона в ткань гемангиомы с последующим воздействием холодом, хотя и снижает быстрое всасывание гормона в кровеносное русло, тем не менее не исключает вероятности осложнений, обусловленных использованием гормонотерапии при лечении гемангиом.

Задача, на решение которой направлено заявленное изобретение, заключается в повышении эффективности и упрощении способа.

Поставленная задача решается за счет того, что в способе лечения гемангиом, включающем криовоздействие на патологический очаг, после криовоздействия проводят обработку раны концентрированным раствором KMnO₄ с последующим воздействием на рану одновременно магнитным полем и импульсным лазерным излучением, при значении индукции магнитного поля 35-40 мТл и частотой следования лазерных импульсов 1 кГц при мощности излучения 4-8 Вт.

Способ лечения гемангиом осуществляют следующим образом.

После аппликационного криовоздействия на патологический участок кожи при температуре – 180°С в течение 10-20 с криогенная рана обрабатывается концентрированным раствором KMnO₄ с последующим воздействием на рану одновременно магнитным полем и импульсным лазерным излучением, при значении индукции магнитного поля 35-40 мТл и частотой следования лазерных импульсов 1 кГц при мощности излучения 4-8 Вт.

Воздействие магнитным полем и лазерным излучением осуществляется при помощи медицинской установки «РИКТА-04». Количество сеансов терапии от 3 до 5.

Эпителизация происходила на 7-12 сутки. После сеанса квантового воздействия количество нитей фибрина уменьшилось, происходил распад клеточных элементов и детрита.

Перед вторым сеансом в отпечатках не было клеточных элементов, фибрина и детрита, что было обусловлено быстрым заживанием ран.

Использование данного способа лечения гемангиом позволило получить и хороший косметический эффект, обусловленный квантовым влиянием и магнитным полем на митотическую активность эпителиальных клеток в области криогенной раны.

Таким образом, криоквантовое лечение гемангиом позволяет повысить эффективность лечения и ускорить процесс эпителизации в среднем на 4-6 суток.

Формула изобретения

Способ лечения гемангиом, включающий криовоздействие на гемангиому и обработку раны концентрированным раствором KMnO₄, отличающийся тем, что после этого дополнительно воздействуют на рану одновременно импульсным лазерным излучением с частотой следования импульсов 1000 Гц, при мощности излучения 4-8 Вт и магнитным полем индукцией 35-40 мТл.

MM4A – Досрочное прекращение действия патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 30.11.2007

Извещение опубликовано: 20.06.2009 БИ: 17/2009