Патент на изобретение №2285982

Published by on




РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ



ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА
ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ,
ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ
(19) RU (11) 2285982 (13) C1
(51) МПК

H01L51/30 (2006.01)

(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ

Статус: по данным на 28.12.2010 – действует

(21), (22) Заявка: 2005116372/28, 30.05.2005

(24) Дата начала отсчета срока действия патента:

30.05.2005

(46) Опубликовано: 20.10.2006

(56) Список документов, цитированных в отчете о
поиске:
RU 2190437 C2, 10.10.2002. МУРАВСКИЙ Б.С. и др. Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных p+-n-структурах с локально введенными в n-область примесными атомами и определение параметров глубоких центров на ее основе. Физика и техника полупроводников. 2003, т.37, вып.4, с.393-397. SU 1380476 А1, 27.04.2004. SU 1070681 А, 30.01.1984. GB 1394125 A, 14.05.1975.

Адрес для переписки:

350040, г.Краснодар, ул. Ставропольская, 149, Кубанский государственный университет, отдел интеллектуальной собственности

(72) Автор(ы):

Барышев Михаил Геннадьевич (RU),
Евдокимова Ольга Владимировна (RU),
Сидоров Игорь Викторович (RU),
Коржов Александр Николаевич (RU)

(73) Патентообладатель(и):

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кубанский государственный университет (КубГУ) (RU)

(54) СПОСОБ ГЕНЕРИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОЛЕБАНИЙ С ЧАСТОТАМИ, БЛИЗКИМИ К НАБЛЮДАЕМЫМ У БИОЛОГИЧЕСКИХ ОБЪЕКТОВ

(57) Реферат:

Изобретение относится к области жидких полупроводников, которые могут найти широкое применение в биологии, экологии и медицине. Сущность изобретения: способ генерирования электрических колебаний с частотами, близкими к наблюдаемым у биологических объектов, включает пропускание электрического тока между электродами, погруженными в жидкий органический полупроводник n-типа, и к которым приложена разность потенциалов 5-70 В. Между электродом, имеющим положительный потенциал, и электродом, опущенным в жидкий полупроводник р-типа, пропускают ток от 1 до 500 мкА. Техническим результатом изобретения является разработка способа генерации электрических колебаний, частоты которых по своим параметрам близки к наблюдаемым у биологических объектов. 4 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 табл.

Изобретение относится к области жидких полупроводников, которые могут найти широкое применение в биологии, экологии и медицине.

Известен способ параметрической генерации периодических колебаний, в котором используется взаимодействие сигналов СВЧ излучений определенной частоты с оптической волной, в результате чего частота и мощность оптической волны возрастают приблизительно в 2 раза. Часть мощности этой волны поступает в качестве накачки в вырожденный параметрический делитель частоты для получения оптической волны, используемой при преобразовании частот (патент РФ №2062538, МПК Н 01 S 3/00). Устройство волноводного типа, реализующее этот способ, позволяет получить генерацию когерентного оптического излучения при накачке СВЧ диапазона.

Известен способ генерации электрического тока, основанный на химическом восстановлении активного соединения в присутствии металла, приводящее к возникновению тока в цепи. Окисление восстановленной формы соединения и возврат его к первоначальному состоянию происходит на воздухе в отсутствии контакта с металлом (заявка №94044739, RU, МПК Н 01 М 6/04).

Известен способ генерации электрического тока низких частот, реализуемый с помощью твердотельного генератора на основе полупроводниковой пластины, имеющей два контакта и область, в которой реализованы условия для возникновения колебаний электронно-дырочной плазмы типа рекомбинапионных волн, на поверхности полупроводниковой пластины имеется изолятор, на который нанесен металлический слой, служащий управляющим контактом. Способ позволяет получить электрические колебания частотой 40-400 Гц и амплитудой 0,5-50 мВ при приложении разности потенциалов 1-5 мВ (а.с. СССР №439255, МПК H 01 L 29/00).

Известен способ генерации электрического тока, основанный на полупроводниковом генераторе с перестраиваемой частотой и содержащий пластину монокристаллического кремния с двумя инжектирующими контактами, легированную цинком с концентрацией NZn и донорной примесью с концентрацией ND. Кремний имеет удельное сопротивление >104 Ом×см, а расстояние между ними не более диффузионной длины электронов, при соотношении легирующих примесей в кремнии NZnND. При приложении разности потенциалов 50 В между инжектирующими контактами и подачей тока между анодом и катодом получаем перестраиваемую частоту колебаний тока в пределах 10-105 Гц (а.с. №782641, SU, МПК H 01 L 29/86).

Наиболее близким к заявляемому изобретению является способ с использованием структуры с распределенным р-n-переходом, через которую пропускают ток величиной 1-100 мкА, на n-области которого выполнен контакт металл-тунельно-прозрачный окисел-полупроводник и омический контакт, между которыми прикладывают разность потенциалов 3-15 В, возникающие колебания имеют частоту от 1 кГц до 10 МГц и амплитуду от 5 до 20 мкА [Муравский Б.С., Куликов О.Н., Черный В.Н., Рекомбинационная неустойчивость тока в эпитаксиальных р+

Все перечисленные способы основаны на использовании твердотельных структур. Физико-химические свойства таких твердотельных структур имеют резкое отличие от биологических объектов (по геометрии, по форме, по плотности, по агрегатному состоянию вещества и т.д.), длительный контакт с ними приводит к осложнениям, внося существенные изменения в биологическую систему, чем затрудняет их применение в биологии и медицине.

Техническая задача состояла в разработке способа генерации электрических колебаний, частоты которых по своим параметрам близки к наблюдаемым у биологических объектов.

Техническая задача решается путем возбуждения колебаний частотой от 1 Гц до 10 МГц на структуре, содержащей водный раствор органического полупроводника p-типа, на который наносят органический полупроводник n-типа. Между электродами, погружаемыми в полупроводник n-типа, создают разность потенциалов от 5 до 70 В. В водный раствор органического полупроводника p-типа вводят электрод, через него и положительный электрод, погруженный в полупроводник n-типа, пропускают постоянный ток от 1 до 500 мкА.

В качестве органического полупроводника p-типа возможно применение тиазинового красителя метиленового голубого, концентрация водного раствора которого 1-20% или трифенилметанового красителя фуксина, концентрация водного раствора которого 1-20%, или глюкозы, концентрация водного раствора которой 1-50%. В качестве полупроводника n-типа использован анилин.

В отличие от прототипа данный способ генерирования электрических колебаний позволяет использовать жидкие полупроводниковые структуры, на которых можно получить электрические колебания частотой 1 Гц – 10 МГц, амплитудой 2 мкА – 30 мА. Характеристики полученных электрических колебаний близки к колебаниям наблюдаемых биологических объектов.

Из литературы не известны сведения о получении таких электрических колебаний на жидких органических полупроводниках и при указанных условиях. Следовательно, заявляемый способ является новым и обладает существенными отличиями.

На чертеже представлены схема устройства и его подключение для осуществления способа.

На поверхность раствора органического полупроводника p-типа 1 наносили жидкий органический полупроводник n-типа 2, в который погружали электроды 3 и 4. В раствор органического полупроводника, полупроводник p-типа 1, погружали электрод 5. Между электродами 3 и 4 были подключены последовательно сопротивление 6, с которого снимались электрические колебания, и источник питания 7, с помощью которого создавалась разность потенциалов. Для подачи постоянного тока между электродами 4 и 5, замыкали ключ 8, подсоединяли последовательно микроамперметр 9, контролирующий значение силы тока, источник постоянного напряжения 10 и высокоомный резистор 11.

Пример конкретного выполнения 1. Для создания генерации электрических колебаний брали ванночку из диэлектрического материала, в частном случае из пластмассы, шириной 5 мм и глубиной 3 мм (на чертеже не изображена), в которую наливали 10% водный раствор тиазинового красителя метиленового голубого в качестве органического полупроводника p-типа 1 в количестве 2,4×10-6 дм3. На полупроводник p-типа 1 нанесли анилин (Ч), являющийся полупроводником n-типа 2, в количестве 1,6×10-6 дм3. В него погружали два электрода 3 и 4, выполненные в виде медных игл, гальванически обработанных оловом, d=0,25 мм. Ключ 8 в цепи между электродами 4 и 5 был разомкнут. Источником питания 7 создавали на электродах 3 и 4 отрицательный и положительный потенциалы соответственно. Разность потенциалов была равна 30 В. Между электродами 3 и 4 подключали резистор 6 сопротивлением 200 Ом, с которого с помощью осциллографа (на чертеже не изображен) фиксировали электрические колебания, амплитуда которых была равна 10 мА и частота 950 Гц.

Пример 2 аналогичен примеру 1, но ключ 8 замыкали и, благодаря наличию в цепи между электродами 4 и 5 микроамперметра 9, источника постоянного питания 10, имеющего ЭДС, равную 9 В, и высокоомного резистора 11 сопротивлением 1 МОм, между электродами 4 и 5 дополнительно задавали силу тока в 50 мкА, на резисторе 6 возникали электрические колебания при приложении разности потенциалов 5 В между электродами 3 и 4. Частота релаксационных колебаний амплитудой 2 мкА при этом равнялась 20 кГц. Пример 3 аналогичен примеру 2, но в качестве растворенного в дистиллированной воде полупроводника p-типа 1 брали трифенилметановый краситель фуксин различной концентрации с шагом 5% от 1 до 20%. Увеличение концентрации фуксина более 20% не влияет на выходные параметры. Полученные данные отображены в таблице 1.

Пример 4 аналогичен примеру 2 за исключением того, что в качестве полупроводника p-типа 1 использовали тиазиновый краситель метиленовый голубой различной концентрации, растворенного его в дистиллированной воде, с шагом 5% от 1 до 20%. Увеличение концентрации тиазинового красителя метиленового голубого более 20% не влияет на выходные параметры. Полученные данные отображены в таблице 1. Пример 5 аналогичен примеру 2, но в качестве полупроводника p-типа использовали глюкозу различной концентрации, растворяя ее в дистиллированной воде, с шагом 10% от 1 до 50%. Увеличение концентрации глюкозы более 50% не влияет на выходные параметры. Полученные данные отображены в таблице 1.

Таблица 1.
Зависимость параметров колебаний от вида полупроводника p-типа и его концентрации.
№ примеров Полупроводник p-типа Концентрация водного раствора Частота генерируемых колебаний, Гц Амплитуда генерируемых колебаний, В Питающее напряжение, В
3 трифенил- 1% 15 0,02 30
метановый 5% 600 0,08 30
краситель 10% 1400 0,85 30
фуксин 15% 8200 1,46 30
20% 10000 1,8 30
4 Тиазиновый 1% 18 0,03 30
краситель 5% 450 0,15 30
метиленовый 10% 1300 0,9 30
голубой 15% 7500 1,5 30
20% 9800 1,85 30
5 Водный 1% 12 0,15 30
раствор 10% 380 0,5 30
глюкозы 20% 1300 1,2 30
30% 7600 1,35 30
40% 8200 1,86 30
50% 9600 2 30

При концентрациях меньших 1% полупроводника p-типа генерация не наблюдалась.

Пример 6. Для создания генерации электрических колебаний брали ванночку из диэлектрического материала, в частном случае из пластмассы, шириной 5 мм и глубиной 3 мм (на чертеже не изображена), в которую наливали 10% водный раствор тиазинового красителя метиленового голубого в качестве органического полупроводника p-типа 1 в количестве 2,4×10-6 дм3. На полупроводник p-типа 1 наносили анилин (Ч), являющийся полупроводником n-типа 2, в количестве 1,6×10-6 дм3. В него погружали два электрода 3 и 4, выполненные в виде медных игл, гальванически обработанных оловом, d=0,25 мм. Между электродами 3 и 4 подключали резистор 6 сопротивлением 200 Ом, с которого с помощью осциллографа (на чертеже не изображен) фиксировали электрические колебания. Ключ 8 в цепи между электродами 4 и 5 был замкнут. Источником питания 7 создавали на электродах 3 и 4 отрицательный и положительный потенциалы соответственно. Разность потенциалов изменяли с шагом 5 В между электродами 3 и 4 от 5 до 70 В. Благодаря наличию в цепи между электродами 4 и 5 микроамперметра 9, источника постоянного питания 10, имеющего ЭДС, равную 9 В, и высокоомного резистора 11 сопротивлением 1 МОм, между электродами 4 и 5 дополнительно задавали силу тока от 1 мкА до 500 мкА с шагом 50 мкА. При этом на резисторе 6 фиксировали релаксационные колебания, частота которых увеличивалась от 1 Гц до 10 МГц и рост амплитуды от 0,01 до 2 В. Результаты наблюдений занесены в таблицу 2.

Таблица 2.
Зависимость величины напряжения между электродами 3 и 4 и величины силы тока между электродами 4 и 5.
Питающее напряжение, В Величина тока между контактами 4 и 5, мкА Частота релаксационных колебаний, Гц Амплитуда импульсов, В
0,5
5 1 1 0,01
10 50 42 0,08
20 100 940 0,15
30 150 1200 0,34
40 200 8800 0,56
50 300 13000 1,2
60 400 860000 1,6
70 500 9500000 1,9
80 600

Из таблицы 2 следует, что использование напряжений величиной меньше 5 В нецелесообразно, так как не позволяет получить электрические колебания на резисторе 6. При напряжениях выше 70 В колебания на резисторе 6 не наблюдаются, так как нарушается строение устройства, позволяющего наблюдать колебания.

Формула изобретения

1. Способ генерирования электрических колебаний с частотами, близкими к наблюдаемым у биологических объектов, включающий пропускание электрического тока и приложение разности потенциалов к полупроводниковому генератору, отличающийся тем, что в генераторе в качестве полупроводника р-типа используют водный раствор органического полупроводника р-типа, на который наносят жидкий органический полупроводник n-типа с погруженными в него электродами, между которыми прикладывают разность потенциалов 5-70 В, а между электродом, имеющим положительный потенциал, и опущенным в полупроводник р-типа электродом пропускают ток от 1 до 500 мкА.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве органического полупроводника р-типа используют водный раствор трифенилметанового красителя фуксина с концентрацией от 1 до 20%.

3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве органического полупроводника р-типа используют водный раствор органического красителя метиленового голубого с концентрацией от 1 до 20%.

4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве органического полупроводника р-типа может быть использован водный раствор глюкозы с концентрацией от 1 до 50%.

5. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве органического полупроводника n-типа использован анилин.

РИСУНКИ

Categories: BD_2285000-2285999