Патент на изобретение №2282685

Published by on




РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ



ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА
ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ,
ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ
(19) RU (11) 2282685 (13) C2
(51) МПК

C30B29/10 (2006.01)
C30B28/02 (2006.01)

(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ

Статус: по данным на 28.12.2010 – прекратил действие

(21), (22) Заявка: 2004130185/15, 13.10.2004

(24) Дата начала отсчета срока действия патента:

13.10.2004

(43) Дата публикации заявки: 20.03.2006

(46) Опубликовано: 27.08.2006

(56) Список документов, цитированных в отчете о
поиске:
PICOZZI, SILVIA et al. Structural, electronic and magnetic properties of chalcopyrite magnetic semiconductors. A 1-st-principles study. “Journal of Vacuum Science & Technology, A: Vacuum, Surfaces and Films”, 20 (6), 2002, p.p.2023-2026; STN International, Database CA, AN 138:214013. ZHAO, YU-JUN et al. Possible impurity-induced ferromagnetism

Адрес для переписки:

119991, Москва, ГСП-1, Ленинский пр-кт, 31, Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН

(72) Автор(ы):

Новоторцев Владимир Михайлович (RU),
Маренкин Сергей Федорович (RU),
Королева Людмила Ивановна (RU),
Демин Роман Владимирович (RU),
Аминов Тельман Газизович (RU)

(73) Патентообладатель(и):

Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (RU)

(54) МАГНИТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ

(57) Реферат:

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам германия и кадмия, которые могут найти применение в спинтронике, где электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнитооптоэлектронных приборов. Предлагается полупроводниковый материал, характеризующийся температурой Кюри 329-355 К, который включает германий, кадмий, мышьяк и марганец, представляет собой тройное соединение арсенида германия и кадмия, легированное марганцем в количестве 1-6 мас.%, и отвечает формуле CdGeAs2, при этом в указанном тройном соединении атомами марганца замещаются как атомы кадмия, так и атомы германия. Изобретение позволяет получить материал с уникальным сочетанием полупроводниковых и ферромагнитных свойств, что делает его перспективным материалом для широкого практического использования. 1 табл., 2 ил.

(56) (продолжение):

CLASS=”b560m”in II-Ge-V2 chalcopyrite semiconductors. “Physical Review В: Condensed Matter and Material Physics”, 65 (9), 2002, 094415/1-094415/6; STN International, Database CA, AN 136:410278. SU 516321 A, 25.11.1976. US 6535327 B1, 18.03.2003. US 2004014244 A1, 22.01.2004.

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам германия и кадмия, которые могут найти применение в спинтронике, где электронный спин используется в качестве активного элемента для хранения и передачи информации, формирования интегральных и функциональных микросхем, конструирования новых магнитооптоэлектронных приборов.

Вышеуказанные тройные арсениды германия и кадмия относятся к классу арсенидов элементов второй и четвертой группы Периодической системы.

Известен арсенид галлия, легированный марганцем [Hideo Ohno. Properties of ferromagnetic III-Y semiconductors. Journal of magnetism and magnetic materials. 1999. V.209. P.110-129], с температурой магнитного упорядочения (температура Кюри) ТC110 К. Это вещество характеризуются тем, что оно кристаллизуются в кубической сингонии с кристаллической структурой типа цинковой обманки. Вышеуказанный арсенид может быть получен многократным прокаливанием соответствующих количеств исходных веществ в вакуумированных кварцевых ампулах.

К недостаткам описанного выше легированного арсенида галлия относится то, что он не может быть использован при создании элементов памяти, поскольку обладают низкой температурой Кюри, что исключает его применение в повседневных электронных приборах широкого спектра действия, работающих при комнатных температурах.

Ближайшим техническим решением поставленной задачи является магнитный полупроводник – тройной фосфид германия и кадмия, имеющий температуру Кюри ТC=320 К. [Новый магнитный полупроводник Cd1-xMnxGeP2. Г.А.Медведкин, Т.Ишибаши, Т.Ниши, К.Сато. ФТП, 2001, т.35, в.3, с.305-309].

К недостаткам указанного материала относятся:

– недостаточно высокая температура Кюри;

– неоднородное распределение элементов;

– невозможность изготовления объемных образцов.

Изобретение направлено на создание магнитного полупроводникового материала с температурой Кюри выше комнатной и с сочетанием полупроводниковых и ферромагнитных свойств.

Согласно изобретению, технический результат достигается тем, что предлагается магнитный полупроводниковый материал, характеризующийся температурой Кюри 329-355 К, который включает германий, кадмий, мышьяк и марганец, представляет собой тройное соединение арсенида германия и кадмия, легированное марганцем в количестве 1÷6 мас.%, и отвечает формуле CdGeAs2, при этом в указанном тройном соединении атомами марганца замещаются как атомы кадмия, так и атомы германия.

Указанный интервал концентрации марганца обусловлен тем, что при содержании Mn менее 1 мас.% полученный материал не обладает ферромагнитными свойствами, необходимыми при создании элементов памяти, а при содержании Mn более 6 мас.% материал становится многофазным и неоднородным по электрофизическим свойствам.

Тройной арсенид германия и кадмия, легированный марганцем в количестве 1÷6 мас.%, получают путем взаимодействия стехиометрических количеств исходных компонентов в вакуумированной кварцевой ампуле, покрытой пленкой углерода. Ампулу откачивают до остаточного давления 2·10-3 Па, герметизируют и помещают в печь, температуру которой медленно (20 град/час) повышают до 770°С. Ампулу выдерживают при этой температуре 180 час, затем быстро охлаждают до комнатной температуры со скоростью 5÷15 град/с. Выход тройного арсенида германия и кадмия, легированного марганцем, составляет 99.9%.

Параметры полученного материала контролировали посредством электронно-микрозондового, дифференциально-термического и рентгенофазового анализов. Данные анализов свидетельствуют о том, что полученный тройной арсенид германия и кадмия, легированный марганцем, однофазен.

На фиг.1 представлены кривые температурной зависимости намагниченности тройного арсенида германия и кадмия, легированного 1÷6 мас.% Mn.

На фиг.2 представлена зависимость параметра а элементарной ячейки от содержания марганца в CdGeAs2.

Ниже приведены примеры предложенных составов заявленного материала.

Пример 1. Навески 0,317 г кадмия, 0,210 г германия, 0,463 г мышьяка и 0,01 г марганца, что соответствует составу арсенида германия и кадмия с 1 мас.% марганца. Полученный образец имеет температуру Кюри ТC=329 К.

Пример 2. Навески 0,297 г кадмия, 0,210 г германия, 0,463 г мышьяка и 0,03 г марганца, что соответствует составу арсенида германия и кадмия с 3 мас.% марганца. Полученный образец имеет температуру Кюри ТC=355 К.

Пример 3. Навески 0,267 г кадмия, 0,210 г германия, 0,463 г мышьяка и 0,06 г марганца, что соответствует составу арсенида германия и кадмия с 6 мас.% марганца. Полученный образец имеет температуру Кюри ТC=355 К.

Магнитные и электрофизические характеристики CdGeAs2 приведены в таблице.

Таблица.
Содержание Mn в CdGeAs2 масс.% Температура Кюри (ТC) К Температура перехода полупроводник – металл (Т) К
1 329 400
3 355 330
6 355 310

Как видно из таблицы и фиг.1, заявленный материал является ферромагнетиком с температурой Кюри ТC=329÷355 К, при этом обладает полупроводниковыми свойствами до достаточно высоких температур.

Из фиг.2 следует, что зависимость параметра а элементарной ячейки от состава твердых растворов CdGeAs2 не подчиняется закону Вегарда. С возрастанием концентрации Mn вначале параметр а уменьшается, а затем увеличивается вплоть до неоднофазной области. Такой характер зависимости свидетельствует о том, что марганец до содержания 3 мас.% преимущественно замещает кадмий, а затем начинает замещать германий вплоть до концентрации 6 мас.%. Можно утверждать, что заявленные составы твердых растворов CdGeAs2 в области концентраций марганца 3÷6 мас.% соответствуют химической формуле Cd1-xGe1-yMnx+yAs2.

Уникальное сочетание полупроводниковых и ферромагнитных свойств делает его перспективным материалом для широкого практического использования.

Формула изобретения

Магнитный полупроводниковый материал, характеризующийся температурой Кюри 329-355 К, который включает германий, кадмий, мышьяк и марганец, представляет собой тройное соединение арсенида германия и кадмия, легированное марганцем в количестве 1-6 мас.%, и отвечает формуле CdGeAs2, при этом в указанном тройном соединении атомами марганца замещаются как атомы кадмия, так и атомы германия.

РИСУНКИ


MM4A – Досрочное прекращение действия патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 14.10.2007

Извещение опубликовано: 27.06.2009 БИ: 18/2009


Categories: BD_2282000-2282999