|
(21), (22) Заявка: 2003104225/28, 12.02.2003
(24) Дата начала отсчета срока действия патента:
12.02.2003
(43) Дата публикации заявки: 10.09.2004
(46) Опубликовано: 27.07.2006
(56) Список документов, цитированных в отчете о поиске:
RU 2092863 C1, 10.10.1997. RU 2175761 С2, 10.11.2001. SU 1778820 A1, 30.11.1992. RU 2047930 C1, 10.11.1995.
Адрес для переписки:
109028, Москва, Б.Трехсвятительский пер., 3/12, МГИЭМ, отдел охраны интеллектуальной собственности, пат.пов. Т.В.Григорьевой
|
(72) Автор(ы):
Ивашов Евгений Николаевич (RU), Степочкин Андрей Андреевич (RU), Кузькин Владимир Иванович (RU)
(73) Патентообладатель(и):
Государственное образовательное учреждение высшего профессинального образования Московский государственный институт электроники и математики (Технический Университет) (RU)
|
(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАНОРЕЛЬЕФА ПОДЛОЖКИ
(57) Реферат:
Использование для определения нанорельефа подложки, выполненной из диэлектрического или полупроводникового материала. Сущность: основной зонд устанавливают под углом 55°-65° к подложке, вводят дополнительный зонд, который также устанавливают под углом 55°-65° к подложке и под углом 60°-70° к основному зонду. Основной и дополнительный зонды закрепляют на независимых дополнительных пьезоприводах, связанных с основным. Регулируют расстояние между остриями основного и дополнительного зонда до получения туннельного зазора, а измерение тока осуществляют в зондовой цепи между основным и дополнительными зондами. 1 ил.
Изобретение относится к области машиностроения, а более конкретно к способам определения нанорельефа поверхности.
Недостатком аналога является невозможность определения нанорельефа подложки, выполненного из диэлектрического или полупроводникового материала.
Недостатком прототипа также является невозможность определения нанорельефа подложки, выполненного из диэлектрического или полупроводникового материала.
В основу изобретения положена техническая задача, состоящая в том, чтобы обеспечить определение нанорельефа подложки, выполненного из диэлектрического или полупроводнивого материала.
Техническая задача решается тем, что в способе определения нанорельефа подложки, включающем сканирование над ней основного зонда посредством основного пьезопривода и измерения тока, протекающего в зондовой цепи с помощью прецизионного измерителя тока, согласно изобретению, основной зонд устанавливают под углом 55°-65° к подложке, вводят дополнительный зонд, который также устанавливают под углом 55°-65° к подложке и под углом 60°-70° к основному зонду, основной и дополнительный зонды закрепляют на независимых дополнительных пьезоприводах, связанных с основным, регулируют расстояние между остриями основного и дополнительного зондов до получения туннельного зазора, а измерение тока осуществляют в зондовой цепи между основным и дополнительными зондами.
Введение в способ определения нанорельефа подложки дополнительного зонда с последующим измерением величины тока, протекающего между основным и дополнительным зондами, обеспечивает изменение тока в этой цепи при туннельном взаимодействии с любой поверхностью, в том числе диэлектрической или полупроводниковой, что и позволяет обеспечить определение нанорельефа подложки, выполненного из любого материала, также его стехиометрические характеристики.
Сущность изобретения поясняется чертежом, где показана схема устройства, реализующего способ определения нанорельефа подложки.
Устройство, реализующее способ (см. чертеж), содержит основной пьезопривод 1, жестко связанный с основанием 2. На основном пьезоприводе 1 установлены дополнительные 3 и 4, к которым крепятся основной 5 и дополнительный 6 зонды с остриями 7 и 8 соответственно.
В зондовой цепи 5-6 установлен прецизионный измеритель тока 9, изолированный от подложки 10. Зонды 5, 6 установлены под углом 55°-65° к подложке и 60°-70° между собой.
Способ определения нанорельефа подложки реализуется следующим образом.
Регулируют расстояние между остриями 7, 8 основного и дополнительного зондов 5, 6 до получения туннельного зазора с соответствующим туннельным током, величину которого измеряют посредством прецизионного измерителя тока 9. Затем посредством основного пьезопривода 1 осуществляют сканирование над подложкой 10 системы из двух зондов 5, 6 и измеряют значение тока в зондовой цепи 5-6 посредством прецизионного измерителя тока 9. Величина тока в зондовой цепи 5-6 зависит не только от нанорельефа поверхности подложки 10, но и ее материала, т.к. у различных материалов, различные величины “туннельного облака” электронов вблизи поверхности.
Применение предложенного способа позволяет определить нанорельеф подложки из любого материала, а также его стехиометрические характеристики.
Формула изобретения
Способ определения нанорельефа подложки, включающий сканирование над ней основного зонда посредством основного пьезопривода и измерение тока, протекающего в зондовой цепи с помощью прецизионного измерителя тока, отличающийся тем, что основной зонд устанавливают под углом 55-65° к подложке, вводят дополнительный зонд, который также устанавливают под углом 55-65° к подложке и под углом 60-70° к основному зонду, основной и дополнительный зонды закрепляют на независимых дополнительных пьезоприводах, связанных с основным, регулируют расстояние между остриями основного и дополнительного зондов до получения туннельного зазора, а измерение туннельного тока, характеризующего нанорельеф подложки, осуществляют в зондовой цепи между основным и дополнительным зондами.
РИСУНКИ
MM4A – Досрочное прекращение действия патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Дата прекращения действия патента: 13.02.2008
Извещение опубликовано: 10.12.2009 БИ: 34/2009
|
|