Патент на изобретение №2156012
|
||||||||||||||||||||||||||
(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
(57) Реферат: Изобретение относится к электротехнике, а именно к преобразовательной технике, и может быть использовано в статистических преобразователях электрической энергии. Сущность: устройство содержит испаритель, который имеет вертикальные каналы кипения, соединенные между собой сверху горизонтальным паровым коллектором и снизу горизонтальным коллектором конденсата, герметичный корпус с внешним вертикальным оребрением и конденсатор с внутренними каналами конденсации, имеющими верхние входные отверстия пара и нижние выходные отверстия конденсата. Горизонтальный паровой коллектор соединен с верхними входными отверстиями пара паропроводом. Коллектор конденсата соединен с нижними выходными отверстиями конденсата наклонным конденсатопроводом. Каналы кипения и частично каналы конденсации заполнены жидким промежуточным теплоносителем. К испарителю с внешней стороны прикреплены один или несколько силовых полупроводниковых приборов. Внешнее оребрение корпуса выполнено параллельно каналам кипения и каналам конденсации. Технический результат заключается в повышении эффективности охлаждающего устройства типа двухфазного термосифона и снижении расхода дорогостоящего жидкого диэлектрика. 11. з.п. ф-лы, 2 ил. Изобретение относится к электротехнике, а именно к преобразовательной технике, и может быть использовано в статических преобразователях электрической энергии. Известно охлаждающее устройство для силовых полупроводниковых приборов (СПП) на основе цельнометаллических алюминиевых прессованных профилей (см. Охладители воздушных систем охлаждения для полупроводниковых приборов. М., Информэлектро, 1966, с. 31). Однако такие конструкции обладают низкой эффективностью теплоотвода и большой материалоемкостью. Наиболее близким техническим решением к заявляемому является устройство типа двухфазного термосифона для охлаждения СПП, состоящее из герметичного корпуса, частично заполненного промежуточным теплоносителем, испарителя с горизонтальными каналами кипения, полностью заполненными промежуточным теплоносителем и конденсатором, находящимся внутри герметичного корпуса. Испаритель, к внешней поверхности которого присоединен охлаждаемый СПП, соединен с конденсатором общим пароконденсатопроводом, расположенным в нижней части устройства (Исакеев А.И. и др. Эффективные способы охлаждения силовых полупроводниковых приборов. Л., Энергоиздат, 1982, с.105-111). Недостатком данной конструкции является то, что пары промежуточного теплоносителя и конденсат движутся встречно по одному гидравлическому пути, что значительно снижает эффективность устройства. Кроме того, данное устройство требует значительного расхода дорогостоящего жидкого легкокипящего диэлектрика, используемого в качестве промежуточного теплоносителя. Технический эффект заключается в повышении эффективности охлаждающего устройства типа двухфазного термосифона и снижении расхода дорогостоящего жидкого диэлектрика. Сущность изобретения заключается в том, что в устройстве для охлаждения силовых полупроводниковых приборов, содержащем герметичный корпус, частично заполненный промежуточным теплоносителем, внутри которого расположен конденсатор, испаритель с каналами кипения и конденсации, заполненными промежуточным теплоносителем, соединенный своей внешней поверхностью с охлаждаемым силовым полупроводниковым прибором, каналы кипения и конденсации, расположенные вертикально и параллельно друг другу, соединены между собой независимыми паропроводом сверху через паровой коллектор и наклонным конденсатопроводом снизу через коллектор конденсата, при этом внешнее оребрение корпуса выполнено параллельно каналам кипения и конденсации. Высота каналов кипения определена как Hк = (1,0 – 1,3) ![]() где Hк – высота каналов кипения, м; DСПП – диаметр контактной поверхности СПП, м. В качестве промежуточного теплоносителя использован диэлектрик-перфтортриэтиламин, при этом общая площадь каналов кипения определена как Sк = (2 – 4) ![]() ![]() где Sк – общая площадь каналов кипения, м2; PСПП – мощность тепловых потерь СПП, Вт. Количество вертикальных каналов кипения в ряду составляет N = (0,1 – 0,12) ![]() ![]() где N – количество вертикально каналов кипения в ряду. Количество рядов n вертикальных каналов определено как n = 1 при Sк ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() n > 1 при Sк > ![]() ![]() ![]() ![]() где n – количество рядов вертикальных каналов кипения; d – диаметр каналов кипения, м, d = 0,008 – 0,01 м. Площадь сечения вертикального паропровода равна ![]() где Sпар– площадь сечения паропровода, м2; r – удельная теплота парообразования жидкого диэлектрика, Дж/кг; ![]() (1,0 – 1,2) ![]() ![]() ![]() где S* – площадь входного отверстия пара в канал конденсации, м2; m – количество каналов конденсации. Вертикальные каналы кипения имеют внутреннее оребрение в виде резьбы с высотой и шагом зубьев 0,5 – 1 мм. Соотношение площадей сечения конденсатопровода и сечения нижнего выходного канала конденсации равно (1,0 – 1,2) ![]() ![]() ![]() где Sконд.пр – площадь сечения конденсатопровода, м2; S** – площадь нижнего выходного отверстия канала конденсации, м2. Соотношение площадей каналов кипения, каналов конденсации и внешней оребренной поверхности корпуса равно Sк ![]() ![]() ![]() ![]() где Sк – суммарная площадь внутренних поверхностей каналов кипения, м2; Sвн – суммарная площадь внутренних поверхностей каналов конденсации, м2; Sор – площадь внешней оребренной поверхности корпуса, м2. Соотношение площадей сечений паропровода и конденсатопровода равно Sконд.пр = (0,4 – 0,5) ![]() где Sконд.пр – площадь сечения наклонного конденсатопровода, м2; Sпар – площадь сечения вертикального паропровода, м2. При работе уровень жидкого диэлектрика в каналах кипения на 30-40% выше, чем в каналах конденсации. На фиг. 1 изображена конструкция устройства. На фиг. 2 – разрез устройства. Устройство для охлаждения силовых полупроводниковых приборов содержит испаритель 1, который имеет вертикальные каналы кипения 2, соединенные между собой сверху горизонтальным паровым коллектором 3 и снизу горизонтальным коллектором конденсата 4. Герметичный корпус 5 с внешним вертикальным оребрением 6 и конденсаторы с внутренними каналами конденсации 7, имеющими верхние входные отверстия пара 8 и нижние выходные отверстия конденсата 9. Горизонтальный паровой коллектор 3 соединен с верхними входными отверстиями 8 пара паропроводом 10. Коллектор конденсата 4 соединен с нижними выходными отверстиями 9 конденсата наклонным конденсатопроводом 11. Каналы кипения 2 и частично каналы конденсации 7 заполнены жидким промежуточным теплоносителем 12. К испарителю 1 с внешней стороны прикреплены один или несколько силовых полупроводниковых приборов 13. Внешнее оребрение 6 корпуса 5 выполнено параллельно каналам кипения 2 и каналам конденсации 7. Устройство работает следующим образом. При работе СПП 13 (одного или нескольких) мощность тепловых потерь PСПП передается испарителю 1, вертикальные каналы 2 которого заполнены промежуточным теплоносителем 12, например, диэлектрической жидкостью перфтортриэтиламином. Высота вертикальных каналов 2 Hк определена как Hк = (1,0 – 1,3) ![]() где DСПП – диаметр контактной поверхности СПП, м. Суммарная площадь внутренних поверхностей вертикальных каналов 2 при использовании перфтортриэтиламина определена как Sк = (2 – 4) ![]() ![]() Количество вертикальных каналов 2 устройства N в одном ряду определено как N = (0,1 – 0,12) ![]() ![]() Количество рядов вертикальных каналов 2 кипения данного устройства определено как n = 1 при Sк ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() n > 1 при Sк > ![]() ![]() ![]() ![]() Промежуточный теплоноситель 12 закипает в вертикальных каналах кипения 2, пар собирается в горизонтальном паровом коллекторе 3 и далее поступает в паропровод 10, площадь сечения которого Sпар как ![]() где r – удельная теплота парообразования жидкого диэлектрика, Дж/кг; ![]() (1,0 – 1,2) ![]() ![]() ![]() где m – количество каналов конденсации. В каналах конденсации 7 пар конденсируется за счет разности температур пара и внешней оребренной поверхности 6 герметичного корпуса 5. Соотношение между суммарной площадью поверхностей каналов кипения 2 Sк, суммарной площадью внутренних каналов конденсации 7 Sвн и площадью внешней оребренной поверхности 6 Sор равно: Sк ![]() ![]() ![]() Конденсат через выходные отверстия 9 конденсата попадает в наклонный конденсатопровод 11. Площадь сечения наклонного конденсатопровода Sконд.пр определена из условия Sконд.пр = (0,4 – 0,5) ![]() Соотношение между Sконд.пр и площадью выходных отверстий 9 конденсата S** определено: (1,0 – 1,2) ![]() ![]() ![]() Далее конденсат по наклонному конденсатопроводу 11 поступает в коллектор конденсата 4, который соединен с вертикальными каналами кипения 2. При работе устройства уровень жидкого диэлектрика в вертикальных каналах кипения 2 на 30-40% выше, чем в каналах конденсации 7. Причиной этому является следующее. Площадь сечения паропровода 10 значительно меньше суммарной площади сечений каналов конденсации 7. Соответственно скорость движения пара в паропроводе 10 значительно выше, чем в каналах конденсации 7. В динамичном режиме для обеспечения равенства давлений в паропроводе 10 и конденсаторе жидкость в каналах кипения “устремляемся” за выходящим с большой скоростью паром и уровень ее повышается. Кроме того, вырывающаяся с большой скоростью струя пара захватывает с собой частицы жидкости, которые забрызгивают (орошают) верхние (сухие в статике) участки каналов кипения, что также увеличивает эффективную площадь поверхности испарения. Все это позволяет сократить расход жидкого диэлектрика на 40-50%. В настоящее время в АО “Электровыпрямитель” (г. Саранск) проводятся исследования опытных образцов данного устройства. Предварительные результаты показывают, что предлагаемая конструкция имеет совокупные технико-экономические показатели на 20-25% выше по сравнению с существующими отечественными и зарубежными аналогами. Расход дорогостоящего жидкого диэлектрика снижается на 40-50%. Формула изобретения
Hк = (1,0 – 1,3) ![]() где Hк – высота каналов кипения, м; Dспп – диаметр контактной поверхности силового полупроводникового прибора, м. 3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве промежуточного теплоносителя использован диэлектрик-перфтортриэтиламин, при этом общая площадь каналов кипения равна Sк = (2 – 4) ![]() ![]() где Sк – общая площадь каналов кипения, м2; Pспп – мощность тепловых потерь силового полупроводникового прибора, Вт. 4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что количество вертикальных каналов кипения в ряду равно N = (0,1 – 0,12) ![]() ![]() где N – количество вертикальных каналов кипения в ряду. 5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что количество рядов вертикальных каналов кипения равно n = 1 при Sк ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() n ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() где n – количество рядов вертикальных каналов кипения; d – диаметр каналов кипения, м; d = 0,008 – 0,01 м. 6. Устройство по п.1, отличающееся тем, что площадь сечения вертикального паропровода равна ![]() где Sпар – площадь сечения паропровода, м2; r – удельная теплота парообразования жидкого диэлектрика, Дж/кг; ![]() (1,0 – 1,2) ![]() ![]() ![]() где S* – площадь входного отверстия пара в канал конденсации, м2; m – количество каналов конденсации. 8. Устройство по п.1, отличающееся тем, что вертикальные каналы кипения имеют внутреннее оребрение в виде резьбы с высотой и шагом зубьев 0,5 – 1 мм. 9. Устройство по п.1, отличающееся тем, что соотношение площадей сечения конденсатопровода и сечения нижнего выходного канала конденсации равно (1,0 – 1,2) ![]() ![]() ![]() где Sконд.пр – площадь сечения конденсатопровода, м2; S** – площадь нижнего выходного отверстия канал конденсации, м2. 10. Устройство по п.1, отличающееся тем, что соотношение площадей каналов кипения, каналов конденсации и внешней оребренной поверхности корпуса равно Sк ![]() ![]() ![]() где Sк – суммарная площадь внутренних поверхностей каналов кипения, м2; Sвн – суммарная площадь внутренних поверхностей каналов конденсации, м2; Sор – площадь внешней оребренной поверхности корпуса, м2. 11. Устройство по п.1, отличающееся тем, что соотношение площадей сечений паропровода и конденсатопровода равно Sконд.пр = (0,4 – 0,5) ![]() где Sконд.пр – площадь сечения наклонного конденсатопровода, м2; Sпар – площадь сечения вертикального паропровода, м2. 12. Устройство по п.1, отличающееся тем, что при работе уровень жидкого диэлектрика в каналах кипения на 30 – 40% выше, чем в каналах конденсации. РИСУНКИ
MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Дата прекращения действия патента: 17.09.2004
Извещение опубликовано: 10.12.2005 БИ: 34/2005
|
||||||||||||||||||||||||||