Патент на изобретение №2274853
|
||||||||||||||||||||||||||
(54) ДАТЧИК ДИОКСИДА АЗОТА
(57) Реферат:
Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей диоксида азота и других газов. Технический результат изобретения: повышение чувствительности и технологичности изготовления датчика, расширение его функциональных возможностей. Сущность: в датчике, содержащем полупроводниковое основание и подложку, полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки теллурида кадмия, легированного антимонидом индия, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. 3 ил.
Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей диоксида азота и других газов. Изобретение может быть использовано для решения задач экологического контроля. Известен датчик (детектор) по теплопроводности, действие которого основано на различии между теплопроводностью паров вещества и газа-носителя [1]. Однако чувствительность такого датчика (детектора) ограничивается на вещества с теплопроводностью, близкой к теплопроводности газа-носителя. Например, при использовании этого датчика для анализа диоксида азота точность определения невелика. Известен также датчик [2], основу газочувствительного элемента которого составляет сульфид свинца, позволяющий определять содержание диоксида азота с большей чувствительностью. Однако технология его изготовления сложна. Она связана с использованием многих реактивов и многих операций по приготовлению соответствующих растворов, их смешению и легированию полупроводниковой пленки, а именно: формирование полупроводниковой пленки осуществляется из реакционной смеси, содержащей соль свинца, тиомочевину, трехзамещенный лимоннокислый натрий, гидроокись аммония, хлористый или бромистый, или йодистый аммоний в мольном соотношении 1:12:7:80 (2, 6). Условия для легирования создаются путем введения в реакционную смесь галогенсодержащих солей. При такой технологии трудно гарантировать ожидаемый состав пленки. Ближайшим техническим решением к изобретению является датчик влажности газов, состоящий из полупроводникового основания, выполненного в виде поликристаллической пленки селенида цинка, легированного арсенидом галлия, с нанесенными на ее поверхность металлическими электродами и непроводящей подложки [3]. Недостатком известного устройства является его недостаточная чувствительность при контроле микропримесей диоксида азота. Задачей изобретения является повышение чувствительности и технологичности изготовления датчика. Поставленная задача решена за счет того, что в известном газовом датчике, содержащем полупроводниковое основание с нанесенными на его поверхность металлическими электродами и непроводящую подложку, полупроводниковое основание выполнено в виде поликристаллической пленки теллурида кадмия, легированного антимонидом индия, без нанесения на ее поверхность металлических электродов, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Сущность изобретения поясняется чертежами, где представлены на фиг.1 – конструкция заявляемого датчика, на фиг.2 – кривая зависимости величины адсорбции диоксида азота от температуры, на фиг.3 – градуировочная кривая зависимости изменения частоты колебания пьезокварцевого резонатора с нанесенной полупроводниковой пленкой ( Датчик состоит из полупроводникового основания 1, выполненного в виде поликристаллической пленки теллурида кадмия, легированного антимонидом индия, нанесенной на электродную площадку (2) пьезокварцевого резонатора 3 (фиг.1). Рабочий объем устройства менее 0,2 см3. Малые габариты устройства в сочетании с малой массой пленки-адсорбента позволяют снизить постоянную датчика по времени до 10-20 мс. Кроме того, исключается операция напыления на полупроводниковое основание металлических электродов, что повышает технологичность изготовления датчика. Принцип работы такого датчика основан на адсорбционно-десорбционных процессах, протекающих на полупроводниковой пленке, нанесенной на электродную площадку кварцевого резонатора, и вызывающих изменение его массы, а соответственно частоты. Работа датчика осуществляется следующим образом. Датчик помещают в находящуюся при комнатной температуре камеру (ею может быть обычная стеклянная трубка), через которую пропускают (или в которой выдерживают) анализируемый на содержание диоксида азота газ. При контакте пропускаемого газа с поверхностью полупроводниковой пленки CdTe(InSb) происходит избирательная адсорбция молекул NO2, увеличение массы композиции “пленка – кварцевый резонатор” и изменение частоты колебания последнего. По величие изменения частоты с помощью градуировочных кривых можно определить содержание диоксида азота в исследуемой среде. Из анализа приведенной на фиг.3 типичной градуировочной кривой, полученной с помощью заявляемого датчика и выражающей зависимость Конструкция заявляемого датчика позволяет также улучшить и другие его характеристики: быстродействие, регенирируемость, способность работать не только в статическом, но и динамическом режиме. Источники информации 1. Вяхирев Д.А., Шушукова А.Ф. Руководство по газовой хроматографии. М.: Высш. школа, 1987. 2. Патент №2143677, М. Кл. G 01 № 27112, 1999 /В.Ф.Марков, Л.Н.Маскаева, С.Н.Уймин, Н.В.Маркова. 3. Патент №2161794, М. Кл. G 01 № 27/12, 25/56.
Формула изобретения
Датчик диоксида азота, содержащий полупроводниковое основание и подложку, отличающийся тем, что полупроводниковое основание выполнено из поликристаллической пленки теллурида кадмия, легированного антимонидом индия, а подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого генератора.
РИСУНКИ
MM4A – Досрочное прекращение действия патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Дата прекращения действия патента: 13.07.2007
Извещение опубликовано: 27.02.2009 БИ: 06/2009
|
||||||||||||||||||||||||||
f) в процессе адсорбции при комнатной температуре от начального давления 
