Патент на изобретение №2255151

(54) ТРОЙНОЙ ХАЛЬКОГЕНИДНЫЙ МОНОКРИСТАЛЛ ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО ВЫРАЩИВАНИЯ

(57) Реферат:

Изобретение относится к кристаллам тройных халькогенидов, предназначенных к применению в квантовой электронике и оптоэлектронике. Сущность изобретения: тройной халькогенидный монокристалл характеризуется тем, что имеет химическую формулу LiGaTe₂, пространственную группу I42d тетрагональной симметрии, параметры решетки а=6,338Å, с=11,704Å, объем элементарной ячейки V=470,1Å, координационное число Z=16, плотность 4,689 г/см³ и выращен методом Бриджмена-Стокбаргера с предварительным синтезом соединения из элементарных компонентов Li, Ga, Те. Монокристалл LiGaTe₂ способен к преобразованию лазерного излучения в ИК-области спектра от длины волны не менее 520 нм и до 20 мкм. Создан новый литийсодержащий тройной халькогенидный монокристалл, пригодный для использования в оптике среднего ИК-диапазона. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

(56) (продолжение):

CLASS=”b560m”of LiGaSe2. “Journal of Applied Physics”, 1981, 52, N70, 6441-6443. ГУСЕЙНОВ Д.Т. и др. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов AgGaTe2. “Некотор. вопр. эксперим. и теор. физ.” Баку, 1977, 98-101.

Изобретение относится к кристаллам тройных халькогенидов, предназначенных к применению в квантовой электронике и оптоэлектронике, в частности для работы в ИК-диапазоне.

Кристаллы халькогенидов являются перспективными нелинейно-оптическими материалами для среднего инфракрасного диапазона. В настоящее время наиболее широкое распространение в качестве материалов для преобразования лазерного излучения в среднем ИК-диапазоне находят такие тройные халькогениды, как тиогаллат серебра AgGaS₂, селеногаллат серебра AgGaSe₂ и тиогаллат ртути HgGa₂S₄ (см., например, Fan Y.X., Eckardt R.L., Byer R.K. and etc. Appl. Phys. Lett, 45, 1984, 313; Eckardt R.L., Fan Y.X., Byer R.K. and etc. Appl. Phys. Lett, 49, 1986, 608). Недостатками этих материалов являются: во-первых, большое двухфотонное поглощение, что неизбежно ухудшает эффективность преобразования лазерного излучения, во-вторых, для AgGaS₂ характерна сильная анизотропия теплового расширения и низкая теплопроводность, что не позволяет использовать материал при больших мощностях излучения и в AgGaSe₂ и HgGa₂S₄, несмотря на достаточно высокую эффективность преобразования, рабочий диапазон длин волн смещен дальше в ИК-область, что также сокращает возможность их применения.

В работе, Shunemann P.O., Setzler S.D., Pollak T.M. and etc. Crystal growth and properties of AgGaTe₂, Journal of Crystal Growth, 2000, 211, p.242-246 (прототип), показано усиление нелинейных свойств тройных халькогенидов в ряду AgGaS₂, AgGaSe₂, AgGaTe₂, что приводит к возрастанию способности кристаллов к преобразованию лазерных излучений. Авторы изобретения на примере кристаллов LilnS₂ и LilnSe₂ показали, что замена в тройном халькогениде атома серебра на атом лития обеспечивает увеличение ширины запрещенной зоны материала, то есть к сдвигу края пропускания в видимую область (Isaenko L., Yelisseyev A, Lobanov S., Petrov V., Rotermund F., Slekys G., Zondy J.-J. LilnSe₂: A biaxial ternary chalcogenide crystal for nonlinear optical application in the midinfrared – Journal of Applied Physics, 2002, v.91. No. 12, p.9475-80).

На основании данных представлений решена задача – создание нового литий-содержащего тройного халькогенидного монокристалла, пригодного для использования в оптике среднего ИК–диапазона.

Созданный монокристалл характеризуется тем, что имеет химическую формулу LiGaTe₂ (LGTe), пространственную группу I42d тетрагональной симметрии, параметры решетки а=6,338Å, с=11,704Å, объем элементарной ячейки V=470,1Å, координационное число Z=16, плотность 4,689 г/см³. Температура плавления Т_пл.=675+5°С. Структура монокристалла LiGaTe₂ формируется с образованием тетрапор. Ближайшее к тетрапорам атомное окружение неоднородно. Иначе говоря, катионы вдоль оси z расположены неравномерно по отношению к тетрапорам, отсутствует центр инверсии. Такая структурная анизотропия обусловливает нелинейные свойства LiGaTe₂.

Монокристалл LGTe способен к преобразованию лазерного излучения в ИК-области спектра от длины волны не менее 520 нм и до 20 мкм, при этом ширина запрещенной зоны (Eg) LiGaTe₂ составляет 2,25 эв при Т=300 К, а у известного AgGaTe₂ – 1,3 эв. Кроме того, замена в тройном халькогениде атома серебра на атом лития обеспечивает увеличение теплопроводности и, следовательно, уменьшение потери в результате двуфотонного поглощения, что обеспечивает повышение лучевой прочности, уменьшает анизотропию температурного расширения вдоль трех основных кристаллографических направлений, что снимает проблемы в процессе осуществления просветляющих покрытий на оптические поверхности кристалла, что существенно снижает потери выходной мощности при получении генерации.

Монокристалл LGTe выращен методом Бриджмена – Стокбаргера с предварительным синтезом соединения из элементарных компонентов Li, Ga, Те.

На фиг.1 представлена кристаллическая структура монокристалла LiGaTe₂.

На фиг.2 изображен спектр пропускания образца LiGaTe₂

Соединение LGTe образуется в результате химического взаимодействия между элементарными исходными компонентами при высокой температуре по реакции: Li+Ga+2Те=LiGаТе₂.

Для получения монокристаллического образца LiGaTe₂ используют исходные элементарные компоненты: литий марки ОСЧ массой 0,520 г, теллур марки ОСЧ массой 21,100 г и галлий квалификации 5N массой 5,220 г. Взвешивание проводится с точностью 0,004 г. Исходные компоненты помещают в графитовый тигель, а тигель в кварцевую ампулу. Ампулу откачивают на вакуумной установке до остаточного давления 10^-2-10^-3 мм рт. ст., после чего отпаивают. Сплавление компонентов проводят в печи, прогретой до 800°С. Ампулу постепенно вдвигают в прогретую лечь и выдерживают в ней в течение 2 часов, после чего печь выключают. Ампулу с контейнером ставят в двухзонную печь сопротивления, управляемую регуляторами температуры ВРТ-2. Выращивание кристаллов проводят по методу Бриджмена-Стокбаргера. Печь нагревают, доводя шихту до плавления. Температуру верхней зоны поддерживают на 80-180°С выше температуры нижней зоны, обеспечивая температурный градиент 1-2°С/мм. Перемещение ампулы составляло 2-10 мм в сутки. Получены монокристаллические блоки LiGaTe₂ массой до 20 г.

Формула изобретения

1. Тройной халькогенидный монокристалл, характеризующийся тем, что имеет химическую формулу LiGaTe₂, пространственную группу I42d тетрагональной симметрии, параметры решетки а=6,338 Å, с=11,704 Å, объем элементарной ячейки V=470,1 Å, координационное число Z=16, плотность 4,689 г/см³.

2. Монокристалл по п.1, отличающийся тем, что монокристалл LiGaTe₂ способен к преобразованию лазерного излучения в ИК области спектра от длины волны не менее 520 нм и до 20 мкм.

3. Способ выращивания монокристалла тройного халькогенида формулы LiGaTe₂, заключающийся в том, что указанный кристалл выращивают методом Бриджмена-Стокбаргера с предварительным синтезом соединения из элементарных компонентов Li, Ga, Те.

РИСУНКИ

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 05.12.2005

Извещение опубликовано: 27.01.2007 БИ: 03/2007

NF4A Восстановление действия патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение

Дата, с которой действие патента восстановлено: 27.12.2008

Извещение опубликовано: 27.12.2008 БИ: 36/2008

PD4A – Изменение наименования обладателя патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение

(73) Новое наименование патентообладателя:

Институт геологии и минералогии Сибирского отделения Российской академии наук (RU)

Адрес для переписки:

630090, г. Новосибирск, пр-кт Академика Коптюга, 3, ИГМ СО РАН

Извещение опубликовано: 10.01.2009 БИ: 01/2009