|
(21), (22) Заявка: 2003131559/28, 27.10.2003
(24) Дата начала отсчета срока действия патента:
27.10.2003
(45) Опубликовано: 27.05.2005
(56) Список документов, цитированных в отчете о поиске:
RU 2098839 C1, 10.12.1997. SU 490047 A, 31.03.1976. SU 151403 A1, 01.01.1962. SU 1647478 A1, 07.05.1991.
Адрес для переписки:
394026, г.Воронеж, Московский пр-т, 14, ВГТУ, патентный отдел
|
(72) Автор(ы):
Горлов М.И. (RU), Андреев А.В. (RU), Ануфриев Л.П. (RU)
(73) Патентообладатель(и):
Воронежский государственный технический университет (RU)
|
(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕСТАБИЛЬНЫХ ТРАНЗИСТРОВ
(57) Реферат:
Использование: в микроэлектронике на этапе серийного производства полупроводниковых изделий, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры. Сущность изобретения: в способе определения потенциально нестабильных транзисторов, после предварительных результатов испытаний для каждого типа транзисторов проводят испытания на стабильность в постоянном режиме измерения коэффициента усиления по току в течение 20-30 минут, по результатам которых судят о стабильности транзисторов. Техническим результатом изобретения является сокращение времени испытаний при отсутствии воздействия током стрессовой плотности. 4 табл.
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к обеспечению качества и надежности транзисторов за счет определения потенциально нестабильных транзисторов. Изобретение может быть использовано на этапе серийного производства полупроводниковых изделий, а также на входном контроле при производстве радиоаппаратуры.
Наиболее близким аналогом являются способ [1], применяемый для разделения партии транзисторов, состоящий в том, что на транзисторы в процессе испытаний воздействуют импульсом тока высокой плотности и проводят отбраковку транзисторов по величине токов утечки. Недостатки данного способа: необходимость испытания приборов током стрессовой плотности, приводящая к снижению надежности испытуемых транзисторов, и продолжительное время испытаний.
Изобретение направлено на устранение указанных недостатков, а именно: в предлагаемом способе отсутствует воздействие током стрессовой плотности, а время испытаний значительно сокращено.
Это достигается тем, что в предлагаемом способе определения потенциально нестабильных транзисторов измерения токов утечки до и после испытаний заменены неоднократным измерением коэффициента усиления по току h21э в процессе испытаний.
Способ осуществляют следующим образом. В процессе испытаний транзисторов проводятся десятикратные измерения коэффициента усиления по току через 2 мин для маломощных и средней мощности транзисторов и через 5 мин для мощных транзисторов. Если коэффициент усиления h21э при этих измерениях стабилен с точностью до ±2 единиц, то проводятся испытания в режиме контроля h21э в течение 20-30 мин с регулярной фиксацией значения h21э, по которым судят о стабильности транзисторов. Для каждого типа транзисторов предварительно устанавливают критерий стабильности по параметру h21э при испытаниях.
В качестве примера приведем реализацию данного способа на партиях транзисторов типа КТ209Е (маломощный), КТ814Г (средней мощности) и КТ819Г (мощный). На первом этапе все транзисторы при десятикратном последовательном измерении параметра h21э имеют стабильные значения (в пределах ±2 единиц). На втором этапе транзисторы испытывались в течение 20 мин и данные представлены в табл.1-3. Коэффициент стабильности значений параметра h21э, определенный из формулы , представлен в табл.4.
Таблица 1 |
№ тр-ра |
Значение h21э у транзисторов типа КТ209Е при постоянном режиме измерений через |
|
0 |
5 мин |
10 мин |
15 мин |
20 мин |
1 |
210 |
175 |
210 |
210 |
175 |
2 |
175 |
175 |
175 |
175 |
175 |
3 |
170 |
170 |
170 |
170 |
170 |
4 |
200 |
200 |
200 |
200 |
200 |
5 |
145 |
145 |
145 |
145 |
145 |
6 |
220 |
220 |
220 |
220 |
220 |
7 |
165 |
165 |
200 |
200 |
200 |
8 |
185 |
185 |
188 |
185 |
185 |
Таблица 2 |
№ тр-ра |
Значение h21э У транзисторов типа КТ814Г при постоянном режиме измерений через |
|
0 |
5 мин |
10 мин |
15 мин |
20 мин |
1 |
250 |
Отказ |
2 |
350 |
350 |
430 |
466 |
466 |
3 |
460 |
460 |
560 |
620 |
620 |
4 |
560 |
466 |
620 |
700 |
620 |
5 |
350 |
Отказ |
6 |
466 |
466 |
466 |
466 |
466 |
7 |
450 |
400 |
450 |
560 |
560 |
8 |
440 |
440 |
545 |
545 |
545 |
Таблица 3 |
№ тр-ра |
Значение h21э транзисторов типа КТ819Г при постоянном режима измерений через |
|
0 |
5 мин |
10 мин |
15 мин |
20 мин |
1 |
138 |
140 |
138 |
138 |
138 |
2 |
104 |
105 |
104 |
104 |
104 |
3 |
130 |
130 |
130 |
130 |
130 |
4 |
135 |
135 |
135 |
135 |
135 |
5 |
137 |
137 |
137 |
137 |
137 |
6 |
114 |
114 |
114 |
110 |
110 |
7 |
117 |
117 |
117 |
117 |
117 |
8 |
108 |
108 |
108 |
106 |
108 |
Таблица 4 |
№ тр-ра |
Коэффициент нестабильности k для транзисторов типа |
|
КТ209Е |
КТ814Г |
КТ819Г |
1 |
0,83 |
Отказ |
1 |
2 |
1 |
1,33 |
1 |
3 |
1 |
1,34 |
1 |
4 |
1 |
1,25-1,1 |
1 |
5 |
1 |
Отказ |
1 |
6 |
1 |
1 |
0,96 |
7 |
1,2 |
1,2 |
1 |
8 |
1 |
1,23 |
1 |
Из табл. 4 видно, что для транзисторов КТ209Е можно установить величину k=1,0; для транзисторов КТ814Г – k=1,25; для транзисторов типа KT819r – k=1,0.
Видно, что наименьшую стабильность имеют транзисторы типа КТ814Г и при испытаниях имеются катастрофические отказы. По-видимому, партия транзисторов, из которой взята выборка, не прошла ЭТТ в процессе серийного производства.
ИСТОЧНИКИ ИНФОРМАЦИИ
1. Патент РФ №2098839 С2, G 01 R 31/26, 31/28, 1997.
2. Горлов М.И., Ануфриев Л.Н., Бордюжа О.Л. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства – Минск: Интеграл, 1997, 390 с.
Формула изобретения
Способ определения потенциально нестабильных транзисторов, заключающийся в измерении коэффициента усиления по току, отличающийся тем, что после предварительных результатов испытаний для каждого типа транзисторов проводят испытания на стабильность в постоянном режиме измерения коэффициента усиления по току в течение 20-30 мин, по результатам которых судят о стабильности транзисторов.
MM4A – Досрочное прекращение действия патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Дата прекращения действия патента: 28.10.2005
Извещение опубликовано: 20.06.2007 БИ: 17/2007
|
|