Патент на изобретение №2251073

Published by on




РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ



ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА
ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ,
ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ
(19) RU (11) 2251073 (13) C2
(51) МПК 7
G01B15/02, G01R27/26
(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ

Статус: по данным на 27.01.2011 – прекратил действие

(21), (22) Заявка: 2002105214/28, 26.02.2002

(24) Дата начала отсчета срока действия патента:

26.02.2002

(43) Дата публикации заявки: 20.10.2003

(45) Опубликовано: 27.04.2005

(56) Список документов, цитированных в отчете о
поиске:
Приборы для неразрушающего контроля материалов и изделий. Справочник под ред. В.В.Клюева. – М.: Машиностроение, 1986, с.120-125. SU 1103069 А, 15.07.1984. SU 310109 А, 26.09.1971. US 4818930 А, 04.04.1989. ЕР 0529790 А1, 03.03.1993.

Адрес для переписки:

392006, г.Тамбов, ТВАИИ, научно-исследовательский отдел

(72) Автор(ы):

Федюнин П.А. (RU),
Карев Д.В. (RU),
Дмитриев Д.А. (RU),
Каберов С.Р. (RU)

(73) Патентообладатель(и):

Тамбовский военный авиационный инженерный институт (RU)

(54) СВЧ СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ МАГНИТОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ И ТОЛЩИНЫ СПИНОВЫХ ПОКРЫТИЙ НА МЕТАЛЛЕ

(57) Реферат:

Изобретение относится к измерениям диэлектрической и магнитной проницаемостей, а также толщины спиновых покрытий на поверхности металла и может быть использовано при контроле состава и свойств жидких и твердых сред в химической и других отраслях промышленности. Способ заключается в создании электромагнитного поля в объеме контролируемого диэлектрического материала на электропроводящей подложке, последовательном возбуждении медленных поверхностных волн: двух Е-волн на разных, но близких длинах волн Г1, Г2 и одной Н-волны с длиной Г3, измерении затухания напряженности поля в нормальной плоскости относительно направления распространения волны с помощью системы приемных вибраторов при разных значениях базы d между ними и рассчете коэффициентов нормального затухания Е1, E2, Н из выражения Е(y)=Е0 ехр[-(y)·y] и определении магнитной и диэлектрической проницаемости и толщины магнитодиэлектрического покрытия из формул:

где – коэффициент фазы H-волны. 1 ил.

Предлагаемое изобретение относится к способам измерения диэлектрической и магнитной проницаемостей, а также толщины спиновых покрытий на поверхности металла и может быть использовано при контроле состава и свойств жидких и твердых сред в химической и других отраслях промышленности.

Известен способ определения толщины покрытий на изделиях из ферромагнитных материалов, в основу которого положен пондероматорный принцип (см. Приборы для неразрушающего контроля материалов и изделий. Справочник под. ред. В.В.Клюева. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Машиностроение, 1986. С.58).

Этот способ обладает следующими недостатками: не позволяет быстродействующего сканирования больших поверхностей и нечувствителен к изменению диэлектрической и магнитной проницаемости.

Известен способ определения свойств контролируемого материала с использованием двухэлектродных или трехэлектродных емкостных преобразователей (см. Бугров А.В. Высокочастотные емкостные преобразователи и приборы контроля качества. – М.: Машиностроение, 1982. С.44). В общем случае свойства преобразователя зависят как от размеров, конфигурации и взаимного расположения электродов, так и от формы, электрофизических свойств контролируемого материала и его расположения по отношению к электродам.

Недостатками такого способа являются: невозможность быстродействующего сканирования больших поверхностей, отсутствие возможности измерения магнитной проницаемости, и зависимость точности измерения толщины диэлектрического покрытия от вариации диэлектрической проницаемости.

Известен способ определения толщины диэлектрических покрытий на электропроводящей основе (см. Приборы для неразрушающего контроля

материалов и изделий. Справочник под. ред. В.В.Клюева. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Машиностроение, 1986. С.120-125), взятый нами за прототип, заключающийся в создании вихревых токов в электропроводящей подложке и последующей регистрации комплексных напряжений V или сопротивлений Z вихретокового преобразователя как функции электропроводности подложки и величины зазора между преобразователем и подложкой.

Недостатками данного способа являются: зависимость точности измерения толщины покрытия от зазора между преобразователем и подложкой, отсутствие возможности измерения диэлектрической и магнитной проницаемости покрытия, высокая чувствительность к изменению параметров подложки (удельной электропроводности и магнитной проницаемости) и малое быстродействие сканирования больших поверхностей.

Техническим результатом изобретения является повышение точности определения толщины покрытия b, а также расширение функциональных возможностей (дополнительное определение диэлектрической и магнитной проницаемостей).

Сущность изобретения состоит в том, что в способе определения толщины диэлектрических покрытий на электропроводящей основе, заключающемся в создании электромагнитного поля в объеме контролируемого диэлектрического материала на электропроводящей подложке и последующей регистрации изменения параметров преобразователя, характеризующих высокочастотное поле, последовательно возбуждают медленные поверхностные волны: две E-волны на разных, но близких длинах волн Г1, Г2 и одну Н-волну с длиной Г3, с помощью системы приемных вибраторов при разных значениях базы d между ними измеряют напряженность поля E0 над диэлектрическим покрытием на расстоянии y0 и Е(y) на расстоянии у в нормальной плоскости относительно направления распространения волны, рассчитывают коэффициенты нормального затухания поверхностных медленных волн Е1, Е2, Н из выражения Е(y)=Е0еxр[-а(y)·y] и определяют магнитную и диэлектрическую проницаемости и толщину b магнитодиэлектрического покрытия из формул:

где 3= – коэффициент фазы H – волны.

Сущность предлагаемого способа измерения магнитодиэлекрических параметров и толщины спиновых покрытий на металле поясняется следующим (чертеж). С помощью устройства возбуждения медленных поверхностных волн (рупор) 1 вдоль диэлектрического покрытия 3 на электропроводящей металлической подложке 2 последовательно возбуждают медленные поверхностные волны: две Е-волны на разных, но близких длинах волн Г1, Г2 и одну Н-волну с длиной Г3 С помощью системы приемных вибраторов 4 при разных значениях базы d=y-y0=y между ними измеряют напряженность поля Е0 над диэлектрическим покрытием на расстоянии y0 и Е(y) на расстоянии y в нормальной плоскости относительно направления распространения для каждого типа волн. Условием пренебрежения влияния геометрического и электрофизического градиента исследуемого слоя является измерение при малом значении базы d между приемными вибраторами (чертеж) и на малой высоте у0.

При этом коэффициенты нормального затухания E1, E2, H рассчитывают из выражения Е(y)=e0 ехр[-(y)·y], считая (y)==const.

Решают систему уравнений:

и определяют магнитную проницаемость , диэлектрическую проницаемость и толщину b магнитодиэлектрического покрытия.

Аналитическое решение системы трансцендентных уравнений (1)…(3) при условии, что параметр записывается в виде системы арифметических уравнений:

Решение системы уравнений (1)…(3) или (4)…(6), дает значения локализованных величин , и b.

Переводят приемные вибраторы в другую точку исследуемой поверхности, делая шаг, пропорциональный значению градиента коэффициента затухания, и повторяют предыдущий измерительно-вычислительный алгоритм.

Таким образом, предлагаемый способ позволяет наряду с определением толщины определять диэлектрическую и магнитную проницаемости покрытия. А так как измерения относительные и не зависят от расстояния вибраторов от поверхности, то не требуется специальных мер отстройки от зазора, что повышает точность и дает возможность быстрого сканирования поверхности без перемещения возбудителя поверхностных волн. На результат измерений не сказывается также изменение удельной электропроводности и магнитной проницаемости подложки, так как глубина проникновения электромагнитной волны в глубь проводящей подложки составляет доли микрон (например, для меди), что значительно (на несколько порядков) меньше измеряемой толщины.

Формула изобретения

СВЧ способ измерения магнитодиэлекрических параметров и толщины спиновых покрытий на металле, заключающийся в создании электромагнитного поля в объеме контролируемого диэлектрического материала на электропроводящей основе и последующей регистрации изменения параметров преобразователя, характеризующих высокочастотное поле, отличающийся тем, что последовательно возбуждают медленные поверхностные волны: две Е-волны на разных, но близких длинах волн Г1, Г2 и одну Н-волну с длиной Г3, с помощью системы приемных вибраторов при разных значениях базы d между ними измеряют напряженность поля Е0 над диэлектрическим покрытием на расстоянии y0 и Е(y) на расстоянии у в нормальной плоскости относительно направления распространения волны, рассчитывают коэффициенты нормального затухания поверхностных медленных волн E1, E2, Н из выражения Е(y)=Е0ехр[-(y)·y] и определяют магнитную и диэлектрическую проницаемости и толщину b магнитодиэлектрического покрытия из формул:

где – коэффициент фазы H -волны.

РИСУНКИ


MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Извещение опубликовано: 10.07.2006 БИ: 19/2006


Categories: BD_2251000-2251999