Патент на изобретение №2249178

Published by on




РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ



ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА
ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ,
ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ
(19) RU (11) 2249178 (13) C2
(51) МПК 7
G01B15/02, G01R27/26
(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ

Статус: по данным на 27.01.2011 – прекратил действие

(21), (22) Заявка: 2003106528/28, 07.03.2003

(24) Дата начала отсчета срока действия патента:

07.03.2003

(43) Дата публикации заявки: 10.09.2004

(45) Опубликовано: 27.03.2005

(56) Список документов, цитированных в отчете о
поиске:
Брандт А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. – М.: Физматгиз, 1963, с.290-294. SU 310109 А, 26.07.1971. US 4818930 А, 04.04.1989.

Адрес для переписки:

392006, г.Тамбов, ТВАИИ, научно-исследовательский отдел, ТВАИИ

(72) Автор(ы):

Федюнин П.А. (RU),
Каберов С.Р. (RU),
Дмитриев Д.А. (RU),
Федоров Н.П. (RU)

(73) Патентообладатель(и):

Тамбовский военный авиационный инженерный институт (RU)

(54) СВЧ-СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОМПЛЕКСНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ И ТОЛЩИНЫ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИН

(57) Реферат:

Способ может быть использован для контроля состава и свойств материалов в процессе их производства и в эксплуатации. С помощью направленной антенны возбуждают Е-волну, падающую на диэлектрическую пластину. По минимуму поля отраженной волны определяют угол Брюстера падающей волны и рассчитывают величину диэлектрической проницаемости. Измеряют мощности падающей и отраженной волн, определяют величину коэффициента отражения и рассчитывают удельную проводимость и величину диэлектрических потерь диэлектрической пластины. Увеличивают угол падения электромагнитной волны до величины, обеспечивающей полное внутреннее отражение электромагнитной волны, измеряют затухание напряженности поля в нормальной плоскости относительно направления распространения волны, рассчитывают коэффициенты нормального затухания и толщину диэлектрической пластины. Способ позволяет определять комплексную диэлектрическую проницаемость и толщину диэлектрических пластин, не имеющих диэлектрической подложки. 1 ил.

Изобретение относится к способам измерения диэлектрической проницаемости, а также толщины диэлектрических пластин и может быть использовано для контроля и регулирования состава и свойств материалов в процессе их производства и эксплуатации.

Известен способ определения толщины покрытий на изделиях из ферромагнитных материалов, в основу которого положен пондеромоторный принцип (см. Приборы для неразрушающею контроля материалов и изделий. Справочник под. ред. В.В.Клюева. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Машиностроение, 1986, с.58).

Этот способ обладает следующими недостатками: не допускает быстродействующего сканирования больших поверхностей и нечувствителен к изменению диэлектрической проницаемости.

Известен способ определения толщины диэлектрических покрытий на электропроводящей основе (см. Приборы для неразрушающего контроля материалов и изделий. Справочник под. ред. В.В.Клюева. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Машиностроение, 1986, с.120-125), заключающийся в создании вихревых токов в электропроводящей подложке и последующей регистрации комплексных напряжений или сопротивлений вихретокового преобразователя как функции электропроводности подложки и величины зазора между преобразователем и подложкой.

Недостатками данного способа являются наличие металлической подложки, что влечет за собой зависимость точности измерения толщины покрытия от зазора между преобразователем и подложкой, отсутствие возможности измерения диэлектрической проницаемости покрытия или пластины, высокая чувствительность к изменению параметров подложки (удельной электропроводности и магнитной проницаемости) и малое быстродействие сканирования больших поверхностей.

Известен, принятый за прототип, способ определения диэлектрической проницаемости диэлектриков либо материалов с небольшими потерями (см. Брандт А.А. Исследование диэлектриков на СВЧ. – М.: ГИФМЛ, 1963, с.290-294), основанный на измерении угла Брюстера. Отношение мощности, регистрируемой приемником после отражения от исследуемого образца, к мощности, регистрируемой при замене образца идеально отражающей поверхностью, позволяет найти коэффициент отражения по мощности. Измеренный таким образом коэффициент отражения по мощности при различных углах падения позволяет вычислить действительную и мнимую части диэлектрической проницаемости.

Недостатком данного способа является малая точность измерения диэлектрической проницаемости, наличие металлической подложки и невозможность определения толщины покрытия.

Техническим результатом изобретения является повышение точности определения комплексной диэлектрической проницаемости и толщины диэлектрических пластин в отсутствие металлической подложки.

Сущность изобретения состоит в том, что в СВЧ-способе определения комплексной диэлектрической проницаемости и толщины диэлектрических пластин, включающем помещение диэлектрической пластины в высокочастотное электромагнитное поле и последующую регистрацию изменения параметров, характеризующих высокочастотное излучение, с помощью устройства возбуждения, представляющего собой направленную антенну (рупор), возбуждают Е-волну, падающую на диэлектрическую пластину; по отсутствию поля отраженной волны или по его минимуму определяют угол Брюстера падающей волны , рассчитывают величину диэлектрической проницаемости

измеряют мощности падающей и отраженной волн, определяют величину коэффициента отражения

и рассчитывают удельную проводимость

и величину диэлектрических потерь диэлектрической пластины (мнимую часть диэлектрической проницаемости)

увеличивают угол падения электромагнитной волны до величины, обеспечивающей полное внутреннее отражение электромагнитной волны, измеряют затухание напряженности поля в нормальной плоскости относительно направления распространения волны, рассчитывают коэффициенты нормального затухания E из выражения E(y)=E0exp[-(y)·y] и толщину диэлектрической пластины

Сущность предлагаемого СВЧ-способа определения комплексной диэлектрической проницаемости и толщины диэлектрических пластин поясняется следующим. С помощью устройства возбуждения электромагнитной волны 1 (см. чертеж), представляющего собой внешнюю рупорную антенну, возбуждают падающую на диэлектрическую пластину 2 электромагнитную волну с вертикальной поляризацией – Е-волну, где вектор электрического поля Е лежит в плоскости падения электромагнитной волны.

Изменяя угол падения электромагнитной волны механическим качанием излучателя или электронным изменением положения направления максимума ДН, определяют угол Брюстера падающей волны . Индикация угла Брюстера осуществляется измерителем минимальной мощности отражения или индикатором смены вида поляризации 3. Определение угла Брюстера возможно двумя способами.

а) Индикация отсутствия поля отраженной волны в случае, если покрытие представляет собой диэлектрик, т.e. =0, или поиск его минимума, когда покрытие обладает потерями (0) и отраженная волна не исчезает полностью, а проходит через минимум при угле падения электромагнитной волны, равному углу Брюстера.

б) Второй способ базируется на явлении полной поляризации отраженной волны, наблюдаемой при угле Брюстера. В случае, если падающая волна имеет вращающуюся поляризацию (эллиптическую в общем случае), индикация угла Брюстера осуществляется в момент, когда отраженная волна будет иметь линейную параллельную поляризацию. Полная поляризация отраженной волны отсутствует для волн, имеющих Н-поляризацию, где вектор Е перпендикулярен плоскости падения электромагнитной волны.

Согласно Маркову Г.Т., Петрову Б.М., Грудинской Г.П. (Электродинамика и распространение радиоволн. – М.: Сов. Радио, 1979, с.238-240) угол полного преломления для Е-воля – угол Брюстера в первом приближении для сред без потерь (=0) определяется

Это позволяет (см. Брандт А.А. Исследование диэлектриков на СВЧ. – М.: ГИФМЛ, 1963, с.290-294) по измеренному углу Брюстера определить величину диэлектрической проницаемости ‘ по формуле

Значение проницаемости, определенное из (2) для диэлектрических пластин, обладающих потерями, соответствующих tg0,2, имеет погрешность не более 2%.

Мерой величины потерь диэлектрического слоя, т.е. величины , служит минимальная величина коэффициента отражения при угле падения электромагнитной волны 0, равному углу Брюстера. Коэффициент отражения при >0 уже не равен нулю и тем больше, чем больше величина или (см. Марков Г.Т., Петров Б.М., Грудинская Г.П. Электродинамика и распространение радиоволн. – М.: Сов. Радио, 1979, с.238-240).

Измеряя с помощью 3 мощность отраженной волны Ротр и зная мощность падающей волны Рпад, определяем величину ” или . В первом приближении

или

Пусть измеренное значение =, тогда

где k1, k2, k3, k4 – коэффициенты пропорциональности.

Из второго закона Снеллиуса, учитывая, что и ’=1, следует

откуда

При значении величины магнитной проницаемости

Модуль коэффициента отражения (минимальное его значение)

С учетом того, что

откуда а

получаем

Несмотря на потери, параметры диэлектрика удовлетворяют условию

тогда

Учитывая, что , ; и путем некоторых математических преобразований окончательно получаем Откуда получаем формулы удельной проводимости

где Г – длина волны генератора,

и величины диэлектрических потерь диэлектрической пластины (мнимую часть диэлектрической проницаемости)

Таким образом, величины или ” рассчитываются при известной длине волны генератора Г по измеренному коэффициенту отражения и рассчитанной ранее по значению угла Брюстера величине ’.

При этом внутри слоя отсутствует медленная поверхностная волна, т.е. пр всегда меньше угла полного внутреннего отражения, т.е.

sinпр=sinполн.внутр.отр=-1/2.

По полученным значениям ‘ и рассчитывают , т.е. ее модуль

и аргумент

Увеличивают угол 0 до величины, заведомо обеспечивающей полное внутреннее отражение, т.е. когда При этом имеет место отраженная сверху волна, в отличие от медленной волны, вытекающей “быстрой” волны при малых значениях градиентов диэлектрической проницаемости или толщины диэлектрической пластины, а также при радиусе кривизны пластины намного больше длины волны генератора.

С помощью устройства измерения коэффициента нормального затухания Е – 4 измеряют затухание напряженности поля электромагнитной волны в нормальной плоскости относительно направления распространения волны и рассчитывают коэффициенты нормального затухания Е из выражения

E(y)=E0exp[-(y)·y],

где Е(y) – напряженность поля волны на расстоянии y от диэлектрической пластины в нормальной плоскости относительно направления распространения поверхностной волны (см. чертеж);

Е0 – напряженность поля волны, измеряемая приемным вибратором на расстоянии у0 от диэлектрической пластины в нормальной плоскости (см. чертеж);

(y)=Е – коэффициент нормального затухания поля волны на расстоянии у от диэлектрической пластины;

у – расстояние от поверхности диэлектрической пластины до приемного вибратора.

В микропроцессорном устройстве 5 рассчитывают толщину диэлектрической пластины из формулы

Таким образом, предлагаемый СВЧ-способ определения комплексной диэлектрической проницаемости и толщины диэлектрических пластин позволяет определить комплексную диэлектрическую проницаемость диэлектрических пластин и их толщину, а также определить их удельную проводимость.

Так как в данном способе отсутствует металлическая подложка и существует режим бегущих волн, а измерения относительные и не зависят от расстояния вибраторов до поверхности, что не требует специальных мер отстройки от зазора, повышается точность измерений и существует возможность быстрого сканирования поверхности без перемещения возбудителя поверхностной волны.

Формула изобретения

СВЧ-способ определения комплексной диэлектрической проницаемости и толщины диэлектрических пластин, включающий помещение диэлектрической пластины в высокочастотное электромагнитное поле и последующую регистрацию изменения параметров, характеризующих высокочастотное излучение, отличающийся тем, что с помощью устройства возбуждения, представляющего собой направленную антенну (рупор), возбуждают Е-волну, падающую на диэлектрическую пластину, по отсутствию поля отраженной волны или по его минимуму определяют угол Брюстера падающей волны рассчитывают величину диэлектрической проницаемости ‘:

измеряют мощности падающей и отраженной волн, определяют величину коэффициента отражения и рассчитывают удельную проводимость

и величину диэлектрических потерь диэлектрической пластины (мнимую часть диэлектрической проницаемости)

увеличивают угол падения электромагнитной волны до величины, обеспечивающей полное внутреннее отражение электромагнитной волны, измеряют затухание напряженности поля в нормальной плоскости относительно направления распространения волны, рассчитывают коэффициенты нормального затухания E и толщину диэлектрической пластины:

РИСУНКИ


MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 08.03.2005

Извещение опубликовано: 20.11.2006 БИ: 32/2006


Categories: BD_2249000-2249999