Патент на изобретение №2242421

Published by on




РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ



ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА
ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СОБСТВЕННОСТИ,
ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ
(19) RU (11) 2242421 (13) C2
(51) МПК 7
B82B3/00
(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ

Статус: по данным на 27.01.2011 – прекратил действие

(21), (22) Заявка: 2002134328/28, 19.12.2002

(24) Дата начала отсчета срока действия патента:

19.12.2002

(43) Дата публикации заявки: 10.06.2004

(45) Опубликовано: 20.12.2004

(56) Список документов, цитированных в отчете о
поиске:
НЕВОЛИН В.К. Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии. Учебное пособие. – М.: МИЭТ, 2000, с.4-5. RU 2007783 С1, 15.02.1994. RU 2173003 С1, 27.08.2001. US 6183817 В1, 06.02.2001. WO 01/130689 А1, 03.05.2001.

Адрес для переписки:

109028, Москва, Б. Трехсвятительский пер., 3/12, МГИЭМ, отдел охраны интеллектуальной собственности, пат.пов. Т.В.Григорьевой

(72) Автор(ы):

Ивашов Е.Н. (RU),
Самухов И.В. (RU)

(73) Патентообладатель(и):

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электроники и математики (Технический университет) (RU)

(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НАНООБЪЕКТОВ НА ПОДЛОЖКЕ

(57) Реферат:

Использование: в области электроники, для получения нанообъектов на подложке. Техническим результатом изобретения является обеспечение высокой точности воспроизведения нанообъектов на подложке. Сущность изобретения: в способе получения нанообъектов на подложке, включающем ионизацию рабочего газа между зондом и подложкой, в качестве зонда используют луч лазера, которым ионизируют рабочий газ, причем лазер устанавливают на многокоординатном пьезоприводе, а на подложку подают отрицательный потенциал. 1 ил.

Изобретение относится к области электроники, а более конкретно к способам получения нанообъектов на подложке.

Известен способ получения нанообъектов на подложке, включающий ионизацию рабочего газа вблизи подложки [Моряков О.С. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. В 10 кн. Кн. 7. Электронная обработка. Учебное пособие для ПТУ – М.: Высшая школа, 1990 – 128 с., ил. – стр.35-36].

Недостатком аналога является низкая точность воспроизведения нанообъектов на подложке.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ получения нанообъектов на подложке, включающий ионизацию рабочего газа между зондом и подложкой. [Неволин В.К. Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии. Учебное пособие – М.: МИЭТ, 2000 – 69 с., ил. – стр.4-5].

Недостатком прототипа является низкая точность воспроизведения нанообъектов на подложке из-за интенсивной электроэрозии самого зонда.

В основу изобретения положена техническая задача обеспечить высокую точность воспроизведения нанообъектов на подложке.

Поставленная задача решается тем, что в способе получения нанообъектов на подложке, включающий ионизацию рабочего газа между зондом и подложкой, согласно изобретению в качестве зонда используют луч лазера, которым ионизируют рабочий газ, причем лазер устанавливают на многокоординатном пьезоприводе, а на подложку подают отрицательный потенциал.

Введением в способ получения нанообъектов на подложке вместо твердого зонда – луча лазера создается ионизация рабочего газа только внутри луча, и осаждение на подложку происходит в нанообласти взаимодействия лазерного луча с подложкой, чем и обеспечивается высокая точность воспроизведения нанообъектов на подложке.

Сущность изобретения поясняется чертежом 1, где показано устройство, реализующее способ получения нанообъектов на подложке.

Устройство, реализующее способ получения нанообъектов на подложке, содержит вакуумную камеру 1, внутри которой находится рабочий газ 2. В вакуумной камере 2 на многокоординатном приводе 5 находится лазер 3 с лучом 4. Подложка 6 связана с блоком питания 7.

Способ получения нанообъектов на подложке реализуется следующим образом. Луч 4 лазера 3 направляют на подложку 6, которую заряжают отрицательным потенциалом от блока питания 7. Лучом 4 лазера 3 ионизируют рабочий газ 2 и создают узконаправленный поток ионов рабочего газа 2 в сторону подложки 6.

Применение предложенного способа получения нанообъектов на подложке обеспечивает высокую точность воспроизведения на подложке ввиду узкой направленности потока ионов рабочего газа при работе лазера в импульсном режиме.

Формула изобретения

Способ получения нанообъектов на подложке, включающий ионизацию рабочего газа между зондом и подложкой, отличающийся тем, что в качестве зонда используют луч лазера, которым ионизируют рабочий газ, причем лазер устанавливают на многокоординатном пьезоприводе, а на подложку подают отрицательный потенциал.

РИСУНКИ


MM4A – Досрочное прекращение действия патента СССР или патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Дата прекращения действия патента: 20.12.2007

Извещение опубликовано: 27.07.2009 БИ: 21/2009


Categories: BD_2242000-2242999